-
公开(公告)号：CN101693354A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910211501.3
申请日：2003-12-26
CPC classification number: B24B37/015 , B24B41/061 , B24B55/02
Abstract: 公开了一种基片抛光方法，用于抛光基片，所述方法包括：提供用于保持基片的基片保持机构、具有抛光面的抛光台、用于将抛光液供应到抛光面上的抛光液供应嘴、用于被气体从中流经的气体流道、用于控制气体在气体流道中的流速的开度可调型定流量控制阀；抛光基片，其中将要被抛光的基片被基片保持机构保持并推压，从而基片被推压在抛光台的抛光面上，在抛光液被供应到抛光面上的同时，基片与抛光面相对运动，从而利用相对运动将基片抛光；其中，通过调节开度可调型定流量控制阀的开度来控制气体在气体流道中的流速，以便在抛光时连续地将气体直接供应到基片上，从而在基片的抛光过程中，基片的温度被维持在从40℃至65℃的范围内。
-
公开(公告)号：CN101410955A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011516.4
申请日：2007-03-27
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC classification number: H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , H01L21/31053 , H01L21/3212
Abstract: 本发明提供化学机械研磨用水系分散体，含有作为磨粒的成分(A)、喹啉羧酸和吡啶羧酸中至少一方的成分(B)、除了喹啉羧酸和吡啶羧酸以外的有机酸的成分(C)、作为氧化剂的成分(D)以及作为具有三键的非离子型表面活性剂的成分(E)，所述成分(B)的配合量(WB)与所述成分(C)的配合量(WC)的质量比(WB/WC)为0.01以上且小于2，所述成分(E)由上述通式(1)表示。(式中，m和n各自独立为1以上的整数，并且满足m+n≤50)。
-
公开(公告)号：CN101306512A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200810125500.2
申请日：2003-12-26
IPC: B24B29/00 , H01L21/304
Abstract: 一种基片抛光设备包括：基片保持机构；具有抛光面的抛光台；其中，由所述基片保持机构保持着的将要被抛光的基片被推压在所述抛光台的抛光面上，通过由所述基片保持机构保持着的所述基片和所述抛光台的抛光面之间的相对运动，所述基片被抛光；其中，设有冷却装置，用于冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分；所述冷却装置包括具有引入口和排出口的拱顶，所述拱顶覆盖所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分，以便利用通过对所述拱顶的内侧部分地抽真空而产生的气流来冷却所述抛光台的抛光面和所述基片保持机构的基片保持部分。
-
公开(公告)号：CN1854225A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200610076096.5
申请日：2006-04-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09G1/16 , C08J5/14 , H01L21/3105
CPC classification number: C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L22/26
Abstract: 本发明提供了一种用于金属膜的CMP浆料，包括：水；基于所述浆料的总量0.01至0.3wt％的重量平均分子量不小于20,000的聚乙烯基吡咯烷酮；氧化剂；保护膜形成剂，包含用于形成水不溶性络合物的第一络合剂和用于形成水溶性络合物的第二络合剂；以及初级颗粒直径在5至50nm范围内的胶体二氧化硅。
-
公开(公告)号：CN1264201C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200310120519.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上、以埋入上述槽的方式形成的作为被研磨膜的Cu、Al、W或Ag膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1166986C
公开(公告)日：2004-09-15
申请号：CN00120471.8
申请日：2000-07-12
CPC classification number: H01L21/31058 , H01L21/31053
Abstract: 通过化学机械抛光处理整平聚合物层。
-
公开(公告)号：CN1519894A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200410003134.5
申请日：2004-02-06
IPC: H01L21/304 , B24B37/00
Abstract: 本发明涉及一种抛光垫及制造半导体器件的方法。本发明公开的CMP中使用的抛光垫没有研磨料并且包括可形成微孔和/或凹坑部分的材料，二者均具有0.05μm到290μm范围的平均直径并且占据基于所述垫整个体积为0.1体积％到5体积％的区域(11)；以及有机材料(10)。
-
公开(公告)号：CN1507014A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120519.5
申请日：2003-12-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/302 , H01L21/3213 , H01L21/3205 , B24B1/00
CPC classification number: H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/7684
Abstract: 提供一种研磨方法及半导体装置的制造方法。该研磨方法包括：供给研磨液，研磨在具有规定图形的槽的层上，以埋入上述槽的方式形成的被研磨膜的上层部，进行第一研磨；上述第一研磨后，一边供给从纯水及清洗液选择的一种，一边研磨上述被研磨膜，进行清洗研磨；上述清洗研磨后，供给研磨液，研磨残留在上述槽的外部的上述被研磨膜的残余部分，进行第二研磨。
-
公开(公告)号：CN1484304A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：CN03153617.4
申请日：2003-08-15
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L23/52 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/53295 , H01L21/76807 , H01L21/76832 , H01L21/7684 , H01L23/522 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件，包括：基板；第一绝缘膜，提供在基板上并具有最多为预定值的相对介电常数；第二绝缘膜，提供在第一绝缘膜的表面上并具有大于预定值的相对介电常数；布线，提供在用于布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内；以及虚拟布线，提供在用于虚拟布线的凹槽中，穿过第二绝缘膜形成并延伸到第一绝缘膜内，位于与提供布线的区域隔开的预定区域中。
-
公开(公告)号：CN1333319A
公开(公告)日：2002-01-30
申请号：CN01122494.0
申请日：2001-07-13
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C09K3/14 , C08J5/14 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/3212 , C11D3/14 , C11D11/0047
Abstract: CMP用淤浆,它具有:液体;包含于此液体中的多种研磨粒子,此研磨粒子包含至少一种以上的有机粒子和至少一种以上的无机粒子,而此有机与无机粒子则通过热结合一体化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
39
records
(took 0.024 seconds)
