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公开(公告)号:CN1245339A
公开(公告)日:2000-02-23
申请号:CN99106127.6
申请日:1999-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C11/407
CPC classification number: G11C7/1093 , G11C7/1051 , G11C7/1057 , G11C7/1078 , G11C7/22
Abstract: 本发明为一种输入及输出装置,比较器5比较时钟信号CLK的数据取入边沿和从输入缓冲器11输出的数据信号D1’的上升沿、下降沿之时刻,延迟电路31根据比较结果,让时钟信号CLK推迟一所定时间,延迟电路32让时钟信号CLK推迟另一所定时间。数据信号D1’的逻辑值为“H”时,选择器4选择延迟电路31的延迟时钟信号CLK-LH,其逻辑值为“L”时,选择延迟电路32的延迟时钟信号CLK-HL。保持电路21根据选择器4所选择的延迟时钟信号锁存数据信号D1’。
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公开(公告)号:CN1197294A
公开(公告)日:1998-10-28
申请号:CN98107049.3
申请日:1998-02-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G01R31/3004 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体器件包括:包括多个电路块的阵列部分;漏电流切断部分,用于切断出现在阵列部分中多个电路块的至少一个中的漏电流;以及控制部分,用于根据漏电流切断信息控制漏电流切断部分。
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公开(公告)号:CN102640281B
公开(公告)日:2014-04-30
申请号:CN201080055292.9
申请日:2010-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , G11C16/04 , H01L27/112
CPC classification number: H01L27/112 , G11C16/0408 , G11C16/06 , H01L27/115 , H01L27/11519
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置。在各存储单元由一个晶体管构成的半导体存储装置中,上述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案(4),相邻的两个晶体管共用源极区域,两个漏极区域被隔离。并且,在配置有各个扩散图案(4)中的至少一列的多个阵列(120、130)中,每个阵列分别具有独立的位线。而且,在阵列分割边界部,每个阵列的位线的各个端部分别位于在一个扩散图案(4)上隔着共用的源极区域彼此隔离的两个漏极区域上。这样一来,能够确保充分的位线分离宽度,并实现面积缩减。
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公开(公告)号:CN102640281A
公开(公告)日:2012-08-15
申请号:CN201080055292.9
申请日:2010-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8246 , G11C16/04 , H01L27/112
CPC classification number: H01L27/112 , G11C16/0408 , G11C16/06 , H01L27/115 , H01L27/11519
Abstract: 本发明公开了一种半导体存储装置。在各存储单元由一个晶体管构成的半导体存储装置中,上述存储单元由相邻的2比特形成一个扩散图案(4),相邻的两个晶体管共用源极区域,两个漏极区域被隔离。并且,在配置有各个扩散图案(4)中的至少一列的多个阵列(120、130)中,每个阵列分别具有独立的位线。而且,在阵列分割边界部,每个阵列的位线的各个端部分别位于在一个扩散图案(4)上隔着共用的源极区域彼此隔离的两个漏极区域上。这样一来,能够确保充分的位线分离宽度,并实现面积缩减。
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公开(公告)号:CN1185657C
公开(公告)日:2005-01-19
申请号:CN99106127.6
申请日:1999-04-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G11C7/1093 , G11C7/1051 , G11C7/1057 , G11C7/1078 , G11C7/22
Abstract: 本发明为一种输入及输出装置,比较器(5)比较时钟信号(CLK)的数据取入边沿和从输入缓冲器(11)输出的数据信号(D1’)的上升沿、下降沿之时刻,延迟电路(31)根据比较结果,让时钟信号(CLK)推迟一所定时间,延迟电路(32)让时钟信号(CLK)推迟另一所定时间。数据信号(D1’)的逻辑值为“H”时,选择器(4)选择延迟电路(31)的延迟时钟信号(CLK_LH),其逻辑值为“L”时,选择延迟电路(32)的延迟时钟信号(CLK_HL)。保持电路(21)根据选择器(4)所选择的延迟时钟信号锁存数据信号(D1’)。
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公开(公告)号:CN1159847C
公开(公告)日:2004-07-28
申请号:CN99125496.1
申请日:1999-12-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K17/30
CPC classification number: H03F3/45717
Abstract: 主比较电路2供出对应于差动信号TX、XTX的电位差Va的检测电流Icomp;参考差动电压生成电路4生成对应于差动信号的中间电位Vm的参考差动电压OFS、XOFS;从比较电路5供出对应于该电位差的电流,作偏置电流Ioffset。因装置1输出电流Icomp、Ioffset的差电流,故其输出入特性具有偏置。因电路2、5的电路结构相同,故当电路2的Va-Icomp特性随电位Vm变化时,偏置电流Ioffset也发生同样的变化。结果,即使差动信号的电位发生变动,装置1的偏置电压也不会发生什么变化。
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