公开(公告)号：CN110233138A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201910165495.6

申请日：2019-03-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔 ,  金子和昭 ,  大松照幸

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01S5/022 ,  H01S5/024

Abstract: 本发明提供一种在将罐形的半导体发光元件安装于散热板来使用时，能够进一步提高散热性的半导体发光装置。半导体发光装置(10)形成为将半导体发光元件(100)搭载于散热板(130)上。在半导体发光元件(100)的基座(101)的基座底面(107)的一部分区域与散热板(130)的上表面之间设置有间隔(140)，引线(105)配置为在设置有间隔(140)的区域上下贯通基座(101)。半导体激光芯片(122)以其波导长边方向与基座(101)的上表面大致平行的方式配置在未设置有间隔(140)的区域。引线(105)的下端位于间隔(140)内并与柔性基板(150)连接。

公开(公告)号：CN102901017B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201210253420.1

申请日：2012-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高桥幸司 ,  伊藤茂稔 ,  高平宜幸

IPC: F21S8/10 ,  F21V7/00 ,  F21V5/04 ,  F21W101/10 ,  F21Y113/00

CPC classification number: B60Q1/085 ,  B60Q1/12 ,  B60Q2300/45 ,  F21S41/14 ,  F21S41/143 ,  F21S41/147 ,  F21S41/16 ,  F21S41/176 ,  F21S41/18 ,  F21S41/255 ,  F21S41/321 ,  F21S41/36 ,  F21S41/365 ,  F21S41/675 ,  F21W2102/17 ,  F21W2102/19 ,  F21Y2113/00 ,  F21Y2115/30 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B2207/113

Abstract: 本发明提供照明装置和具备该照明装置的车辆用前照灯，其中，前灯系统(100)配备：具有接收激光而进行发光的发光部的激光源单元(1a)；具有LED的LED光源单元(2a/2b)，激光源单元(1a)朝向配光点(A1)配光，并且LED光源单元(2a/2b)朝向配光区域(a1/a2)配光。

公开(公告)号：CN102901017A

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201210253420.1

申请日：2012-07-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高桥幸司 ,  伊藤茂稔 ,  高平宜幸

IPC: F21S8/10 ,  F21V7/00 ,  F21V5/04 ,  F21W101/10 ,  F21Y113/00

CPC classification number: B60Q1/085 ,  B60Q1/12 ,  B60Q2300/45 ,  F21S41/14 ,  F21S41/143 ,  F21S41/147 ,  F21S41/16 ,  F21S41/176 ,  F21S41/18 ,  F21S41/255 ,  F21S41/321 ,  F21S41/36 ,  F21S41/365 ,  F21S41/675 ,  F21W2102/17 ,  F21W2102/19 ,  F21Y2113/00 ,  F21Y2115/30 ,  G02B19/0028 ,  G02B19/0061 ,  G02B2207/113

Abstract: 本发明提供照明装置和具备该照明装置的车辆用前照灯，其中，前灯系统(100)配备：具有接收激光而进行发光的发光部的激光源单元(1a)；具有LED的LED光源单元(2a/2b)，激光源单元(1a)朝向配光点(A1)配光，并且LED光源单元(2a/2b)朝向配光区域(a1/a2)配光。

公开(公告)号：CN102084560A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN200980126170.1

申请日：2009-07-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 太田征孝 ,  伊藤茂稔 ,  津田有三 ,  麦华路巴武吕 ,  高桥幸司

IPC: H01S5/343 ,  H01S5/042

CPC classification number: H01S5/34333 ,  B82Y20/00 ,  H01S5/0207 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/2232

Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光元件，其特征为包含：基板(100、200、300)；在基板(100、200、300)上形成的n型氮化物半导体层(101、201、301)；在n型氮化物半导体层(101、201、301)上形成的氮化物半导体活性层(104、204、304)、在氮化物半导体活性层(104、204、304)上形成的p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)；以及在p型氮化物半导体层(107、207、307、108、208、308)上形成的上部透明导电膜(109、209、309)，氮化物半导体活性层(104、204、304)具有包含铟的氮化物半导体阱层(131)和氮化物半导体障壁层(132)。

公开(公告)号：CN102047511A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200980118976.6

申请日：2009-05-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 泽村诚 ,  伊藤茂稔 ,  蛭川秀一

IPC: H01S5/022

CPC classification number: H01L33/505 ,  H01L33/483 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/48091 ,  H01S5/02212 ,  H01S5/02288 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种发光装置，其通过抑制生产率的下降，能够降低制造成本。该发光装置具备：发光元件(11)、密封发光元件(11)的帽(20)、被覆帽(20)的上面的光转换构造部(16)。帽(20)包含：具有用于取出从发光元件(11)射出的光的孔的基部(14)、和覆盖于孔的玻璃部(15)。玻璃部(15)设置于基部(14)的外侧，光转换构造部(16)设置于玻璃部(15)的外侧。

