公开(公告)号：CN110854143B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201910742131.X

申请日：2019-08-13

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中野文树 ,  中泽淳 ,  森胁弘幸 ,  泷田力也

IPC: H01L27/146

Abstract: 有源矩阵基板在由栅极线和数据线限定的像素(P)中具有光电转换元件(42)。光电转换元件(42)与偏置布线连接，偏置布线与向偏置布线供给偏置电压的偏置端子(11)连接。偏置端子(11)与由非线性元件构成的第一保护电路(21)连接。第一保护电路(21)以反向偏置状态在供给高于偏置电压的规定电压的第一布线(31)与偏置端子(11)之间被连接。

公开(公告)号：CN111755469A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010227412.4

申请日：2020-03-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 森胁弘幸 ,  中泽淳 ,  久保田章敬 ,  中野文树

IPC: H01L27/146

Abstract: 本发明提供一种在拍摄面板的制造过程以及制造后不易产生静电损坏的技术。拍摄面板(1)在由形成于基板上的多个栅极线和多个数据线(10)限定的多个像素中具备多个光电转换元件。此外，拍摄面板(1)在由多个像素限定的像素区域的外侧具备：多个第一非线性元件(161a)，其与多个数据线(10)连接；多个第一保护布线(161b)，其与多个数据线(10)的各自连接；以及第一共用布线(17a)，其与多个第一非线性元件(161b)连接。各第一非线性元件(161a)以反向偏置状态连接于连接有该第一非线性元件(161a)的数据线(10)与第一共用布线(17a)之间。各第一保护布线(161b)形成至基板的端部。

公开(公告)号：CN109196716A

公开(公告)日：2019-01-11

申请号：CN201780031842.5

申请日：2017-05-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 大竹忠 ,  箕浦洁 ,  中泽淳 ,  大类贵俊 ,  中村涉

IPC: H01Q3/34 ,  H01Q3/44 ,  H01Q13/22 ,  H01Q21/06

Abstract: 扫描天线(1000A)具有：TFT基板(101)，其具有第一电介质基板(1)、由第一电介质基板(1)支撑的TFT、栅极总线、源极总线以及贴片电极(15)；缝隙基板(201A)，其具有第二电介质基板(51)、和形成于第二电介质基板(51)的第一主面上的缝隙电极(55)；液晶层(LC)，其设置在TFT基板(101)与缝隙基板(201A)之间；反射导电板(65)，其以隔着电介质层(54)与第二电介质基板(51)的第一主面相反侧的第二主面相对的方式配置，缝隙电极(55)具有与贴片电极(15)对应配置的缝隙(57)，贴片电极(15)连接到对应的TFT的漏极，在缝隙(57)中形成有低介电损耗物质层(57A)，其由相对于微波的介电损耗小于构成液晶层(LC)的液晶材料的物质构成。

公开(公告)号：CN108352139A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062000.1

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明提供显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法。阵列基板(11b)包括：玻璃基板(GS)；多个输入端子部(28)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，其中栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且至少一部分的倾斜角度设为35°以下；第一平坦化膜(20)，其中第一平坦化膜端部(20a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且其倾斜角度大于栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)的倾斜角度；以及多个端子布线部(29)，其横跨栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)以及第一平坦化膜端部(20a)并且与多个输入端子部(28)连接。

公开(公告)号：CN104205341B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380018474.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  高丸泰 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。

公开(公告)号：CN103250255B

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201180057894.2

申请日：2011-11-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中泽淳

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H05B33/02

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明所涉及的半导体装置(100)为具有薄膜晶体管(10)的半导体装置，该半导体装置包括：薄膜晶体管(10)的栅极电极(12)；形成在栅极电极(12)之上的栅极绝缘层(13)；配置在栅极绝缘层(13)之上的氧化物半导体层(15)；和形成在氧化物半导体层(15)之上的源极电极(17)和漏极电极(18)。从与半导体装置(100)的基板面垂直的方向看时，源极电极(17)或漏极电极(18)将栅极电极(12)的边缘与氧化物半导体层(15)的边缘交叉的多个部位中的至少一个部位覆盖。

公开(公告)号：CN104380474A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033025.5

申请日：2013-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  小川康行 ,  宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  高丸泰 ,  中泽淳 ,  宫本光伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN104247031A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。

公开(公告)号：CN104081507A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007575.X

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN108496244B

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN201780008343.4

申请日：2017-01-16

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L29/786

Abstract: 半导体装置具备具有结晶质硅半导体层(13)的第1薄膜晶体管(101)和具有氧化物半导体层(23)的第2薄膜晶体管(102)，第1薄膜晶体管(101)的第1源极电极(31)、第1漏极(33)隔着第1层间绝缘层(L1)设置在结晶质硅半导体层之上，第2薄膜晶体管(102)的第2源极电极(25S)电连接到与第1源极电极、第1漏极电极由同一导电膜形成的配线(35)，配线(35)隔着第2层间绝缘层(L2)设置在第2源极电极(25S)之上，并且在包含形成于第2层间绝缘层(L2)的开口的第2接触孔内与第2源极电极(25S)接触，第2源极电极具有包含主层(25m)和配置在主层之上的上层(25u)的层叠结构，在第2层间绝缘层的开口的下方，上层(25u)具有第1开口部，主层(25m)具有第2开口部(p2)或凹部，当从基板的法线方向观看时，第2开口部(p2)或凹部比第1开口部(p1)大。