公开(公告)号：CN101523565A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037289.2

申请日：2007-10-05

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 清水展 ,  大田真朗 ,  丸山浩二 ,  小林洋一 ,  三谷隆一郎 ,  中井俊辅 ,  重田厚

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B49/04 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16 ,  B24D7/12 ,  G01B11/0675 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G05B19/406 ,  G05B19/4065 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。

公开(公告)号：CN100366694C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200310104711.5

申请日：2003-10-31

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 西元和男 ,  坂野达章 ,  竹村彰浩 ,  服部雅幸 ,  川桥信夫 ,  宫下直人 ,  重田厚 ,  松井嘉孝 ,  井田和彦

IPC: C09G1/04

CPC classification number: H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/02024

Abstract: 本发明提供了一种使所要抛光的表面平面化和具有高储存稳定性的用于化学机械抛光的水分散体，一种在抛光不同材料的表面时具有优异的选择性的化学机械抛光工艺，和一种半导体设备生产工艺。第一水分散体包含水溶性季铵盐，无机酸盐，磨料颗粒和水介质。第二水分散体包含至少一种水溶性季铵盐，非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物，无机酸盐，水溶性聚合物，磨料颗粒和水介质。第二水分散体由通过将水溶性季铵盐和无机酸盐混入水介质而得到的第一水分散体材料(I)，和通过将水溶性聚合物和非水溶性季铵盐的另一碱性有机化合物混入水介质而得到的第二水分散体材料(II)组成。磨料颗粒包含在至少一种水分散体材料中。

公开(公告)号：CN1670924A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN200410095441.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 中尾秀高 ,  川端康充 ,  胜间田好文 ,  小泽直树 ,  佐佐木达也 ,  重田厚

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。

公开(公告)号：CN1652297A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510007566.8

申请日：2005-02-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 重田厚 ,  井田和彦 ,  松井嘉孝

IPC: H01L21/00 ,  C09G1/00

CPC classification number: H01L21/02074 ,  B24B37/044 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/7684

Abstract: 在半导体晶片上提供包含金属离子的基本CMP浆料的同时，使半导体晶片经受抛光处理，以至少部分地除去金属材料层，其中半导体晶片在半导体衬底上包括下层和金属材料层，下层包括在其中具有至少一个凹部的绝缘层，金属材料层形成在下层的顶表面上并填充凹部。然后，将螯合金属离子的有机酸添加到基本CMP浆料，并使用添加了有机酸的CMP浆料进行抛光，直到绝缘层的表面被露出。

公开(公告)号：CN1447112A

公开(公告)日：2003-10-08

申请号：CN03121185.2

申请日：2003-03-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 窪田壮男 ,  重田厚

IPC: G01N21/55 ,  G01N21/59 ,  G01N21/45

CPC classification number: G01N21/8422 ,  G01N21/55 ,  G01R31/2656 ,  H01L22/12

Abstract: 一种通过光学测量判断样品上残留膜的方法，样品包括一个第一金属膜和一个绝缘膜，上述第一金属膜的反射度的变化取决于测量光波长，而上述绝缘膜在第一金属膜上方形成，残留膜是绝缘膜上方的第二金属膜，该方法包括：用测量光照射样品，以便测量从样品反射的光强度随测量光波长变化而改变的情况，因而得到一个反射度光谱曲线；及将反射度光谱曲线分成数个波长区，以便根据反射度光谱曲线的每个光谱区中的波形，判断在绝缘膜上方是否存在第二金属膜。

公开(公告)号：CN101523565B

公开(公告)日：2012-02-29

申请号：CN200780037289.2

申请日：2007-10-05

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 清水展 ,  大田真朗 ,  丸山浩二 ,  小林洋一 ,  三谷隆一郎 ,  中井俊辅 ,  重田厚

IPC: B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24D7/12 ,  G01N21/55 ,  G01N21/95 ,  H01L21/66