公开(公告)号：CN106479489B

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201610710945.1

申请日：2016-08-23

Applicant: 夏普株式会社 ,  国立研究开发法人物质·材料研究机构

Inventor： 吉村健一 ,  伊藤茂稔 ,  和泉真 ,  原田昌道 ,  福永浩史 ,  广崎尚登

IPC: C09K11/08 ,  H01L33/50 ,  G09F9/33

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/00 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/57 ,  C09K11/616 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133528 ,  G02F1/133615 ,  G02F1/1337 ,  G02F2001/133614 ,  G02F2001/133624

Abstract: 本发明提供能够实现色再现范围宽广的图像显示装置的发光装置(10)和具备该发光装置的图像显示装置。发光装置(10)包括：发出蓝色光的发光元件(11)；作为绿色荧光体(13)的Mn2+激活γ‑AlON荧光体；和作为红色荧光体(12)的Mn4+激活荧光体。Mn2+激活γ‑AlON荧光体发出的绿色光的发光光谱的峰值波长为518nm以上528nm以下。

公开(公告)号：CN109672081A

公开(公告)日：2019-04-23

申请号：CN201811169889.0

申请日：2018-10-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊藤茂稔 ,  大松照幸 ,  金子和昭

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024

Abstract: 提供一种在将罐型半导体发光元件安装在散热板上使用时，可进一步提高散热性的半导体发光元件及半导体发光装置。半导体发光元件(100)包括：由金属构成的基座(101)、载置在基座(101)的罩(110)、搭载在基座(101)的上表面的半导体激光芯片(122)、和对半导体激光芯片(122)提供电力的引线(104)。在基座(101)的底面的一部分区域中设置切口部(102)。引线(104)在设置了切口部(102)的区域中以上下贯通基座(101)的方式配置。半导体激光芯片(122)搭载在基座(101)的未设置有切口部(102)的区域上。引线(104)的上端及半导体激光芯片(122)收纳在由罩(110)和基座(101)包围而成的内部空间中。

公开(公告)号：CN109428264A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810962554.8

申请日：2018-08-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 亚力克斯 ,  约丁 ,  谷善彦 ,  瓦莱里·贝里曼-博斯奎特 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/34 ,  H01S5/343

Abstract: 一种III族氮化物基激光发光装置包括：n侧III族氮化物基半导体区域；p侧III族氮化物基半导体区域；以及位于所述p侧III族氮化物基半导体区域和所述n侧III族氮化物基半导体区域之间的III族氮化物基有源区。所述III族氮化物基有源区包括第一量子阱层和第二量子阱层，以及位于第一量子阱层和第二量子阱层之间的势垒层，第一量子阱层和第二量子阱层各自的组分包括各自不同的铟含量。所述第一量子阱比所述第二量子阱更靠近n侧III族氮化物基半导体区域，所述第二量子阱比所述第一量子阱更靠近p侧III族氮化物基半导体区域，并且第一量子阱具有比第二量子阱更大的带隙。

公开(公告)号：CN109417268A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039047.0

申请日：2017-01-31

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 川口佳伸 ,  尾崎信二 ,  森田隆敏 ,  柳濑祥吾 ,  香川利雄 ,  大松照幸 ,  金子和昭 ,  伊藤茂稔

IPC: H01S5/022

Abstract: 光模块(第一模块(1))中，从发光点射出相互不同波长的光的多个半导体激光元件(第一半导体激光元件(21)至第三半导体激光元件(23))搭载在基座部件(10)上。基座部件(10)具有作为高度方向(Z)上的基准的基准面(11)，和搭载有半导体激光元件的搭载面(第一搭载面(12a)及第二搭载面(12b))。多个半导体激光元件中的至少一部分，从与搭载面相接的面开始到发光点为止的高度(第一发光高度(TL1)至第三发光高度(TL3))互不相同，从基准面开始到发光点为止的高度(基准高度(HL))大致相等。

公开(公告)号：CN106169527B

公开(公告)日：2019-01-18

申请号：CN201610341825.9

申请日：2016-05-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 上田吉裕 ,  伊藤茂稔

IPC: H01L33/16 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明以低成本提供与作为氮化物半导体层的生长用衬底使用单晶蓝宝石衬底的情况相比元件特性维持现状或比现状提高的氮化物半导体发光元件。该氮化物半导体发光元件包括：作为主成分包含多晶二氧化硅或非晶二氧化硅的衬底；设置在衬底之上的基底层；和设置在衬底之上，具有至少一个由氮化物半导体单晶构成的层的层叠结构。基底层包含c轴取向的结晶，通过溅射法形成。