蒸镀掩模及其前体、以及有机半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN110344003A

    公开(公告)日:2019-10-18

    申请号:CN201910716987.X

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明提供可以在满足高精细化和轻量化二者的同时,还能够正确地对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常进行确认的蒸镀掩模、用于得到该蒸镀掩模的蒸镀掩模前体、以及具备该蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模,还提供使用了该带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法。蒸镀掩模(100)是将形成有缝隙(15)的金属掩模(10)和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部(25)的树脂掩模(20)叠层而成的,并且使用波长550nm的光线透射率为40%以下的树脂掩模,由此解决上述课题。

    蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、蒸镀掩模前体及有机半导体元件的制造方法

    公开(公告)号:CN106536784A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201580022365.7

    申请日:2015-05-29

    Abstract: 本发明提供可以在满足高精细化和轻量化二者的同时,还能够正确地对形成于树脂掩模开口部的形状图案是否正常进行确认的蒸镀掩模、用于得到该蒸镀掩模的蒸镀掩模前体、以及具备该蒸镀掩模的带框架的蒸镀掩模,还提供使用了该带框架的蒸镀掩模的有机半导体元件的制造方法。蒸镀掩模(100)是将形成有缝隙(15)的金属掩模(10)和在与该缝隙重合的位置形成有与蒸镀制作的图案对应的开口部(25)的树脂掩模射率为40%以下的树脂掩模,由此解决上述课题。(20)叠层而成的,并且使用波长550nm的光线透

    一种蒸镀掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN115110027A

    公开(公告)日:2022-09-27

    申请号:CN202210638781.1

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 本发明提供一种蒸镀掩模,其在树脂掩模(20)上设置有金属层(10),其中,上述树脂掩模(20)具有为了形成蒸镀图案所必要的开口部(25),树脂掩模(20)含有树脂材料,金属层(10)含有金属材料,将树脂材料的玻璃化转变温度(Tg)加上100℃而得到的温度设为上限温度时,在以线性膨胀的比例为纵轴、以温度为横轴的线性膨胀曲线中,用树脂掩模(20)的线性膨胀曲线在温度25℃~上限温度的范围内的积分值除以金属层(10)的线性膨胀曲线在温度25℃~上限温度的范围内的积分值而得到的值在0.55以上且1.45以下的范围内。

    一种蒸镀掩模及其制造方法

    公开(公告)号:CN111886357B

    公开(公告)日:2022-06-21

    申请号:CN201980019365.X

    申请日:2019-03-20

    Abstract: 本发明提供一种蒸镀掩模,其在树脂掩模(20)上设置有金属层(10),其中,上述树脂掩模(20)具有为了形成蒸镀图案所必要的开口部(25),树脂掩模(20)含有树脂材料,金属层(10)含有金属材料,将树脂材料的玻璃化转变温度(Tg)加上100℃而得到的温度设为上限温度时,在以线性膨胀的比例为纵轴、以温度为横轴的线性膨胀曲线中,用树脂掩模(20)的线性膨胀曲线在温度25℃~上限温度的范围内的积分值除以金属层(10)的线性膨胀曲线在温度25℃~上限温度的范围内的积分值而得到的值在0.55以上且1.45以下的范围内。

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