公开(公告)号：CN103403849A

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN201280010742.1

申请日：2012-02-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本光伸

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/26 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969

Abstract: 制造一种半导体装置，该半导体装置包括：半导体层；分别与该半导体层重叠的多个电极部；和配置在该多个电极部中的各个电极部彼此之间且与上述半导体层重叠的绝缘膜。该制造方法包括：形成一部分被绝缘膜覆盖的氧化物半导体层的工序；形成覆盖氧化物半导体层和绝缘膜的导电性材料层的工序；通过光刻和等离子体干式蚀刻从导电性材料层形成多个电极部，由此使氧化物半导体层的一部分从多个电极部和绝缘膜露出的工序；和通过除去从多个电极部和绝缘膜露出的氧化物半导体层的一部分而形成半导体层的工序。

公开(公告)号：CN104205341B

公开(公告)日：2017-04-05

申请号：CN201380018474.2

申请日：2013-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 伊东一笃 ,  高丸泰 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/41 ,  H01L29/417

CPC classification number: H01L27/124 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76823 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 半导体器件(100)具备：栅极电极(3)；栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含第一半导体区域(51)和第一导电体区域(55)，第一半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；源极电极(6s)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成；漏极电极(6d)，其以与氧化物层(50)的第一半导体区域(51)的上表面接触的方式形成，且与第一导电体区域(55)电连接；和导电层(60)，其与氧化物层(50)的上表面接触地形成，且具有多个开口部(66)或缺口部，氧化物层(50)包含在导电层的多个开口部内或缺口部内具有表面的多个第二导电体区域(57、58)。

公开(公告)号：CN103403849B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201280010742.1

申请日：2012-02-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本光伸

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/26 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66969

Abstract: 制造一种半导体装置，该半导体装置包括：半导体层；分别与该半导体层重叠的多个电极部；和配置在该多个电极部中的各个电极部彼此之间且与上述半导体层重叠的绝缘膜。该制造方法包括：形成一部分被绝缘膜覆盖的氧化物半导体层的工序；形成覆盖氧化物半导体层和绝缘膜的导电性材料层的工序；通过光刻和等离子体干式蚀刻从导电性材料层形成多个电极部，由此使氧化物半导体层的一部分从多个电极部和绝缘膜露出的工序；和通过除去从多个电极部和绝缘膜露出的氧化物半导体层的一部分而形成半导体层的工序。

公开(公告)号：CN104170069B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201380014079.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/134381 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。

公开(公告)号：CN104380474A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201380033025.5

申请日：2013-06-12

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 内田诚一 ,  小川康行 ,  宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  高丸泰 ,  中泽淳 ,  宫本光伸

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体装置(100A)具有：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的层间绝缘层(8a)；和在层间绝缘层(8a)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着层间绝缘层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。

公开(公告)号：CN104247031A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380021447.0

申请日：2013-04-22

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 高丸泰 ,  伊东一笃 ,  宫本忠芳 ,  宫本光伸 ,  中泽淳 ,  小川康行 ,  内田诚一 ,  森重恭

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/425 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)具备：包括半导体区域(5)和与半导体区域接触的导体区域(7)的氧化物层(15)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极上形成的绝缘层(11)；以隔着绝缘层与导体区域的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)；与源极电极由相同的导电膜形成的源极配线(6a)；和与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极引绕配线(3a)。源极配线通过与透明电极由相同的导电膜形成的透明连接层(9a)，与栅极引绕配线电连接。

公开(公告)号：CN104170069A

公开(公告)日：2014-11-26

申请号：CN201380014079.7

申请日：2013-03-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  宫本光伸 ,  高丸泰

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2001/134381 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/44 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606

Abstract: 半导体器件(100A)具备：栅极电极(3)和栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，其形成在栅极绝缘层(4)之上，包含半导体区域(51)和与半导体区域(51)接触的第一导电体区域(55)，半导体区域(51)的至少一部分隔着栅极绝缘层(4)与栅极电极(3)重叠；覆盖半导体区域(51)的上表面的保护层(8b)；与半导体区域(51)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；和以隔着电介质层与第一导电体区域(55)的至少一部分重叠的方式配置的透明电极(9)，漏极电极(6d)与第一导电体区域(55)接触，在从基板的法线方向看时，保护层(8b)的端部与漏极电极(6d)的端部、源极电极(6s)的端部或栅极电极(3)的端部大致对齐，半导体区域(51)与第一导电体区域(55)的边界的至少一部分，与保护层(8b)的端部大致对齐。

公开(公告)号：CN104081507A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201380007575.X

申请日：2013-01-24

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 宫本忠芳 ,  伊东一笃 ,  森重恭 ,  宫本光伸 ,  小川康行 ,  中泽淳 ,  内田诚一 ,  松尾拓哉

IPC: H01L21/336 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/4908 ,  H01L21/441 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。