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公开(公告)号：CN105247693B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201480031293.8
申请日：2014-05-28
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 古池润
IPC: H01L33/22 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L33/20 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L22/12 , H01L33/005 , H01L33/007
Abstract: LED用图案晶片(10)在主面的至少一部分上具备具有实质上n次对称的排列的凹凸结构A(20)，对于凹凸结构A(20)的至少一部分，相对于其主面内的晶轴方向的、凹凸结构A(20)的排列轴A的旋转位移角θ满足0°＜θ≦(180/n)°，且凹凸结构A(20)的凸部顶部为曲率半径超过0的角部。在凹凸结构A(20)上按以下顺序层叠有第一半导体层(30)、发光半导体层(40)以及第二半导体层(50)，构成LED用外延片(100)。能够提供改善了裂缝以及内量子效率IQE的LED用图案晶片以及LED用外延片。
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公开(公告)号：CN104170056B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201380014072.5
申请日：2013-03-11
Applicant: 旭化成株式会社
Inventor： 古池润
IPC: H01L21/027 , B29C33/38 , B29C33/42 , B29C59/02 , B32B3/26
CPC classification number: B29C59/022 , B29C33/3857 , B29C33/424 , B29C71/04 , B29C2059/023 , B29K2027/12 , B29K2883/00 , B29K2995/0077 , B32B3/266 , B32B3/30 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/281 , B32B27/283 , B32B27/325 , B32B27/36 , B32B2264/102 , B32B2264/104 , B32B2307/518 , B32B2315/00 , B32B2457/00 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , Y10T428/24322 , Y10T428/24612 , H01L2924/00
Abstract: 抗蚀剂积层体(30)具备无机基板(21)、设置在无机基板(21)的一侧主面上的第1抗蚀剂层(22)、和设置在第1抗蚀剂层(22)上的表面设置有凹凸结构(23a)的第2抗蚀剂层(23)。凹凸结构(23a)，转印后的残膜的厚度为50nm以下，模具的微细图样的凸部顶部宽度(lcv)与凹部开口宽度(lcc)的比例(lcv/lcc)在规定范围内，模具的微细图样的凹部体积(Vcm)与第2抗蚀剂层(23)的体积(Vr2)的比例(Vr2/Vcm)在规定范围内。无机基板(21)上可以容易地形成具有薄而且均等的残膜的抗蚀剂掩模(25)。
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公开(公告)号：CN104205370B
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201380018450.7
申请日：2013-03-29
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 光学基板(1)在表面设置有凹凸结构(12)，所述凹凸结构(12)包括独立的多个凸部(131～134)以及设置于各凸部(131～134)之间的凹部的平均间隔Pave满足50nm≤Pave≤1500nm，且具有相对于平均凸部高度Have满足0.6Have≥hn≥0的凸部高度hn的凸部(133)以满足1/10000≤Z≤1/5的概率Z存在。若将光学基板(1)用于半导体发光元件中的话，通过使半导体层中的位错分散化并降低位错密度，能够改善内量子效率IQE，且利用光散射消除波导模式来提高光提取效率LEE，提高半导体发光元件的发光效率。(14)。凹凸结构(12)的相邻的凸部(131～134)间
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公开(公告)号：CN114540853B
公开(公告)日：2025-04-01
申请号：CN202210236925.0
申请日：2018-03-22
Applicant: 旭化成株式会社
Abstract: 本发明涉及层积体、电解槽及其制造方法、电极的更新方法、层积体的更新方法以及卷绕体的制造方法。一种层积体，其具有隔膜和固定于所述隔膜的表面的至少1个区域的电解用电极，所述隔膜的表面上，所述区域的比例超过0％且小于93％。
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公开(公告)号：CN103748699B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201280039901.0
申请日：2012-08-30
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L33/22 , C30B29/38 , G03F7/24 , H01L21/027
CPC classification number: H01L33/22 , B29C43/46 , B29C2043/464 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , G03F7/2006 , G03F7/24 , H01L21/0237 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007 , H01L51/5268 , Y10T428/24479
