显示装置
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107111179B

    公开(公告)日:2020-10-23

    申请号:CN201580069666.5

    申请日:2015-12-11

    Abstract: 本发明的显示装置(100A)的第一基板(10)具有TFT(2),该TFT(2)设于各像素中,且具有氧化物半导体层。第二基板(20)具有彩色滤光片层(22)及遮光层(21)。彩色滤光片层(22)中所含的第一彩色滤光片、第二彩色滤光片及第三彩色滤光片中的至少一个为,对波长450nm以下的可见光的平均透射率为0.2%以下。遮光层在彩色滤光片的像素中,(a)具有薄膜晶体管遮光部(21t),其沿着沟道长度方向(DL)延伸,且具有氧化物半导体层的沿着沟道宽度方向(DW)的长度以下的宽度;或者(b)具有薄膜晶体管遮光部,其沿着沟道宽度方向延伸,且具有氧化物半导体层的沿着沟道长度方向的长度以下的宽度;或者(c)不具有薄膜晶体管遮光部。

    半导体装置和半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN108292685A

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201680068499.7

    申请日:2016-11-14

    Abstract: 半导体装置(1001)具备:薄膜晶体管(101),其具有氧化物半导体层(16),氧化物半导体层(16)包含沟道区域和分别配置在沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域;绝缘层,其配置为覆盖氧化物半导体层(16),具有将漏极接触区域露出的接触孔(CH);以及透明电极(24),其在接触孔(CH)内与漏极接触区域接触,当从基板的法线方向观看时,漏极接触区域的至少一部分(R)与栅极电极(12)重叠,在沿沟道宽度方向横切漏极接触区域的至少一部分(R)的任意的截面中,氧化物半导体层(16)的宽度比栅极电极(12)的宽度大,并且栅极电极(12)隔着栅极绝缘层由氧化物半导体层(16)覆盖。

    带微透镜阵列的显示面板的制造方法和显示装置以及曝光装置

    公开(公告)号:CN100523939C

    公开(公告)日:2009-08-05

    申请号:CN200480031655.X

    申请日:2004-12-08

    Abstract: 本发明是具有显示面板(101)、和设置在显示面板的光入射侧的多个微透镜(107)的显示面板(100)的制造方法,包括(a)准备具有配置成矩阵状的多个像素的显示面板的工序、即准备多个像素分别具有包含透过第1色光的第1图素(104B)、和透过与第1色光不同的第2色光的第2图素104R(104G)的多个图素的显示面板的工序;(b)在显示面板的相互相对的一对主面的一方的主面上,形成光硬化性材料层(105)的工序;(c)通过显示面板将光硬化性材料层曝光的工序、即利用至少透过第1图素的光使光硬化性材料层至少一部分硬化的工序;(d)通过除去曝光后的光硬化性材料层(105’)的未硬化部分而形成多个微透镜(107)的工序。

    全息法的信息记录装置和信息再现装置以及信息记录再现装置

    公开(公告)号:CN100437772C

    公开(公告)日:2008-11-26

    申请号:CN200610081969.1

    申请日:2006-05-12

    Abstract: 全息记录再现装置(100),利用空间光振幅调制器(3)控制全息记录媒体(7)中的信号光(12)和参考光(13)的位置以及区域规模。因此,全息记录再现装置(100),通过将析像度高的空间光振幅调制器用作空间光振幅调制器(3),能任意设定信号光(12)和参考光(13)的位置以及区域规模。而且,全息记录再现装置(100)通过利用空间光振幅调制器(3)控制参考光(13)的位置,能使对全息记录媒体(7)的入射角变化。由此,实现角度多重记录。

    带微透镜阵列的显示面板的制造方法和显示装置以及曝光装置

    公开(公告)号:CN1875315A

    公开(公告)日:2006-12-06

    申请号:CN200480031655.X

    申请日:2004-12-08

    Abstract: 本发明是具有显示面板(101)、和设置在显示面板的光入射侧的多个微透镜(107)的显示面板(100)的制造方法,包括(a)准备具有配置成矩阵状的多个像素的显示面板的工序、即准备多个像素分别具有包含透过第1色光的第1图素(104B)、和透过与第1色光不同的第2色光的第2图素104R(104G)的多个图素的显示面板的工序;(b)在显示面板的相互相对的一对主面的一方的主面上,形成光硬化性材料层(105)的工序;(c)通过显示面板将光硬化性材料层曝光的工序、即利用至少透过第1图素的光使光硬化性材料层至少一部分硬化的工序;(d)通过除去曝光后的光硬化性材料层(105’)的未硬化部分而形成多个微透镜(107)的工序。

    头戴式显示器用显示装置和头戴式显示器

    公开(公告)号:CN111796421B

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202010237982.1

    申请日:2020-03-30

    Abstract: 本发明提供一种在使设置在间隔物的配置位置的遮光部难以从视觉上被辨认的同时提高亮度,并抑制耗电量的增加的头戴式显示器用显示装置和头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)用显示装置(10)包括并列配置的第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B),第一显示面板(20A)和第二显示面板(20B)分别具有表面内被划分成显示区域(A1)和非显示区域(A2)的一对基板(21、22)和介于基板(21、22)之间的柱状间隔物(25),并且在基板(21)中设有与间隔物(25)重叠的间隔物遮光部(55),间隔物遮光部(55)在显示区域(A1)中的配置位置在第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B)中不一致。

    显示装置
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112083611A

    公开(公告)日:2020-12-15

    申请号:CN202010523879.3

    申请日:2020-06-10

    Abstract: 根据本发明实施方式的显示装置的有源矩阵基板在各像素中具有:TFT、实质上覆盖TFT的绝缘层、由透明导电材料形成并电连接于TFT的像素电极、位于TFT与像素电极之间的彩色滤光片以及中间层电极,该中间层电极由透明导电材料形成,且至少一部分位于绝缘层与彩色滤光片之间,并将TFT的漏极电极与像素电极电连接。在彩色滤光片中所形成的接触孔中,像素电极与中间层电极连接。从显示面法线方向观察时,接触孔与TFT的栅极电极至少部分重叠。

    多重记录方式的全息记录再现装置及其方法

    公开(公告)号:CN101276197A

    公开(公告)日:2008-10-01

    申请号:CN200810088318.4

    申请日:2008-03-26

    Abstract: 本发明涉及一种多重记录方式的全息记录再现装置及其方法,该全息记录再现装置(100A)包含角度旋转镜(16)、矩形开口(12)和介质驱动部(38A),将参考光(RL)和信号光(SL)的干涉条纹记录到全息记录介质(30),并再现全息记录介质(30)记录的全息图。角度旋转镜(16)使参考光(RL)对全息记录介质(30)的入射角变化,以便在全息记录介质(30)的同一区域多重记录数据。矩形开口(12)遮蔽来自与再现的全息图相邻的全息图的再现光。介质驱动部(38A)驱动全息记录介质(30),使得入射到全息记录介质(30)的信号光(SL)和参考光(RL)的入射角度。

Patent Agency Ranking