CPC classification number: B24B49/04 ,  B24B37/013 ,  B24B49/12 ,  B24B49/16 ,  B24D7/12 ,  G01B11/0675 ,  G01N21/55 ,  G01N21/9501 ,  G05B19/406 ,  G05B19/4065 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及计算基板等加工对象物的被加工面的特性值，并检测加工终点(研磨停止、研磨条件的变更等)的定时的方法。该方法通过使用基准被加工物、或模拟计算，生成表示加工终点上的反射强度与波长的关系的分光波形；基于上述分光波形，选择反射强度成为极大值及极小值的波长；根据上述选择的波长上的反射强度，计算对于被加工面的特性值；将加工终点上的特性值的时间变化的特征点设定为加工终点；在加工对象物的加工中检测上述特征点从而检测被加工物的加工终点。

公开(公告)号：CN100481340C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410095441.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 中尾秀高 ,  川端康充 ,  胜间田好文 ,  小泽直树 ,  佐佐木达也 ,  重田厚

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。

公开(公告)号：CN100452312C

公开(公告)日：2009-01-14

申请号：CN200580034805.7

申请日：2005-10-12

Applicant: 株式会社东芝 ,  株式会社荏原制作所

Inventor： 窪田壮男 ,  重田厚 ,  丰田现 ,  高桥圭瑞 ,  福冈大作 ,  伊藤贤也

IPC: H01L21/304 ,  B24B21/00 ,  B24B9/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  B24B9/065 ,  B24B21/002

Abstract: 一种抛光装置具有：抛光带(21)；供给卷轴(22)，用于把抛光带(21)供给到接触部分(30)中，在该接触部分上，抛光带(21)与基体(10)的凹槽部分(11)产生接触；及拾取卷轴(23)，用于缠绕来自接触部分(30)的抛光带(21)。该抛光装置还具有：第一导向部分(24)，它具有导向表面(241)从而把抛光带(21)直接供给到接触部分(30)中；及第二导向部分(25)，它具有导向表面，从而把抛光带(21)供给到拾取卷轴(23)中。第一导向部分(24)的导向表面(241)和/或第二导向部分(25)的导向表面具有与基体(10)的凹槽部分(11)的形状相对应的形状。

公开(公告)号：CN100346451C

公开(公告)日：2007-10-31

申请号：CN200410046180.3

申请日：2004-06-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松井之辉 ,  南幅学 ,  竖山佳邦 ,  矢野博之 ,  重田厚

IPC: H01L21/00 ,  B24B1/00 ,  C09K3/14 ,  C08J5/14 ,  C09G1/00

CPC classification number: H01L21/76808 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/10867

Abstract: 本发明公开的是一种有机膜的化学机械抛光方法，其包括：在半导体衬底上方形成有机膜；将在半导体衬底上方形成的有机膜与固定在转台上的抛光垫接触；使浆料落在抛光垫上以抛光有机膜，该浆料选自第一浆料或第二浆料，第一浆料包含具有官能团的初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒，其中所述官能团选自阴离子官能团、阳离子官能团、两性官能团和非离子官能团，第一浆料的pH值为2～8，第二浆料包含初级粒径为0.05～5μm的树脂颗粒和具有亲水结构的表面活性剂。

公开(公告)号：CN1974636A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610160614.1

申请日：2006-11-29

Applicant: JSR株式会社 ,  株式会社东芝

Inventor： 仕田裕贵 ,  松井之辉 ,  重田厚 ,  平沢信一 ,  加藤宽和 ,  木下正子 ,  西冈岳 ,  矢野博之

IPC: C08J5/14 ,  H01L21/304 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/7681 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76835

Abstract: 提供能够确保有机膜的平坦性、且能够抑制刮痕产生的有机膜研磨用化学机械研磨浆料和化学机械研磨方法，以及布线阻抗和布线间容量被减少、且布线收率高的半导体装置的制造方法。有机膜研磨用化学机械研磨浆料含有表面具有官能团的聚合物粒子和水溶性高分子。