公开(公告)号：CN1898538B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200580001407.5

申请日：2005-09-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 村田隆彦 ,  山口琢己 ,  春日繁孝 ,  吉田真治 ,  池田义人

IPC: G01J1/42 ,  H04N5/33 ,  G01V8/12

CPC classification number: G01J5/24 ,  G01J1/46 ,  H04N5/33

Abstract: 红外线传感器，包括：各自显示规定电容值的串联电容元件和参照电容元件，电容值根据射入元件中的红外线强度而变化的红外线检测电容元件，以及是串联电容元件的一个端子、参照电容元件的一个端子及红外线检测电容元件的一个端子相互连接起来的节点的输出节点。通过在串联电容元件的其他端子与参照电容元件的其他端子之间施加规定电压，来以输出节点的电位作为基准电位；通过在串联电容元件的其他端子与红外线检测电容元件的其他端子之间施加规定电压，来以所述输出节点的电位作为检测电位；作为基准电位与检测电位的电位差输出红外线强度。

公开(公告)号：CN1767224A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510109947.7

申请日：2001-03-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西井胜则 ,  井上薰 ,  松野年伸 ,  池田义人 ,  正户宏幸

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/00 ,  H01S5/00

Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。

公开(公告)号：CN1240137C

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN02107047.4

申请日：2002-03-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上薰 ,  池田义人 ,  正户宏幸

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003

Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中，漏极电流的减少而使FET的操作很稳定，并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上，依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部，形成了和电子供给层104相连的栅电极106，同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。

公开(公告)号：CN1377092A

公开(公告)日：2002-10-30

申请号：CN02107047.4

申请日：2002-03-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 井上薰 ,  池田义人 ,  正户宏幸

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/2003

Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中,漏极电流的减少而使FET的操作很稳定,并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上,依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部,形成了和电子供给层104相连的栅电极106,同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。