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公开(公告)号:CN115812207A
公开(公告)日:2023-03-17
申请号:CN202280005400.4
申请日:2022-01-10
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: G06N3/0464
Abstract: 本文中的各种实施例涉及用于产生半导体制造设备的数字孪生体的系统、方法和媒体。在一些实施例中,提供一种半导体制造设备的处理室的数字孪生体,包括一或多个非暂时性机器可读媒体,所述一或多个非暂时性机器可读媒体包括配置成实施以下的逻辑:处理室的第一位置的第一模型;和处理室的第二位置的第二模型,其中将第一模型耦合到第二模型,且其中第一模型和第二模型是为以下中的一个的模型类型中的每一个:1)AI/ML模型;2)HFS模型;和3)闭式解,且其中第一模型和第二模型各自表示为以下中的一个的一类物理现象:1)热特性;2)等离子体特性;3)流体动力学;4)结构特性;和5)化学反应。
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公开(公告)号:CN113302478A
公开(公告)日:2021-08-24
申请号:CN202080008796.9
申请日:2020-01-10
Applicant: 朗姆研究公司
Abstract: 可利用计算缺陷分析系统对包含电子组件的衬底上的缺陷进行分类,该计算缺陷分析系统可以多个阶段实现。例如,第一阶段分类引擎可处理计量数据以产生缺陷的初始分类。第二阶段分类引擎可利用该初始分类、以及制造信息和/或先验缺陷知识,以输出由一或更多个潜在来源造成缺陷的概率。
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