公开(公告)号：CN108292685B

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN201680068499.7

申请日：2016-11-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  冈田训明

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/41

Abstract: 半导体装置(1001)具备：薄膜晶体管(101)，其具有氧化物半导体层(16)，氧化物半导体层(16)包含沟道区域和分别配置在沟道区域的两侧的源极接触区域和漏极接触区域；绝缘层，其配置为覆盖氧化物半导体层(16)，具有将漏极接触区域露出的接触孔(CH)；以及透明电极(24)，其在接触孔(CH)内与漏极接触区域接触，当从基板的法线方向观看时，漏极接触区域的至少一部分(R)与栅极电极(12)重叠，在沿沟道宽度方向横切漏极接触区域的至少一部分(R)的任意的截面中，氧化物半导体层(16)的宽度比栅极电极(12)的宽度大，并且栅极电极(12)隔着栅极绝缘层由氧化物半导体层(16)覆盖。

公开(公告)号：CN111796421A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN202010237982.1

申请日：2020-03-30

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田训明 ,  加藤浩巳 ,  吉田圭介

IPC: G02B27/01 ,  G02F1/1339

Abstract: 本发明提供一种在使设置在间隔物的配置位置的遮光部难以从视觉上被辨认的同时提高亮度，并抑制耗电量的增加的头戴式显示器用显示装置和头戴式显示器。头戴式显示器(HMD)用显示装置(10)包括并列配置的第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B)，第一显示面板(20A)和第二显示面板(20B)分别具有表面内被划分成显示区域(A1)和非显示区域(A2)的一对基板(21、22)和介于基板(21、22)之间的柱状间隔物(25)，并且在基板(21)中设有与间隔物(25)重叠的间隔物遮光部(55)，间隔物遮光部(55)在显示区域(A1)中的配置位置在第一显示面板(20A)与第二显示面板(20B)中不一致。

公开(公告)号：CN109901332A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201811480127.2

申请日：2018-12-05

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  冈田训明

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1339

Abstract: 一种液晶显示装置，提高具备氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率。液晶显示装置的第1基板具有：多个栅极配线；多个源极配线；TFT和像素电极，其设置于各像素；第1绝缘层，其覆盖源极配线；以及第1取向膜。第2基板具有遮光层、多个柱状间隔物、以及第2取向膜。TFT的漏极电极是与像素电极由同一透明导电膜形成的透明漏极电极。各柱状间隔物配置于多个栅极配线中的任意一个栅极配线与多个源极配线中的任意一个源极配线交叉的交叉区域。第1绝缘层具有形成于与至少一部分柱状间隔物各自对应的交叉区域的第1开口部。第1基板的液晶层侧的表面具有由第1开口部规定的凹部。至少一部分柱状间隔物各自的前端部位于凹部内。

公开(公告)号：CN109581754A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811134318.3

申请日：2018-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田训明 ,  内田诚一

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1335 ,  G02B27/01

Abstract: 本发明的课题在于使具有氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率提高，且抑制纱窗效应。液晶显示装置具有第一基板、第二基板、液晶层、及多个柱状间隔物。像素排列是包含红色、绿色及蓝色像素列的条纹排列。第一基板具有设于各像素中、具有氧化物半导体层的TFT。第二基板具有彩色滤光片层及遮光层。遮光层具有沿列方向延伸的多个第一遮光部和沿行方向延伸的多个第二遮光部。各柱状间隔物以与多个第二遮光部的任一个重叠的方式配置。红色、绿色及蓝色像素列中的至少一个沿列方向交替具有存在多个第二遮光部的任一个的第一像素边界和不存在多个第二遮光部的任一个的第二像素边界，多个第二遮光部配置成锯齿状。

公开(公告)号：CN101685262A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200910146682.6

申请日：2004-12-08

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 中西浩 ,  冈田训明

IPC: G03F7/20 ,  G02B3/00 ,  G02F1/1335 ,  G02B5/20

CPC classification number: B29D11/00365 ,  B29D11/00153 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/005 ,  G02B5/201 ,  G02F1/133526

Abstract: 本发明是一种带微透镜阵列的显示面板的制造方法和显示装置以及曝光装置。其中，用于将感光性树脂层进行曝光的曝光装置，其特征在于：包括射出平行光的光学系统；具有承载形成有所述感光性树脂层的被曝光物的承载面的承载台；和连续地或阶段性地改变从所述光学系统射出的所述平行光对所述承载台的所述承载面的入射角的入射角控制机构。

