公开(公告)号：CN108352138A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680061839.3

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333

Abstract: 阵列基板11b包括：多个输入端子部28；第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20，使第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a配设于多个输入端子部28与显示区域AA之间；多个端子布线部29，配设于第一层间绝缘膜19以及第一平坦化膜20的上层侧而跨越第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a并且与多个输入端子部28连接；第二平坦化膜22，其配设于多个端子布线部29的上层侧且第二平坦化膜端部22a配设于比第一层间绝缘膜端部19a以及第一平坦化膜端部20a靠输入端子部28侧；以及多个保护部30，配设于第二平坦化膜22的上层侧而分别覆盖多个端子布线部29中的与第二平坦化膜22非重叠的部分。

公开(公告)号：CN104094386B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201380007483.1

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  松尾拓哉 ,  内田诚一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66969 ,  G02F1/136213 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/40 ,  G02F2201/50 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/44 ,  H01L23/564 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN104094409B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201380007460.0

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/40 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(1)；在基板(1)上形成的栅极电极(3)和第一透明电极(2)；在栅极电极(3)和第一透明电极(2)上形成的第一绝缘层(4)；在第一绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和与漏极电极(6d)电连接的第二透明电极(7)。第一透明电极(2)的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与第二透明电极(7)重叠。氧化物半导体层(5)和第二透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN104285286A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201380025030.1

申请日：2013-04-26

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  小川康行 ,  内田诚一

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/136231 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明的目的是提供能够抑制成品率的降低并且通过简便的工艺制造的半导体装置和半导体装置的制造方法。本发明具有：TFT基板(100A)；氧化物层(15)，该氧化物层(15)包括半导体区域(5)和导体区域(7)，半导体区域的至少一部分隔着第一绝缘层(4)与栅极电极(3a)重叠；覆盖半导体区域的沟道区域的保护层(8)；和透明电极(9)，该透明电极(9)以在从基板(2)的法线方向看时，与导体区域的至少一部分重叠的方式形成。氧化物层的端部的至少一部分被保护层覆盖。

公开(公告)号：CN104205341A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201380018474.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  高丸泰 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。

公开(公告)号：CN108352139A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062000.1

申请日：2016-11-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤贵翁 ,  神崎庸辅 ,  中泽淳 ,  伊东一笃 ,  金子诚二

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1345 ,  G09F9/00

CPC classification number: G02F1/1345 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30

Abstract: 本发明提供显示基板、显示装置以及显示基板的制造方法。阵列基板(11b)包括：玻璃基板(GS)；多个输入端子部(28)；栅极绝缘膜(16)以及第一层间绝缘膜(19)，其中栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且至少一部分的倾斜角度设为35°以下；第一平坦化膜(20)，其中第一平坦化膜端部(20a)相对于玻璃基板(GS)的板面成为倾斜状且其倾斜角度大于栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)的倾斜角度；以及多个端子布线部(29)，其横跨栅极绝缘膜端部(16a)以及第一层间绝缘膜端部(19a)以及第一平坦化膜端部(20a)并且与多个输入端子部(28)连接。

公开(公告)号：CN104205341B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380018474.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  高丸泰 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。

公开(公告)号：CN104170069B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201380014079.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/134381 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。

公开(公告)号：CN104396019A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380032605.2

申请日：2013-06-11

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  宫本忠芳 ,  小川康行 ,  高丸泰 ,  伊东一笃 ,  松尾拓哉 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/425 ,  H01L21/441 ,  H01L21/443 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969

Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。

公开(公告)号：CN104380474A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033025.5

申请日：2013-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  小川康行 ,  宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  高丸泰 ,  中泽淳 ,  宫本光伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。