公开(公告)号：CN217822778U

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202221033765.1

申请日：2022-04-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  意法半导体有限公司

Inventor： R·蒂齐亚尼 ,  L·埃拉尔

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开的实施例涉及电子器件。一种电子器件，其特征在于，包括：衬底，具有在其上被图案化的导电轨道；半导体芯片，被布置在所述衬底上，其中所述半导体芯片被电耦合到所述导电轨道中的选择导电轨道；容纳结构，在所述导电轨道上的选择位置处，其中每个容纳结构具有限定腔体的周界壁，所述腔体具有被配置为容纳引脚保持件的基部的尺寸和形状；以及引脚保持件，被焊接在由所述导电轨道上的所述容纳结构限定的所述腔体内。本公开的一个或多个实施例可以有助于更准确地定位提供在用于电源设备的功率基板上的导电引脚。

公开(公告)号：CN217507315U

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202123181461.8

申请日：2021-12-17

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉 ,  R·蒂齐亚尼

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56

Abstract: 公开半导体器件和引线框。引线框包括导电结构的图案，其中一个或多个牺牲连接结构在一对导电结构之间桥式延伸。牺牲连接结构或多个牺牲连接结构形成在引线框的第一表面和第二表面之一处，并且在第一表面和第二表面之间具有小于引线框厚度的厚度。在引线框的导电结构之间模塑电绝缘材料的填充物，其中在连接结构和引线框的另一表面之间模塑电绝缘材料。在引线框的形成和预模塑过程中，牺牲连接结构抵消了部件的变形和位移。本实用新型的技术提供了具有改进性能的半导体器件以及引线框。

公开(公告)号：CN215933531U

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202120599518.7

申请日：2021-03-24

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·蒂齐亚尼 ,  G·卡塔拉诺

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，其特征在于，包括：在至少一个半导体管芯上的激光直接构造材料，激光直接构造材料至少部分地包封至少一个半导体管芯；激光束激活的导电构件的图案，导电构件在激光直接构造材料中被构造；以及在激光直接构造材料中被构造的导电构件上的导电材料，其中导电材料在导电构件上，导电材料具有邻接导电构件的横向限制表面。利用本公开的实施例，可以获得防止铜(Cu)在电镀工艺中横向生长的导电构件。

公开(公告)号：CN215220709U

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202023032130.3

申请日：2020-12-16

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·德赖 ,  R·蒂齐亚尼

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开的各实施例涉及半导体器件。一种半导体器件，包括至少一个半导体裸片，被电耦合到一组导电引线，以及封装成型材料，成型在至少一个半导体裸片和导电引线之上。导电引线的至少一部分在封装成型材料的后表面处被暴露，以提供导电焊盘。该导电焊盘包括放大的端部，放大的端部至少部分地在封装成型材料之上延伸并且被配置用于耦合到印刷电路板。根据本公开的实施例，提供了改进的半导体器件。

公开(公告)号：CN218333789U

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202221983339.4

申请日：2022-07-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： M·马佐拉 ,  R·蒂齐亚尼

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及衬底和半导体器件。衬底，包括：雕刻式导电层状结构，在雕刻式导电层状结构中具有空间，其中雕刻式导电层状结构具有第一厚度并且包括至少一个管芯焊盘，至少一个管芯焊盘具有被配置为安装半导体芯片的第一管芯焊盘表面和与第一管芯焊盘表面相对的第二管芯焊盘表面；至少一个柱形成件，从第二管芯焊盘表面突出；以及绝缘预模制材料层，被模制到层状结构上，其中预模制材料层穿透到空间中以提供层状预模制衬底，层状预模制衬底在前表面与后表面之间具有第一厚度并且包括由预模制材料层在前表面处留下暴露的第一管芯焊盘表面利用本公开的实施例有效地抵消表面上的预模制材料层的不期望的飞边，从而导致管芯焊盘的较清洁表面。

公开(公告)号：CN217983268U

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202221341388.8

申请日：2022-05-31

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·蒂齐亚尼 ,  A·贝利齐

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/495

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体器件。半导体芯片布置在细长衬底上并被绝缘封装件封装。使用例如激光直接成型(LDS)或直接铜互连(DCI)材料将导电形成物和导电电镀线电镀在绝缘封装件上。导电电镀线包括第一横向电镀线以及从第一电镀线向导电形成物分支的第二电镀线。然后执行第一部分切割步骤以形成去除第一电镀线的凹槽。绝缘材料被分配在凹槽中以封装第二电镀线的端部部分。执行在中间沿着凹槽并且穿过细长衬底的第二切割步骤以生产单片化的半导体器件(诸如“管芯焊盘朝上”方形扁平无引线(QFN)封装件)。第二电镀线的端部部分由绝缘材料封装。本实用新型的实施例提供了半导体器件封装件的侧壁处的电镀线的暴露问题的改进。

公开(公告)号：CN216871961U

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN202122404911.9

申请日：2021-09-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·蒂齐亚尼

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

Abstract: 根据本公开的各实施例涉及半导体装置。封装半导体装置包括基板，基板具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对。至少一个半导体裸片被安装在基板的第一表面处。导电引线被布置在基板周围，并且导电结构将至少一个半导体裸片耦合到导电引线的被选择的引线。封装模制材料被模制到至少一个半导体裸片上、导电引线上和导电结构上。封装模制材料使基板的第二表面未被封装模制材料覆盖。基板由电绝缘材料层形成。根据本公开的实施例可以带来更小和/或更便宜的封装。

公开(公告)号：CN216624256U

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202122638056.8

申请日：2021-10-29

Applicant: 意法半导体股份有限公司 ,  深圳赛意法微电子有限公司

Inventor： 梁一鸣 ,  R·蒂齐亚尼 ,  刘谦 ,  丁锋

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L23/13 ,  H01L23/14 ,  H01L23/31 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及半导体封装和电子设备。例如，该半导体封装可以包括第一基板组件，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。该半导体封装还可以包括一个或多个芯片，通过第一导热连接材料被接合至第一基板组件的第一表面。此外，该半导体封装还可以包括第二基板组件，包括第三表面和与第三表面相对的第四表面，第三表面与第一表面被设置为彼此面对，并且第三表面通过第二导热连接材料被接合至一个或多个芯片。其中第一表面与第三表面中的至少一个表面被成型为具有台阶图案，以与一个或多个芯片的表面相配合。本公开的实施例至少能够简化双面散热结构，改善芯片散热效果。

公开(公告)号：CN214505480U

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202023092967.7

申请日：2020-12-21

Applicant: 意法半导体股份有限公司

Inventor： R·蒂齐亚尼 ,  M·马佐拉

IPC: H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 本公开的实施例涉及引线框架以及半导体产品。一种用于半导体器件的引线框架，该引线框架包括裸片焊盘部分，裸片焊盘部分具有第一平面裸片安装表面和与第一表面相对的第二平面表面，第一表面和第二表面具有共同限定裸片焊盘的外围轮廓的面对的外围边缘，其中该裸片焊盘包括至少一个封装模塑化合物接纳开口，该至少一个封装模塑化合物接纳开口在所述第一平面表面的外围处。利用本公开的实施例，促进了裸片焊盘到模塑化合物的经改善锚定。