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公开(公告)号：CN100566053C
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200710305152.2
申请日：2007-10-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 国政文枝
CPC classification number: H01S5/22 , H01L24/32 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/0425
Abstract: 本发明涉及半导体激光装置和电子设备。提供一种能够减小半导体激光元件产生的应力而实现长寿命化的半导体激光装置。根据该半导体激光装置，焊料层(114)不存在于第一区域(R1)，该第一区域(R1)是从发光区域(150)的中心线(J1)到朝向正交方向X的两侧离开规定尺寸(L1)处的区域。即，发光区域(150)所存在的第一区域(R1)成为半导体激光元件(100)的焊料层(114)与散热器(200)的非完全粘接区域。因此，能够减小工作时由于半导体激光元件(100)、焊料层(114)和散热器(200)的热膨胀系数的不同而施加给发光区域(150)的应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100364189C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510006197.0
申请日：2005-01-31
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0425 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02476 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S2301/173
Abstract: 一种半导体激光器，其具有：衬底；至少具有活性层的层积体；上述层积体上的脊带部；设于上述脊带部的侧面以及上述脊带部的横侧的上述层积体的上面的电流阻止层；覆盖上述脊带部的上面以及上述电流阻止层的镀敷金属层。该镀敷金属层的脊带部的两侧的层厚比脊带部的上方的层厚厚，厚出大致相当于脊带部的高度的量，因此，镀敷金属层的上面是大致平坦的。
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公开(公告)号：CN1525611A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：CN200410007604.5
申请日：2004-02-26
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/16
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436
Abstract: 一种由以AlGaInP为基的材料制作的半导体激光器件，包括：形成在半导体衬底上面的一个第一导电类型的第一覆盖层，一个有源层和一个第二导电类型的第二覆盖层，其中在靠近激光谐振器端面的区域中的所述有源层的一部分，在光致发光中具有的峰值波长小于在激光谐振器内部区域中的所述有源层的一部分中的光致发光峰值波长，而位于靠近激光谐振器端面的区域中的第二导电类型的第二覆盖层含有As原子，以及该半导体激光器件的一种制作方法。
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公开(公告)号：CN1301578C
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且在垂直于半导体基底表面的方向上，窗口区域中的光强分布要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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公开(公告)号：CN1851991A
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200610077737.9
申请日：2006-04-24
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 国政文枝
CPC classification number: H01S5/2231 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/024 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/2214
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器。为了避免产生COD，在主体的发光端面附近的部分改善了散热性。具有用于发射激光的发光端面(150a)的主体(150)形成于半导体衬底，n型GaAs半导体衬底上。沿腔方向上，形成在主体(150)上发光端面(150a)附近的镀覆金属层(112)的前端部分(112a)的厚度比镀覆金属层(112)的中心部分(112b)的厚度厚。
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公开(公告)号：CN1601833A
公开(公告)日：2005-03-30
申请号：CN200410085120.2
申请日：2004-09-27
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2206 , H01S5/2231 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/173 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供了一种半导体激光器，包括按照该顺序形成在半导体基底上的一下包层，一具有至少一个量子阱层的有源层，以及一上包层，所述半导体激光器具有一窗口区域，该区域包括一所述有源层中量子阱层和与有源层相邻的层在垂直于半导体基底表面的发光端面附近被混合的部分，其中下包层具有一比上包层高的折射率，并且窗口区域中的光强分布在垂直于半导体基底表面的方向上要比在增益区域中的光强分布扩展得更宽，同时还提供了制造该半导体激光器的方法。
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