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公开(公告)号：CN103403892A
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201180068571.3
申请日：2011-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , B82Y20/00 , H01L24/97 , H01L33/501 , H01L33/504 , H01L33/507 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2933/0041 , Y10S977/95 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明的半导体发光装置(1)，具备：封装体，由树脂构成，且具有凹部；引线框架(11)，在凹部的底面露出；半导体发光元件(14)，被设置在凹部内的引线框架(11)；以及荧光体层(15)，被形成为覆盖凹部内的底面；以及树脂层(17)，被形成在荧光体层(15)以及半导体发光元件(14)上，荧光体层(15)，包含按照粒子径而激励荧光谱变化的半导体微粒子，荧光体层(15)，由具有水溶性或水分散性的材料构成。
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公开(公告)号：CN103004181A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180034629.2
申请日：2011-07-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 吉田真治
CPC classification number: H04N5/335 , H01L27/14618 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L31/0264 , H01L2224/48091 , H01L2924/16195 , H04N5/35563 , H04N5/3745 , H04N9/045 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种即使无光圈机构也能够调整光量，在高照度下也能够以大动态范围进行摄像的固体摄像装置。一种具有由具备在半导体基板(20)的表面形成的光电转换部(11)的多个单位像素(1)排列成二维状的摄像区域的固体摄像装置，具备：层间膜(24)，在光电转换部(11)上形成、由介电体构成；光衰减过滤器(16)，在层间膜(24)上以像素部为单位或者以由多个像素部构成的像素块为单位形成，通过施加电压使光的透射率发生变化；以及选择晶体管，在半导体基板(20)内与光衰减过滤器(16)相对应地形成，确保或者阻断向光衰减过滤器(16)的电压施加路径。
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公开(公告)号：CN101399281A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810173816.9
申请日：2004-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像器件，漏电流小，并具有元件分离结构。该固体摄像器件，形成在硅片上，还包括具有与各个像素相对应的摄像区，其中包括具有第1导电型电荷存储区的光电二极管，晶体管和元件隔离部，上述元件隔离部的深度小于其杂质浓度最大的上述第1导电型电荷存储区的深度。
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公开(公告)号：CN1717808A
公开(公告)日：2006-01-04
申请号：CN200480001425.9
申请日：2004-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 固体成像装置包括选择性透射入射光的滤色器。滤色器包括两个λ/4多层膜，和夹在λ/4多层膜之间的绝缘层。在此，每个λ/4多层膜由多个介电层构成，而绝缘层的光学厚度不是λ/4。由于滤色器具有较小厚度，所以固体成像装置具有较小尺寸。
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公开(公告)号：CN103907249B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201280052274.4
申请日：2012-05-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/30 , H01L23/045 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/12044 , H01S5/005 , H01S5/02 , H01S5/02212 , H01S5/02224 , H01S5/02276 , H01S5/02296 , H01S5/024 , H01S5/02469 , H01S5/02492 , H01S5/2224 , H01S5/32341 , H01S5/4018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光装置，其具备：氮化物半导体发光元件(3)；保持氮化物半导体发光元件(3)且以第一金属为主成分的基台(11)；固着于基台(11)的帽(30)；形成于基台(11)的开口部(11c)；通过开口部(11c)的引针(14a、14b)，并且，引针(14a、14b)以从该引针(14a、14b)侧顺次将绝缘构件(18a、18b)和缓冲构件(20a，20b)夹在该引针(14a、14b)与开口部(11c)的内壁之间的方式被固定于开口部(11c)的内壁，绝缘构件(18a、18b)成分中含有硅氧化物。缓冲构件(20a、20b)由比第一金属的标准氧化还原电位小的第二金属或含有该第二金属的合金构成。
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公开(公告)号：CN103650181A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280031639.5
申请日：2012-03-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/50 , H01L33/005 , H01L33/502 , H01L33/507 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/8592 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明抑制量子点荧光体的光氧化，发光装置具备：半导体发光元件(101)；以及荧光部件(130)，接受半导体发光元件(101)的光来发出荧光，荧光部件(130)包括包含因粒径而具有不同的激励荧光谱的树脂(111)以及不使氧透过的树脂(110)，树脂(111)的外周面均由树脂(110)覆盖。
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公开(公告)号：CN103443942A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280015421.0
申请日：2012-03-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0095 , H01L33/502 , H01L33/504 , H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 提供一种半导体发光元件，能够抑制因量子点荧光体的氧化而引起的发光效率降低。本发明涉及的半导体发光元件(1)具备：半导体层，包含活性层(13)；第一金属层(16)，被形成在半导体层上；第一绝缘膜(18)，以覆盖半导体层的上面以及侧面的方式，被形成在第一金属层上(16)；第二绝缘膜(20)，被形成在第一绝缘膜(18)上且包含半导体微粒子；以及第三绝缘膜(21)，被形成在第二绝缘膜(20)上，第二绝缘膜(20)由第一绝缘膜(18)和第三绝缘膜(21)覆盖。
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公开(公告)号：CN103004212A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201180035569.6
申请日：2011-08-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 吉田真治
IPC: H04N9/07
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14621 , H01L27/14643 , H04N9/045
Abstract: 提供一种固体摄像装置，不使开口率下降，能够实现宽动态范围，在高照度下也能够进行摄像。固体摄像装置具有摄像区域（2A），该摄像区域（2A）通过形成于半导体基板（20）的表面的像素部以二维状排列而成，摄像区域（2A）以由2行2列的像素部构成的像素块作为排列单位而构成，该像素块包括：检测红色信号的红色像素（11R）、检测蓝色信号的蓝色像素（11B）、检测第1亮度信号的白色像素（11W1）、以及检测第2亮度信号的白色像素（11W2）；在白色像素（11W2）的受光面上部设有使可见光线区域的光透射率降低的光衰减滤光器。
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公开(公告)号：CN100472789C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200410075208.6
申请日：2004-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像器件，漏电流小，并具有元件分离结构。该固体摄像器件，形成在硅片上，还包括具有与各个像素相对应的摄像区，其中包括具有第1导电型电荷存储区的光电二极管，晶体管和元件隔离部，上述元件隔离部的深度小于其杂质浓度最大的上述第1导电型电荷存储区的深度。
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公开(公告)号：CN1591888A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410075208.6
申请日：2004-09-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/14601 , H01L27/14609 , H01L27/1463
Abstract: 本发明涉及一种固体摄像器件，漏电流小，并具有元件分离结构。该固体摄像器件，形成在硅片上，还包括具有与各个像素相对应的摄像区，其中包括具有第1导电型电荷存储区的光电二极管，晶体管和元件隔离部，上述元件隔离部的深度小于其杂质浓度最大的上述第1导电型电荷存储区的深度。
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