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公开(公告)号：CN106233207B
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201580021424.9
申请日：2015-04-14
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 本发明提供可以形成密合性优异的所期望的抗蚀剂图案、用于形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法为一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：在聚合物链的末端具有下述式(1)或式(2)所示的结构的聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物以及有机溶剂。(式中，R1表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基、苯基、吡啶基、卤代基或羟基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基、羟基、卤代基或‑C(＝O)O‑X所示的酯基，X表示可以具有取代基的碳原子数1～6的烷基，R3表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或卤代基，R4表示直接结合、或碳原子数1～8的二价有机基团，R5表示碳原子数1～8的二价有机基团，A表示芳香族环或芳香族杂环，t表示0或1，u表示1或2。)。
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公开(公告)号：CN104937493B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201480005361.3
申请日：2014-01-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时阻断不优选的曝光光，例如UV、DUV而仅选择性透射EUV，此外曝光后能够用显影液显影的半导体装置的制造工序中的光刻工艺所使用的抗蚀剂上层膜形成用组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种抗蚀剂上层膜形成用组合物，其包含聚合物、和作为溶剂的可以被取代的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物包含：由碳原子数1～10的饱和烷基构成且其氢原子的一部分或全部被氟原子取代的有机基团。
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公开(公告)号：CN103907060B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201280051419.9
申请日：2012-10-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F20/36 , C08F220/36
CPC classification number: H01L21/3081 , C08F8/14 , C08F20/36 , C08F220/32 , C08F220/36 , G03F7/11 , H01L21/0271 , C08F2220/325 , C08F220/24
Abstract: 本发明的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本发明课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。
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公开(公告)号：CN106030408A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008682.3
申请日：2015-02-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F220/06 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题在于提供半导体装置的制造工序中的光刻工艺所使用的抗蚀剂上层膜形成用组合物，所述组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时阻断不理想的曝光用光、例如UV、DUV而仅选择性透射EUV，此外曝光后能够用显影液显影。该抗蚀剂上层膜形成用组合物包含聚合物(P)和作为溶剂的碳原子数8～16的醚化合物，所述聚合物(P)含有下述式(1)及式(2)所示的单元结构、且利用凝胶渗透色谱法测得的重均分子量为500～2,000。
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公开(公告)号：CN105579909B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201480052938.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供新的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构。(式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，前述R1、R2和R3中至少1个表示前述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与前述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可以具有碳原子数1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基。)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103649835B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201280035179.3
申请日：2012-07-31
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G61/12 , C08G73/06 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/3081 , C08G73/06 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供用于使用了EUV光刻的器件制作工序，降低由EUV带来的不良影响，对获得良好的抗蚀剂图案有效的EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物，以及使用该EUV光刻用抗蚀剂下层膜组合物的抗蚀剂图案形成法。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式(1)：(式中，A1、A2、A3、A4、A5和A6各自表示氢原子、甲基或乙基，X1表示式(2)、式(3)、式(4)或式(0)，Q表示式(5)或式(6))所示的重复单元结构的聚合物、和溶剂。包含具有式(1)所示的重复单元结构的聚合物、交联性化合物和溶剂的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。
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公开(公告)号：CN104303107B
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201380023663.9
申请日：2013-04-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/091 , C08G63/00 , C08G63/6856 , C08G73/101 , C09D167/00 , C09D167/02 , C09D175/12 , G03F7/11 , G03F7/2037 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3085 , H01L21/3086
Abstract: 本发明的课题是提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述抗蚀剂下层膜能够提高与抗蚀剂图案之间的附着性。解决手段是一种用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其含有聚合物和有机溶剂，所述聚合物在末端具有下述式(1a)、式(1b)或式(2)所表示的结构。式中，R1表示氢原子或甲基，R2和R3分别独立地表示氢原子或烃基等有机基团，所述烃基可以具有至少1个羟基或甲基硫基作为取代基，R4表示氢原子或羟基，Q1表示亚芳基，v表示0或1，y表示1～4的整数，w表示1～4的整数，x1表示0或1，x2表示1～5的整数。
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公开(公告)号：CN105579909A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201480052938.6
申请日：2014-09-22
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供新的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法是一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含聚合物、交联剂、促进交联反应的化合物和有机溶剂，所述聚合物在聚合物链的末端具有下述式(1)所表示的结构。(式(1)中，R1、R2和R3分别独立地表示氢原子、碳原子数1～13的直链状或支链状的烷基、卤代基或羟基，前述R1、R2和R3中至少1个表示前述烷基，Ar表示苯环、萘环或蒽环，2个羰基分别与前述Ar所表示的环的相邻的2个碳原子结合，X表示可以具有碳原子数1～3的烷氧基作为取代基的碳原子数1～6的直链状或支链状的烷基)。
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公开(公告)号：CN103907060A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201280051419.9
申请日：2012-10-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F20/36 , C08F220/36
CPC classification number: H01L21/3081 , C08F8/14 , C08F20/36 , C08F220/32 , C08F220/36 , G03F7/11 , H01L21/0271 , C08F2220/325 , C08F220/24
Abstract: 本发明的课题是使抗蚀剂下层膜上所形成的抗蚀剂图案与该抗蚀剂下层膜的密合性增大，此外抑制该抗蚀剂图案的底切形状。作为解决本发明课题的方法涉及由具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物构成的形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂，以及包含树脂粘合剂、有机溶剂和上述形成抗蚀剂下层膜的组合物所用的添加剂的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。(式中，R1表示氢原子或甲基，L表示二价的连接基团，X表示具有被叔丁氧基羰基保护了的氨基或被叔丁氧基羰基保护了的含氮杂环的酰氧基。)。
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公开(公告)号：CN102084301A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200980126339.3
申请日：2009-07-23
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/40 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02282 , C08G77/04 , C08G77/60 , C08L83/04 , G03F7/405 , H01L21/02211 , H01L21/02216 , H01L21/0337 , H01L21/3121 , H01L21/3122
Abstract: 本发明的课题在于得到适合于“反式构图”，用于形成覆盖抗蚀图案的膜的理想涂布组合物。为了解决上述课题，使用含有有机聚硅氧烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和季铵盐或季盐的光刻用涂布组合物，或者使用含有聚硅烷、以规定的有机溶剂为主成分的溶剂和选自交联剂、季铵盐、季盐和磺酸化合物中的至少1种添加剂的光刻用涂布组合物，上述聚硅烷的末端具有硅烷醇基、或该硅烷醇基和氢原子。
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