公开(公告)号：CN1515036A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811802.2

申请日：2002-06-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 川口靖利 ,  石桥明彦 ,  辻村步 ,  大塚信之

IPC: H01L33/00 ,  H01S5/343 ,  H01L21/205

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/0265 ,  H01L33/007 ,  H01S5/34333

Abstract: 在由氮化镓(GaN)构成的基板(11)上，形成由至少含有铝的氮化物半导体构成的小面形成层(12)。在小面形成层(12)的表面上，形成相对C面倾斜的小面，选择生长层(13)从该倾斜的小面，沿横向生长。其结果是，可使选择生长层(13)、和由在其上生长的n型ALGaN构成的n型包覆层(14)实质上晶格匹配，比如，通过晶体生长，获得没有裂缝的发生的激光器结构。

公开(公告)号：CN100559341C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN03808026.5

申请日：2003-04-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  森本廉 ,  山田由佳 ,  九津见洋 ,  北尾信夫

IPC: G06F3/16 ,  G06F17/30

CPC classification number: G06F3/16

Abstract: 一种服务器，与多个客户机连接成可通信，向该客户机发送声音信息，并让其播放所发送的声音信息，具有：存放多个以由多个话语者的语音构成的一话语者的语音为内容的语音声音信息的存储装置；决定多个语音声音信息播放时序的时序决定装置；按照由时序决定装置播放时序进行播放，而对向每个客户机发送对应的所述语音声音信息的发送装置。

公开(公告)号：CN100456491C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200480000426.1

申请日：2004-06-04

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉井重雄 ,  大塚信之 ,  水野纮一 ,  铃木朝实良

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/06

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L29/0817 ,  H01L29/127 ,  H01L29/7371

Abstract: 本发明涉及半导体器件，该器件包括：一基板(101)；在该基板(101)上形成的多层半导体结构；该半导体多层结构包括发射极层(102)、基极层(105)和集电极层(107)，均由III-V族n型复合半导体构成并按此顺序成层；位于发射极层(102)和基极层(105)之间的量子点势垒层(103)；分别同集电极层(107)、基极层(105)和发射极层(102)相连的集电极电极(110)、基极电极(111)和发射极电极(112)；包括多个量子点(103c)的量子点势垒层(103)；被第一、第二势垒层(103a，103d)分别从发射极层一边和基极层一边夹着的量子点(103)；具有凸向基极层(105)的凸出部分的每个量子点(103c)；第二势垒层(103d)中的基极层(105)一侧界面(d1)，和在基极层(105)中集电极层一侧和发射极层一侧的界面(d2、d3)；界面具有对应量子点(103c)的凸出部分向集电极层(107)突出的弯曲部分(d12、d22、d23)。

公开(公告)号：CN1286228C

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN03801328.2

申请日：2003-02-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  吉井重雄 ,  横川俊哉

IPC: H01S5/18

CPC classification number: H01S5/187 ,  H01S5/028 ,  H01S5/105 ,  H01S5/124 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/42

Abstract: 本发明的半导体发光元件包括：n型InP基板(1)；以及条纹结构(10)，条纹结构(10)包含在该n型InP基板(1)上条纹状形成的n型InP下部覆盖层、相对于所述n型InP基板(1)而具有平行方向的谐振器的有源层、和p型InP上部覆盖层(5)。这种条纹结构(10)有凹部(9)排列为矩形点阵状的光子晶体结构(2)，光子晶体结构(2)的凹部(9)的排列方向和谐振器方向相同。此外，在谐振器方向上延长的条纹状的上部电极(6)形成在条纹结构(10)上。这样构成的本发明的半导体发光元件相对n型InP基板(1)在垂直的方向上发光。

公开(公告)号：CN1706047A

公开(公告)日：2005-12-07

申请号：CN200480001374.X

申请日：2004-04-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大塚信之 ,  水野纮一 ,  吉井重雄 ,  铃木朝实良

IPC: H01L29/68 ,  H01L29/70

CPC classification number: H01L29/7371 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7376

Abstract: 本发明的弹道半导体元件备有n型的发射极层(102)、由n型的InGaN构成的基极层(305)、n型的集电极层(307)、夹在上述发射极层(102)和上述基极层(305)之间并具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的发射极势垒层(103)、和夹在上述基极层(305)与上述集电极层(307)之间具有比上述基极层(305)的能带间隙大的能带间隙的集电极势垒层(306)，并在10GHz以上工作。

公开(公告)号：CN1650436A

公开(公告)日：2005-08-03

申请号：CN03809646.3

申请日：2003-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉井重雄 ,  大塚信之 ,  水野纮一 ,  铃木朝实良 ,  横川俊哉

IPC: H01L29/80 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/1029 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7785

Abstract: 本发明的等离子体振动开关元件包含：半导体基板（101）；在该基板上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第一阻挡层（103），在第一阻挡层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的沟道层（104）；在沟道层上形成的由Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体构成的第二阻挡层（105）；和在第二阻挡层上设置的源极电极（107）、栅极电极（109）以及漏极电极（108），第一阻挡层具有n型扩散层（103a），第二阻挡层具有p型扩散层（105a），沟道层的能带间隙比第一及第二阻挡层的能带间隙小，在第一阻挡层和沟道层之间境界的传导带上积聚二维电子气EG，另一方，在第二阻挡层和沟道层境界的价电子带上积聚二维空穴气HG，各电极经绝缘层（106）在第二阻挡层上形成。