公开(公告)号：CN1316123A

公开(公告)日：2001-10-03

申请号：CN99810355.1

申请日：1999-09-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 木户口勋 ,  石桥明彦 ,  粂雅博 ,  伴雄三郎 ,  上山智

IPC: H01S5/30 ,  H01S5/323 ,  H01L33/00 ,  C30B25/14 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L33/32 ,  B82Y20/00 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  H01S5/34333

Abstract: 首先,将衬底温度升高到1020℃,在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着,停止Ⅲ族原料气体供给,将衬底温度降低到780℃,与此同时将运载气体由氢气更换为氮气,然后选择性导入Ⅴ族源NH3、Ⅲ族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。

公开(公告)号：CN1190237A

公开(公告)日：1998-08-12

申请号：CN98100254.4

申请日：1998-01-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山本和久 ,  北冈康夫 ,  辻村步 ,  粂雅博

IPC: G11B7/12

CPC classification number: B82Y20/00 ,  G11B7/126 ,  G11B7/127 ,  G11B7/1381 ,  G11B7/24085 ,  H01S5/0211 ,  H01S5/0213 ,  H01S5/028 ,  H01S5/1064 ,  H01S5/125 ,  H01S5/22 ,  H01S5/2231 ,  H01S5/343 ,  H01S5/34333 ,  H01S5/347

Abstract: 由波长锁定的GaN半导体激光器发射的激光通过平行校正透镜校准成平行光,导经偏振分束器及1/4波长片,并由聚焦透镜聚光,以致照射到形成在光盘介质中的凹坑上。来自光盘介质的信号光波聚焦透镜校准为平行光,并且它的偏振方向相对于从光盘介质返回前它的偏振方向被1/4波长片转过90°。其结果是,信号光从偏振分束器反射出来,以致被聚焦透镜会聚到光检测器上。