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公开(公告)号：CN101771124B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN200910265655.0
申请日：2009-12-28
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/20
CPC classification number: H01L33/007 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L33/22
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件。在氮化物半导体发光元件中，透光衬底(1)具有上表面，至少包括发光层(5)的氮化物半导体层形成在该上表面上。凹部区域和凸部区域形成在透光衬底(1)的上表面上。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域之一通过具有至少一个顶点的多边形形成，该至少一个顶点具有180°或更大的内角。在从平面图看时，每个凹部区域和每个凸部区域中的另一个形成为彼此不连成直线。具有这种构造的氮化物半导体发光元件具有优良的光提取效率并可以以适中的成本制造。
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公开(公告)号：CN103451725A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310216533.9
申请日：2013-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法。该气相生长装置具有：用来在基板上形成膜的反应室；设置于反应室的内部，并且用来保持基板的基板保持部；顶板，其设置在被基板保持部保持的基板和与基板相向的反应室的内壁面之间，用来向基板上输送提供到反应室内部的原料气体；温度控制部，其通过控制在与顶板相向的反应室的内壁面与顶板之间流动的第一气体的流量，将在基板上形成膜时的顶板的温度保持为一定。
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公开(公告)号：CN101645482B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910165303.8
申请日：2009-08-05
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/387 , H01L33/42 , H01L2933/0016
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光元件及其制造方法，其中，该氮化物半导体发光元件依次包括：由电介体构成的反射层、透明导电层、p型氮化物半导体层、发光层以及n型氮化物半导体层。透明导电层优选由导电性金属氧化物或n型氮化物半导体构成，由电介体构成的反射层优选具有高折射率电介体构成的层与低折射率电介体构成的层交互叠层而成的叠层结构。
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公开(公告)号：CN101916803A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010243743.3
申请日：2006-04-21
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/12
CPC classification number: H01L33/007 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/12 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04
Abstract: 本发明公开了一种制造氮化物基半导体器件的方法，该方法包括如下步骤：于第一衬底温度在衬底(1；11；21；31；41)上生长InxAlyGa1-x-yN(0≤x，0≤y，x+y＜1)缓冲层(2；12；22；32；42)，和于第二衬底温度在所述缓冲层上生长第一导电类型氮化物基半导体层(4；14；24；34；44)。第一衬底温度高于第二衬底温度。
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公开(公告)号：CN101431141A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810184216.2
申请日：2008-09-16
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件，该氮化物半导体发光器件依次序包括第一n型氮化物半导体层，发光层，p型氮化物半导体层，以及第二n型氮化物半导体层，并且还包括在第二n型氮化物半导体层上的由透明导电膜形成的电极。该氮化物半导体发光器件具有改善了的光取出效率。由透明导电膜形成的电极优选地形成在第二n型氮化物半导体层的一部分表面上。
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公开(公告)号：CN101123291A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141166.5
申请日：2007-08-13
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0075 , H01L21/027 , H01L21/28 , H01L21/78 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体发光装置，该氮化物半导体发光装置依次包括导电衬底、第一金属层、第二导电类型的半导体层、发射层、以及第一导电类型的半导体层。该氮化物半导体发光装置附加地具有至少覆盖第二导电类型半导体层、发射层、以及第一导电类型半导体层的侧面的绝缘层。本发明提供了一种氮化物半导体发光装置的制造方法。该氮化物半导体发光装置可进一步包括第二金属层。因此，本发明提供了一种可靠的氮化物半导体发光装置及其制造方法，其中与常规示例相比，PN结部分处的短路以及电流泄漏减小。
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公开(公告)号：CN100364125C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200510063803.2
申请日：2005-04-07
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 笔田麻佑子
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/382 , H01L33/20 , H01L33/405
Abstract: 提供了一种发光氮化物半导体器件，其包括：一衬底(1)，覆盖所述衬底(1)的具有第一导电性的半导体层(2)，覆盖具有所述第一导电性的所述半导体层(2)的发光层(3)，覆盖所述发光层(3)的具有第二导电性的半导体层(4)，以及至少覆盖具有所述第二导电性的所述半导体层的第二电极(5)，其中，所述第二电极对主发光波长具有高反射率，并且所述发光器件使光主要在其侧面得到提取。
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公开(公告)号：CN103451725B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201310216533.9
申请日：2013-06-03
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明提供一种气相生长装置及氮化物半导体发光元件的制造方法。该气相生长装置具有：用来在基板上形成膜的反应室；设置于反应室的内部，并且用来保持基板的基板保持部；顶板，其设置在被基板保持部保持的基板和与基板相向的反应室的内壁面之间，用来向基板上输送提供到反应室内部的原料气体；温度控制部，其通过控制在与顶板相向的反应室的内壁面与顶板之间流动的第一气体的流量，将在基板上形成膜时的顶板的温度保持为一定。
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公开(公告)号：CN102859723B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201180019641.6
申请日：2011-02-17
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L33/32
CPC classification number: H01L33/32 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L33/12 , H01L33/20
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法，氮化物半导体发光元件（100）在氮化物半导体活性层（107）上依次包括：第一p型氮化物半导体层（108）、第二p型氮化物半导体层（109）、第三p型氮化物半导体层（110），第一p型氮化物半导体层（108）及第二p型氮化物半导体层（109）分别含有Al，第一p型氮化物半导体层（108）的平均Al组分与第二p型氮化物半导体层（109）的平均Al组分相同，第三p型氮化物半导体层（110）的带隙小于第二p型氮化物半导体层（109）的带隙，第二p型氮化物半导体层（109）的p型杂质浓度及第三p型氮化物半导体层（110）的p型杂质浓度分别低于第一p型氮化物半导体层（108）的p型杂质浓度。
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