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公开(公告)号：CN101123343A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710141399.5
申请日：2007-08-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2201 , H01S5/221 , H01S5/2218 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 衬底上具有多个发光部的半导体激光器，制造工序简化，降低了导波路损失且使水平及垂直扩散角相同。半导体激光装置，在同一衬底(10)上具有红色激光器(A)和红外激光器(B)。红色激光器(A)，是具有条纹(14a)的第一导电型第一包覆层(14)、第二导电型第二包覆层(12)夹着AlGaInP系列活性层(13)的构造。红外激光器(B)，是具有条纹(24a)的第一导电型第三包覆层(24)、第二导电型第四包覆层(22)夹着AlGaAs系列活性层(23)的构造。第一、第二、第三及第四包覆层(依次14、12、24、22)，均为AlGaInP系列，Al∶Ga的组成比依次分别为：X1∶1－X1、X2∶1－X2、X3∶1－X3、X4∶1－X4时，满足X1≥X2以及X3≥X4的关系。
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公开(公告)号：CN1937338A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610100361.9
申请日：2006-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/40 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明揭示一种多波长半导体激光器器件，通过使每一波长的半导体激光器具有对各波长的出射光取得最佳FFP的不同长度的窗区域，能使各波长具有程度相同的光输出依赖性，从而能方便地进行光学系统的设计。
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公开(公告)号：CN1345474B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN00805557.2
申请日：2000-03-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 高山彻 , 马场孝明 , 詹姆斯S.哈里斯,Jr.
IPC: H01S5/323 , H01L33/00 , H01L31/0304
CPC classification number: H01S5/32 , H01L29/201 , H01L33/32 , H01S2304/00
Abstract: 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系，包括：激光二极管，晶体管，和光检测器，所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中，半导体结构包括：在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一InGaAlN层，基本没有相分离的InGaAlN活性层，和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三InGaAlN层。
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公开(公告)号：CN101483318B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910001611.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。
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公开(公告)号：CN102130424A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110025560.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0655 , H01S5/2022 , H01S5/22
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体激光装置，其即便使激光束的功率高输出化，也能够使FFP(远视野图像)特性稳定且广角化。其具有：在n型复合层(2)之上形成的活性层(4)；形成在活性层之上，且具有沿光的射出方向延伸的剖面凸状的脊形部(6a)和位于该脊形部的两侧方的平坦部(6b)的p型复合层(6)；形成在两平坦部之上，且具有比p型复合层大的光吸收系数的光吸收层(9)；在包含光吸收层的、p型复合层的上表面及脊形部的侧面形成的绝缘膜(8)。光吸收层具有设置在射出端面侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di1的第一区域、设置在射出端面的相反侧且脊形部中心到光吸收层的脊形部侧的端面的距离为Di2的第二区域，其中Di1和Di2的关系满足Di1＜Di2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101047301B
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN200710088516.6
申请日：2007-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01S5/0021 , H01S5/2206 , H01S5/3201 , H01S5/3211 , H01S5/34326 , H01S2301/173
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光元件及其制造方法。半导体激光元件，在半导体衬底(101)上具有从距半导体衬底(101)较近的一侧依次层叠第一包覆层(103)、活性层(104)及第二包覆层(105)而成的叠层结构。第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，对半导体衬底(101)具有压缩应变，并且第一包覆层(103)及第二包覆层(105)中的至少一个，包含对半导体衬底(101)具有拉伸应变的半导体层(106)。因此，能够提供一种具有能够提高元件可靠性的结构的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN101490915A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200780026061.3
申请日：2007-06-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/223
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/0287 , H01S5/1014 , H01S5/1039 , H01S5/221 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种具有脊条构造的半导体激光装置(100)，具备：n型包层(105)，具有凸部；以及n型电流阻碍层(107)，覆盖除凸部的上表面之外的上述包层；设上述上表面的宽度为W，前后两解理面间的距离为L，前方的解理面上的上述上表面的宽度为Wf，后方的解理面上的上述上表面的宽度为Wr时，Wf＞Wr；在与前方的解理面的距离为L/2以内的范围内，上述上表面所占的面积Sc在L/8×(3Wf+Wr)＜Sc≤L/2×Wf的范围内，在上述范围内的任意的位置，W在1/2(Wf+Wr)＜W≤Wf的范围内。
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公开(公告)号：CN101483318A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910001611.7
申请日：2009-01-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , H01S5/3406 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/173
Abstract: 提供一种抑制活性层发生结晶缺陷，并改善对发光点施加的应力的非对称性，从而可防止可靠性降低且提高偏光特性的半导体激光装置。在由n型GaAs构成的基板(10)上集成有红色激光部(1)和红外激光部(2)。在红色激光部(1)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(14)、和红外激光部(2)的由p型AlGaInP构成的p型金属包层(24)，分别设置有具有发光点的脊条部，在各脊条部的两侧方形成有由SiNx构成的电流阻碍层(15A)，在电流阻碍层(15A)上的各脊条部的外侧的区域中，选择性形成有由ZrO2构成的应变缓和层(15B)。当设p型金属包层(14、24)的热膨胀系数为Tc、电流阻碍层(15A)的热膨胀系数为Tb、应变缓和层(15B)的热膨胀系数为Tc时，满足Tb＜Tc＜Ts的关系。
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公开(公告)号：CN101141050A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710148293.8
申请日：2007-09-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/1039 , H01S5/1064 , H01S5/162 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置，目的在于实现在同一衬底上具有多个发光部的半导体激光装置的高拐点电平、低工作电流及低工作电压。半导体激光装置具有各自包括条纹构造的第一发光部及第二发光部。第一发光部的条纹具有宽度沿谐振器方向变化的部分且包括第一前端面，当将第一前端面的宽度设为Wf1、将距第一前端面的距离为L1的位置的宽度设为W1、将距第一前端面的距离为L1+L2的位置的宽度设为W2时，Wf1≥W1、W1＞W2及(Wf1－W1)/2L1＜(W1－W2)/2L2成立。在第二发光部的条纹中，与上述相同的关系成立。
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公开(公告)号：CN1992454A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610110844.7
申请日：2006-08-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明公开了半导体激光装置及其制造方法。目的在于：能够在形成在同一衬底上的多波长半导体激光装置中，再现性良好地获得可高温动作且具有低噪音特性的自振动型激光。在红外激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层12、活性层13、第一上侧覆盖层14、蚀刻停止层15、以及成为脊部的第二上侧覆盖层16。在红色激光区域中，在衬底10上依次叠层有下侧覆盖层22、活性层23、第一上侧覆盖层24、蚀刻停止层25、以及成为脊部的第二上侧覆盖层26。红外激光的蚀刻停止层15的厚度与红色激光的蚀刻停止层25的厚度不同。
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