公开(公告)号：CN1303439C

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN03807183.5

申请日：2003-03-14

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田训明 ,  长坂由起子 ,  北村和也 ,  关本芳宏 ,  仓田幸夫 ,  中西浩

IPC: G02B3/00 ,  G02F1/13357

CPC classification number: G02B3/0068 ,  G02B3/0012 ,  G02B3/0056 ,  G02F1/133526 ,  G02F1/133621 ,  H04N9/3108

Abstract: 在有多个透镜的第一及第二微透镜阵列6、7的微透镜阵列基板12中，第一微透镜阵列6被夹在两块无机介质基板21、24之间而形成，第二微透镜阵列7形成于两块无机介质基板21、24中的任何一片无机介质基板上。

公开(公告)号：CN112083611B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN202010523879.3

申请日：2020-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田训明 ,  吉田圭介

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1335 ,  H01L27/12

Abstract: 根据本发明实施方式的显示装置的有源矩阵基板在各像素中具有：TFT、实质上覆盖TFT的绝缘层、由透明导电材料形成并电连接于TFT的像素电极、位于TFT与像素电极之间的彩色滤光片以及中间层电极，该中间层电极由透明导电材料形成，且至少一部分位于绝缘层与彩色滤光片之间，并将TFT的漏极电极与像素电极电连接。在彩色滤光片中所形成的接触孔中，像素电极与中间层电极连接。从显示面法线方向观察时，接触孔与TFT的栅极电极至少部分重叠。

公开(公告)号：CN109581754B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201811134318.3

申请日：2018-09-27

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田训明 ,  内田诚一

IPC: G02F1/1339 ,  G02F1/1335 ,  G02B27/01

Abstract: 本发明的课题在于使具有氧化物半导体TFT的液晶显示装置的开口率提高，且抑制纱窗效应。液晶显示装置具有第一基板、第二基板、液晶层、及多个柱状间隔物。像素排列是包含红色、绿色及蓝色像素列的条纹排列。第一基板具有设于各像素中、具有氧化物半导体层的TFT。第二基板具有彩色滤光片层及遮光层。遮光层具有沿列方向延伸的多个第一遮光部和沿行方向延伸的多个第二遮光部。各柱状间隔物以与多个第二遮光部的任一个重叠的方式配置。红色、绿色及蓝色像素列中的至少一个沿列方向交替具有存在多个第二遮光部的任一个的第一像素边界和不存在多个第二遮光部的任一个的第二像素边界，多个第二遮光部配置成锯齿状。

公开(公告)号：CN108780619A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780014801.5

申请日：2017-02-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 冈田训明 ,  内田诚一 ,  上田直树 ,  佐佐木贵启

IPC: G09F9/30 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02

Abstract: 阵列基板(薄膜晶体管基板)(11b)具备：源极配线(配线)(20)；TFT(薄膜晶体管)(17)，其具有多个电极(17a、17b、17c)；配线连接部(31)，其至少一部分构成多个电极(17a、17b、17c)中的任一电极，且其连接到源极配线(20)，包括透光性导电材料。

公开(公告)号：CN108701720A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012574.2

申请日：2017-02-17

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  冈田训明 ,  上田直树 ,  佐佐木贵启

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  G09F9/30 ,  H01L23/5329 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

Abstract: 阵列基板(11b)具备：栅极配线(19)；TFT(17)，其具有栅极电极(17a)、沟道部(17d)、源极部(17b)及漏极部(17c)，栅极电极(17a)包括栅极配线(19)的一部分，沟道部(17d)包括氧化物半导体膜(24)，源极部(17b)连接到沟道部(17d)的一端侧，漏极部(17c)连接到沟道部(17d)的另一端侧，且包括与沟道部(17d)相比电阻较低的氧化物半导体膜(24)；像素电极(18)，其连接到漏极部(17c)；像素PX，其具有TFT(17)和像素电极(18)；以及第2层间绝缘膜(27)，其与像素电极(18)和漏极部(17c)重叠并且在不与栅极电极(17a)重叠的位置形成有第2开口部(27a)。