公开(公告)号：CN101887704A

公开(公告)日：2010-11-17

申请号：CN201010206850.9

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: G09G3/36 ,  G09G3/34 ,  H01L27/02 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/428 ,  H01L21/465 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/04 ,  H01L29/045 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。

公开(公告)号：CN101488302A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910003196.9

申请日：2009-01-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也

IPC: G09F9/33 ,  G09G3/30 ,  G09G3/32 ,  H01L27/32

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/066 ,  G09G2320/0261

Abstract: 一种具有为了进行适于运动图像显示的脉冲式显示所需发光时间的显示装置，包括：包括第一端子及第二端子的电阻元件；包括栅极端子以及源极端子及漏极端子的晶体管，其中栅极端子电连接到信号线，源极端子及漏极端子中的一方电连接到电源线；包括第一端子及第二端子的电容元件，其中第一端子及第二端子中的一方电连接到所述电阻元件的第一端子及第二端子中的一方以及所述晶体管的源极端子及漏极端子中的另一方；以及包括第一端子及第二端子的发光元件，其中第一端子及第二端子中的一方电连接到所述电阻元件的第一端子及第二端子中的另一方。

公开(公告)号：CN107068766B

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN201710111075.0

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

公开(公告)号：CN106847929B

公开(公告)日：2020-06-23

申请号：CN201710111162.6

申请日：2012-09-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 半导体装置包括栅电极、覆盖栅电极并包含含有硅的氧化物的栅极绝缘膜、以与栅极绝缘膜接触并至少与栅电极重叠的方式设置的氧化物半导体膜、以及与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极。在氧化物半导体膜中，以与栅极绝缘膜接触且厚度为5nm以下的方式设置的第一区域具有1.0at.％以下的硅浓度，并且第一区域之外的氧化物半导体膜中的区域具有比第一区域低的硅浓度。至少第一区域包括结晶部。

公开(公告)号：CN103123936B

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201210461422.X

申请日：2012-11-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  本田达也 ,  平石铃之介 ,  金村大志 ,  太田将志

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体元件的制造方法以及使用半导体元件的半导体装置，在作为活性层使用氧化物半导体膜的半导体元件中实现稳定的电特性。该半导体元件包括：基底膜，该基底膜为至少表面具有结晶性的氧化物膜；基底膜上的具有结晶性的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的栅极绝缘膜；栅极绝缘膜上的至少与氧化物半导体膜重叠的栅电极；与氧化物半导体膜电连接的源电极及漏电极，其中，基底膜含有铟及锌。通过采用上述结构，氧化物半导体膜的结晶状态反映基底膜的结晶状态，因此，氧化物半导体膜在膜厚度方向上的大范围具有结晶性。从而，可以使具有该膜的半导体元件的电特性稳定。

公开(公告)号：CN107068765A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201611144591.5

申请日：2012-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。

公开(公告)号：CN104025301B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201280050475.0

申请日：2012-10-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 本田达也 ,  津吹将志 ,  野中裕介 ,  岛津贵志 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/477 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78693

Abstract: 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。

公开(公告)号：CN103456686B

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201310052224.2

申请日：2008-02-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神保安弘 ,  伊佐敏行 ,  本田达也

IPC: H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/283 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3274 ,  H01L28/40 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/003 ,  H01L51/56 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明的目的在于提供一种从衬底剥离通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件来制造具有柔性的半导体装置的方法。使用现有的大型玻璃衬底的制造设备，在玻璃衬底上形成钼膜，在其上形成氧化钼膜，在氧化钼膜上层叠非金属无机膜及有机化合物膜，并且在有机化合物膜上形成通过较低温度（低于500℃）的工艺而制造的元件，然后将其元件从玻璃衬底剥离。

公开(公告)号：CN105336791A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510496344.0

申请日：2011-11-21

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  津吹将志 ,  秋元健吾 ,  大原宏树 ,  本田达也 ,  小俣贵嗣 ,  野中裕介 ,  高桥正弘 ,  宫永昭治

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/247 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

Abstract: 一种氧化物半导体膜以及半导体装置。提供一种具有更稳定的导电性的氧化物半导体膜。此外，通过使用氧化物半导体膜来提供具有稳定的电特性及高可靠性的半导体装置。氧化物半导体膜包括结晶区域，且结晶区域包括a-b面与膜的表面实质上平行且c轴与膜的表面实质上垂直的晶体；氧化物半导体膜具有稳定的导电性且相对于可见光、紫外线光等的照射更电稳定。通过将这种氧化物半导体膜用于晶体管，可以提供具有稳定的电特性的可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN103560085A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201310054337.6

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 秋元健吾 ,  本田达也 ,  曾根宽人

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于通过使用以氧化锌为典型的氧化物半导体膜形成薄膜晶体管，以低成本提供一种半导体器件及其制造方法，而不使制造工序复杂化。本发明的半导体器件之一，在衬底上形成栅极，覆盖栅极地形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜，并且在氧化物半导体膜上形成第一导电膜和第二导电膜，其中氧化物半导体膜在沟道形成区域中至少包括结晶化了的区域。