公开(公告)号：CN102007545A

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200880128707.3

申请日：2008-11-05

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椋木敏夫

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/02 ,  G11C16/04

CPC classification number: G11C16/26 ,  G11C7/08 ,  G11C7/1042 ,  G11C7/12 ,  G11C16/0475

Abstract: 当从顶部阵列模块的存储器单元(M02)向位线(BL2)读出数据时，关闭开关元件(S1、S101)，使底部阵列模块的位线(BL102)以电荷的形式蓄积该数据。如果打开顶部阵列侧的开关元件(S1)、启动读出放大器(6)，则从存储器单元(M02)读出并被底部阵列模块的位线(BL102)保持的数据，向闪存存储器的外部输出。在如此输出数据的期间，还能够进行顶部阵列模块的位线(BL2)的电位的预充电，开始接下来的读出动作。

公开(公告)号：CN1129910C

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN95103487.1

申请日：1995-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椋木敏夫 ,  平野博茂 ,  中根让治 ,  中熊哲治 ,  角辰己 ,  脇信行

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/24 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C5/147 ,  G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C7/22

Abstract: 一种能正确判断数据并输出之的半导体存贮装置，它含有基准电位发生装置。该基准电位发生装置备有：2根信号线21、22；为给这两根信号线加电位而提供电荷的电荷供给装置23；连接于电荷供给装置和两信号线之间、通过第一控制信号分别提供电荷的第一连接装置24a、24b；连接于两信号线之间、通过第二控制信号将取决于供给的电荷量和各信号线的负载电容的电位平均后断开两信号线的第二连接装置25。

公开(公告)号：CN1086836C

公开(公告)日：2002-06-26

申请号：CN94119246.6

申请日：1994-12-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平野博茂 ,  中根讓治 ,  中熊哲治 ,  森脇信行 ,  椋木敏夫 ,  角辰己

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C29/789

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：主体存储单元部；冗余存储单元部；由非易失性半导体存储器组成的、电气存储置换主体存储单元部中的失效存储单元的冗余存储单元地址的冗余地址数据单元部；控制电路部；冗余存储单元选择电路部。冗余存储单元选择电路部保持由冗余地址数据单元部读出的第1地址数据且把该第1地址数据与通过控制电路部输入的读出用或写入用的第2地址数据比较，从而选择主体存储单元部或冗余存储单元部。具有结构简单且能高速动作的优点。

公开(公告)号：CN1117643A

公开(公告)日：1996-02-28

申请号：CN95103487.1

申请日：1995-03-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 椋木敏夫 ,  平野博茂 ,  中根让治 ,  中熊哲治 ,  角辰己 ,  森脇信行

IPC: G11C11/34 ,  G11C11/24 ,  G11C7/00

CPC classification number: G11C11/22 ,  G11C5/147 ,  G11C7/06 ,  G11C7/14 ,  G11C7/22

Abstract: 一种能正确判断数据并输出之的半导体存贮装置，它含有基准电位发生装置。该基准电位发生装置备有：2根信号线21、22；为给这两根信号线加电位而提供电荷的电荷供给手段23；连接于电荷供给手段和两信号线之间、通过第一控制信号分别提供电荷的第一连接手段24a、24b；连接于两信号线之间、通过第二控制信号将取决于供给的电荷量和各信号线的负载电容的电位平均后断开两信号线的第二连接手段25。

公开(公告)号：CN1114456A

公开(公告)日：1996-01-03

申请号：CN94119246.6

申请日：1994-12-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平野博茂 ,  中根譲治 ,  中熊哲治 ,  森脇信行 ,  椋木敏夫 ,  角辰己

IPC: G11C11/34

CPC classification number: G11C29/789

Abstract: 一种半导体存储器装置包括：主体存储单元部；冗余存储单元部；由非易失性半导体存储器组成的、电气存储置换主体存储单元部中的失效存储单元的冗余存储单元地址的冗余地址数据单元部；控制电路部；冗余存储单元选择电路部。冗余存储单元选择电路部保持由冗余地址数据单元部读出的第1地址数据且把该第1地址数据与通过控制电路部输入的读出用或写入用的第2地址数据比较，从而选择主体存储单元部或冗余存储单元部。具有结构简单且能高速动作的优点。