Abstract: 提供一种具有通过减少导体层中的错位缺陷数改善内量子效率IQE、并提高LED的发光效率的微细结构体的光学用基材。光学用基材（1）具有微细结构层（12），所述微细结构层（12）包含由从基材（11）主面向面外方向延伸的多个凸部13）构成的点，微细结构层（12）在基材（11）主面内的第一方向上具有多个点构成以间距Py排列而成的多个点列（13-1～13-N），在基材（11）主面内的与第一方向正交的第二方向上具有多个点以间距Px排列而成的多个点列，间距Py以及间距Px中的任意一方为纳米尺度的固定间隔，另一方
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114411185B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202111638961.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C25B9/23 , C25B9/60 , C25B11/061 , C25B11/063 , C25B11/073 , C25B13/02 , C25B13/08
Abstract: 本发明涉及电解用电极、层积体、卷绕体。一种电解用电极，该电解用电极的基材是包含钛的基材，所述电解用电极的每单位面积的质量为15mg/cm2以下，每单位质量·单位面积所施加的力为0.08N/mg·cm2以上。
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公开(公告)号：CN114411185A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202111638961.1
申请日：2018-03-22
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: C25B9/23 , C25B9/60 , C25B11/061 , C25B11/063 , C25B11/073 , C25B13/02 , C25B13/08
Abstract: 本发明涉及电解用电极、层积体、卷绕体。一种电解用电极，该电解用电极的基材是包含钛的基材，所述电解用电极的每单位面积的质量为15mg/cm2以下，每单位质量·单位面积所施加的力为0.08N/mg·cm2以上。
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公开(公告)号：CN106256015B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201580022071.4
申请日：2015-04-06
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L21/027 , B32B3/28 , B32B33/00
Abstract: 本发明提供将缺陷少的凹凸结构转印赋予被处理体的功能转印体。功能转印体(14)具备表面具有凹凸结构(11)的载体(10)、设置于凹凸结构(11)上的至少1层以上的功能层(12)和设置于功能层(12)的与载体(10)相反的表面上的保护层(13)。功能层(12)包含树脂，并且，保护层(13)的与功能层(12)相接的表面的均方根高度(Rq)，与凹凸结构(11)的凸部(11b)顶部位置至功能层(12)与保护层(13)的界面的距离(t)的比例(Rq/t)为1.41以下。
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公开(公告)号：CN104210046B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201410446835.X
申请日：2012-06-18
Applicant: 旭化成株式会社
CPC classification number: H01L33/58 , B29C33/3842 , B29C33/40 , B29C33/424 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/469 , H01L33/005 , H01L33/20 , H01L2924/0002 , H01L2933/0083 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的在于为了在被处理体上形成高纵横比的微细图案，提供可容易地形成残留膜薄或无残留膜的微细图案的微细图案形成用积层体及微细图案形成用积层体的制造方法。本发明的微细图案形成用积层体(1)是用于在被处理体(200)上介由第1掩模层(103)形成微细图案(220)的微细图案形成用积层体(1)，其特征在于，具备在表面上具有凹凸结构(101a)的模具(101)和在凹凸结构(101a)上设置的第2掩模层(102)，第2掩模层(102)的距离(lcc)及凹凸结构(101a)的高度(h)满足下述式(1)，且距离(lcv)和高度(h)满足下述式(2)。式(1)0
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公开(公告)号：CN106256015A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201580022071.4
申请日：2015-04-06
Applicant: 旭化成株式会社
IPC: H01L21/027 , B32B3/28 , B32B33/00
CPC classification number: B32B3/28 , B32B33/00 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供将缺陷少的凹凸结构转印赋予被处理体的功能转印体。功能转印体(14)具备表面具有凹凸结构(11)的载体(10)、设置于凹凸结构(11)上的至少1层以上的功能层(12)和设置于功能层(12)的与载体(10)相反的表面上的保护层(13)。功能层(12)包含树脂，并且，保护层(13)的与功能层(12)相接的表面的均方根高度(Rq)，与凹凸结构(11)的凸部(11b)顶部位置至功能层t)为1.41以下。(12)与保护层(13)的界面的距离(t)的比例(Rq/
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