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公开(公告)号：CN110660414B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910560274.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
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公开(公告)号：CN110634509A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910505522.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
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公开(公告)号：CN108346437A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810039987.6
申请日：2018-01-16
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/66
Abstract: 一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
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公开(公告)号：CN104347086B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201410351809.9
申请日：2014-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
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公开(公告)号：CN104303232B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201380022551.1
申请日：2013-04-30
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/738 , G11B5/09 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B5/82 , G11B2005/0021
Abstract: 使用一种热辅助磁记录介质(1)，该磁记录介质具备：基板(101)；在基板(101)上形成的基底层(3)；和在基底层(3)的正上方形成的以具有L10结构的合金为主成分的磁性层(107)，基底层(3)是以下的层连续地层叠而成的：第1基底层(104)，其具有晶格常数为0.302nm以上0.332nm以下的BCC结构；第2基底层(105)，其含有C且具有NaCl结构；和第3基底层(106)，其由MgO形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104303230B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201380024906.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B11/10589 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024
Abstract: 一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有：在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含：含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。
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公开(公告)号：CN104347086A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410351809.9
申请日：2014-07-23
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/65 , G11B5/7325 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明提供一种可降低被包含在磁性层中且具有L10结构的合金晶粒的有序度，且可提高SN比的磁记录介质。该磁记录介质，具有：基板、形成在该基板上的多个底层、及将具有L10结构的合金作为主要成份磁性层；所述多个底层中的至少1层为含有Mo的结晶质底层；该含有Mo的结晶质底层将Mo作为主要成份，且含有1mol％～20mol％范围的从Si、C选择的一种以上的元素、或者1vol％～50vol％范围的氧化物；该含有Mo的底层和该磁性层之间形成有具有NaCl型结构的障碍层。
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公开(公告)号：CN104303230A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201380024906.0
申请日：2013-05-10
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/65 , G11B5/653 , G11B5/656 , G11B5/66 , G11B11/10589 , G11B2005/0021 , G11B2005/0024
Abstract: 一种热辅助磁记录介质或微波辅助磁记录介质，具有：在基板(101)上形成的取向控制层(104)、在取向控制层(104)上形成的基底层(10)、和在基底层(10)上形成的以具有L10型晶体结构的合金为主成分的磁性层(108)，基底层(10)包含：含有MgO的具有(100)取向的MgO基底层(107)、和含有选自TaN、NbN、HfN中的至少一种氮化物的具有(100)取向的氮化物基底层(106)。
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公开(公告)号：CN102822892A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180016253.2
申请日：2011-02-03
Applicant: 昭和电工株式会社
CPC classification number: G11B5/7325 , G11B5/314 , G11B5/65 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021
Abstract: 一种热辅助磁记录介质，在具有：基板、形成于该基板上的多个基底层和以具有L10结构的合金为主成分的磁性层的磁记录介质中，所说的基底层的至少一个以MgO为主成分，并且含有选自SiO2、TiO2、Cr2O3、Al2O3、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、MnO、TiO和ZnO中的至少一种氧化物。该热辅助记录介质，具有磁性粒径微细，磁性粒子间的交换耦合充分低，并且矫顽力分散低的特性。
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