公开(公告)号：CN1398432A

公开(公告)日：2003-02-19

申请号：CN01801372.4

申请日：2001-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7378 ,  Y10S438/936

Abstract: 本发明提供一种新型双极晶体管及其制造方法。在Si衬底的集电极层102上，顺序外延生长SiGe衬垫层151、含硼的倾斜SiGe基极层152和Si盖层153。在Si盖层153上形成具有基极开口部118的第2堆积氧化膜112和填埋基极开口部并构成发射极引出电极的P+多晶硅层115，在Si盖层153上扩散磷形成发射极扩散层153a。在生长Si盖层153时、由于采用in－situ掺杂、仅仅在Si盖层153的上部含有硼，因而减少了耗尽层154的宽度、减少了复合电流、提高了电流特性的线性度。

公开(公告)号：CN1260595A

公开(公告)日：2000-07-19

申请号：CN00100291.0

申请日：2000-01-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 幸康一郎 ,  斋藤彻 ,  久保实 ,  大仲清司 ,  浅井明 ,  片山幸治

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2658 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i－Si1－yGey层119(0

公开(公告)号：CN1224109C

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN01801372.4

申请日：2001-05-23

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 浅井明 ,  大西照人 ,  高木刚

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/36 ,  H01L29/7378 ,  Y10S438/936

Abstract: 本发明提供一种新型双极晶体管及其制造方法。在Si衬底的集电极层102上，顺序外延生长SiGe衬垫层151、含硼的倾斜SiGe基极层152和Si盖层153。在Si盖层153上形成具有基极开口部118的第2堆积氧化膜112和填埋基极开口部并构成发射极引出电极的P+多晶硅层115，在Si盖层153上扩散磷形成发射极扩散层153a。在生长Si盖层153时、由于采用in-situ掺杂、仅仅在Si盖层153的上部含有硼，因而减少了耗尽层154的宽度、减少了复合电流、提高了电流特性的线性度。

公开(公告)号：CN1641885A

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN200510003894.0

申请日：2001-05-14

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 大西照人 ,  浅井明

IPC: H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: 集电区(102)上形成有起基区之作用且由i－Si1－xGex层和P+Si1－xGex层构成的Si1－xGex层(111b)，且在P+Si1－xGex层上设置会成为发射区的Si覆盖层(111a)。在基区开口部分(118)内Si覆盖层(111a)之上形成有发射区引出电极(129)，它又包括形成在含有其浓度在它在单晶硅中的固溶度以下的磷的N－多晶硅层(129b)和含有高浓度磷的N+多晶硅层(129a)。抑制了高浓度的磷(P)过分地掺杂到Si覆盖层(111a)中，而将基区层内杂质的浓度分布维持得很合适。Si覆盖层(111a)的上部可含有P型杂质。NPN型双极晶体管中基区层内的P型杂质的浓度分布被维持得很合适。

公开(公告)号：CN1449001A

公开(公告)日：2003-10-15

申请号：CN03120402.3

申请日：2003-03-13

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 野竹秀典 ,  大西照人 ,  浅井明 ,  青木成刚

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L21/0209 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66242

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件的制造方法。目的在于：在包含Si和Si以外的IV族元素的半导体器件的制造方法下，抑制为污染物质的Si以外的IV族元素给半导体器件造成的污染、二次污染。靠外延生长形成含污染物质的Si/SiGe膜以后，马上通过湿蚀刻来将形成在半导体衬底背面的Si/SiGe膜除去。或者是，在容器内对Si/SiGe膜进行了伴随加热的处理后，再利用该容器让晶圆空走。借助此法，既可抑制通过夹持晶圆的台子、机器人臂或者真空钳等而发生二次污染，也可抑制不包含Si以外的IV族元素的半导体器件的制造步骤所共用的容器被污染。