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公开(公告)号：CN104396019B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201380032605.2
申请日：2013-06-11
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336
Abstract: TFT基板(100A)还具有：在基板(1)上形成的与栅极电极(3)由相同的导电膜形成的栅极连接层(3a)或与第一透明电极(2)由相同的导电膜形成的透明连接层(2a)；在绝缘层(4)上形成的包含至少1个导体区域(5a)的氧化物层(5z)；和在氧化物层(5z)上形成的与源极电极(6s)由相同的导电膜形成的源极连接层(6a)，源极连接层(6a)经由至少1个导体区域(5a)与栅极连接层(3a)或透明连接层(2a)电连接。
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公开(公告)号：CN104081507B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380007575.X
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L21/441 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L27/3262 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/7869
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8)；和在电介质层(8)上形成的第二透明电极(9)。第一透明电极(7)的上表面和下表面中的至少一个与具有将氧化物半导体层(5)所含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(8a)接触。第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。(2)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导
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公开(公告)号：CN104205310B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201380018493.5
申请日：2013-04-01
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/66969 , H01L29/78606
Abstract: 半导体装置(100A)具有：在基板(2)之上形成的栅极电极(3)；在栅极电极之上形成的栅极绝缘层(4)；氧化物层(50)，该氧化物层(50)形成在栅极绝缘层之上，包含半导体区域(51)和导电体区域(55)；与半导体区域电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；在源极电极和漏极电极之上形成的保护层(11)；和在保护层之上形成的透明电极(9)。透明电极的至少一部分隔着保护层与导电体区域重叠，导电体区域的上表面与具有使氧化物层中包含的氧化物半导体还原的性质的还原绝缘层(61)接触。还原绝缘层不与半导体区域的沟道区域接触。
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公开(公告)号：CN105793773A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201480065932.2
申请日：2014-11-28
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1368 , G02F1/133 , G09F9/30 , G09F9/35 , G09G3/36
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/1339 , G02F1/134309 , G02F1/136213 , G02F1/1368 , G02F2001/133388 , G02F2201/123 , G02F2202/10 , G09G3/3648 , G09G2320/0219 , G09G2320/0247
Abstract: 本发明的液晶面板(100)包括：一对基板(10、30)；保持在一对基板间的液晶层(40)；和以包围液晶层的方式设置的密封件(42)，多个像素(P1、P2)在由密封件包围的区域中形成为矩阵状，多个像素分别包括：设置于一个基板(10)的氧化物半导体TFT(5)；和与设置于一个基板的氧化物半导体TFT连接的像素电极(19)，在氧化物半导体TFT从导通状态切换为截止状态时，使用像素电极施加于液晶层的电压，向负方向电平位移馈通电压(ΔVd)的量，多个像素中的第一像素(P1)的馈通电压(ΔVd1)小于与第一像素相比位于离密封件更远的位置的第二像素(P2)的馈通电压(ΔVd2)。
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公开(公告)号：CN104094386A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007483.1
申请日：2013-01-24
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66969 , G02F1/136213 , G02F2001/134372 , G02F2201/40 , G02F2201/50 , H01L21/02565 , H01L21/44 , H01L23/564 , H01L27/1225 , H01L27/127 , H01L29/45 , H01L29/7869 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L29/4908 , H01L29/78693
Abstract: 半导体装置(100A)包括：基板(2)；在基板(2)上形成的栅极电极(3)；在栅极电极(3)上形成的栅极绝缘层(4)；在栅极绝缘层(4)上形成的氧化物半导体层(5)；与氧化物半导体层(5)电连接的源极电极(6s)和漏极电极(6d)；与漏极电极(6d)电连接的第一透明电极(7)；包括在源极电极(6s)和漏极电极(6d)上形成的电介质层(8a)的层间绝缘层(8)；和在层间绝缘层(8)上形成的第二透明电极(9)，第二透明电极(9)的至少一部分隔着电介质层(8a)与第一透明电极(7)重叠，氧化物半导体层(5)和第一透明电极(7)由相同的氧化物膜形成。
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公开(公告)号：CN103765494A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201280041110.1
申请日：2012-06-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/1368 , H01L27/1251 , H01L27/127
Abstract: 本发明的显示装置具备电路基板、像素驱动用TFT和驱动电路用TFT，其中，电路基板具有显示区域和非显示区域，像素驱动用TFT形成在显示区域中，用于驱动像素，具有：在绝缘膜上相互分隔地配置的源极电极和漏极电极；和由氧化物半导体形成的第一有源层，该第一有源层设置成从与绝缘膜相反的一侧覆盖源极电极与漏极电极之间的分隔部和与分隔部相邻的源极电极的一部分和漏极电极的一部分，驱动电路用TFT形成在非显示区域中，具有由非氧化物半导体形成的第二有源层，用于驱动像素驱动用TFT。
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公开(公告)号：CN116547734A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202080107749.X
申请日：2020-12-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 宫本忠芳
IPC: G09F9/00
Abstract: 第一TFT(9A)包括：由多晶硅形成的第一半导体层(15a)；设置在第一半导体层(15a)之上的栅极绝缘膜(16a)；设置在栅极绝缘膜(16a)之上的第三半导体层(17a)；和设置在第三半导体层(17a)之上的第一栅极(18a)，第二TFT(9B)包括：由氧化物半导体形成的第二半导体层(17b)；和分别设置在第二半导体层(17b)的第三导体区域(17ba)和第四导体区域(17bb)之上的第一金属层(18ba)和第二金属层(18bb)。
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公开(公告)号：CN109473071B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201811038918.X
申请日：2018-09-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 提供具备包含能具有高的驱动力的TFT的多路分配电路的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备包含DMX电路用TFT的多路分配电路，各DMX电路用TFT具有由多个控制信号干线ASW、BSW中的1个控制信号干线供应控制信号的前栅电极(FG)和被供应与控制信号不同的背栅信号的背栅电极(BG)，与一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T1a、T1b)的背栅电极连接到供应第1背栅信号的第1背栅信号干线(BGL(1))，与另一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T2a、T2b)的背栅电极连接到供应与第1背栅信号不同的第2背栅信号的第2背栅信号干线(BGL(2))。
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公开(公告)号：CN109473071A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811038918.X
申请日：2018-09-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G09G3/36
Abstract: 提供具备包含能具有高的驱动力的TFT的多路分配电路的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备包含DMX电路用TFT的多路分配电路，各DMX电路用TFT具有由多个控制信号干线ASW、BSW中的1个控制信号干线供应控制信号的前栅电极(FG)和被供应与控制信号不同的背栅信号的背栅电极(BG)，与一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T1a、T1b)的背栅电极连接到供应第1背栅信号的第1背栅信号干线(BGL(1))，与另一部分源极总线连接的DMX电路用TFT(T2a、T2b)的背栅电极连接到供应与第1背栅信号不同的第2背栅信号的第2背栅信号干线(BGL(2))。
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公开(公告)号：CN107636840A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680032280.1
申请日：2016-06-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L27/146
Abstract: 本发明使有源矩阵基板的布线的电阻变小。有源矩阵基板，具备：基板31、配置于基板31且于第一方向延伸的多条栅极线Gj、配置于基板31且于与第一方向不同的第二方向延伸的多条源极线Si、与栅极线和源极线Si的各交点对应地配置且与栅极线Gj及源极线Si连接的晶体管2、绝缘层、及扩张导电膜51、52、61。栅极线Gj及源极线Si的至少一方，通过设置在绝缘层的接触孔与扩张导电膜连接并成为层压构造。
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