公开(公告)号：CN1441463A

公开(公告)日：2003-09-10

申请号：CN03104326.7

申请日：2003-01-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 松村正清 ,  西谷幹彦 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之 ,  谷口幸夫 ,  平松雅人 ,  中野文樹

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/06 ,  B23K26/066 ,  B23K2101/40 ,  C30B1/00 ,  C30B13/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02691 ,  H01L21/2026 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008 ,  Y10T117/1016

Abstract: 一种在绝缘材料所构成的基层上形成结晶性良好的半导体薄膜的形成方法及半导体薄膜的形成装置。该半导体薄膜的形成装置包括：作为光源的准分子镭射(excimerlaser)1；使从该准分子镭射1射出的光的光强度均匀分布的均匀器(homogenizer)3；以光强度分布经均匀器3均匀化后的光的振幅在光相对于非晶质基板9的相对运动方向增加的方式进行振幅调变的振幅调变光罩5；将振幅经振幅调变屏蔽5调变过的光，以可得到预定的照射能量的方式投射在形成于非晶质基板9上的非单结晶半导体层10上的投射光学系6；在光的照射面内设置温度低的点的移相器(phase shifter)8；以及使光与非晶质基板9相对运动而可进行X、Y方向扫描的基板台。

公开(公告)号：CN100409404C

公开(公告)日：2008-08-06

申请号：CN200410064008.0

申请日：2004-06-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 十文字正之 ,  小川裕之 ,  松村正清 ,  平松雅人 ,  木村嘉伸 ,  谷口幸夫 ,  加藤智也

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/066 ,  C30B13/24 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 本发明提供一种晶化方法、一种晶化设备、一种薄膜晶体管和一种显示设备，该晶化方法可以设计出在衬底的入射表面上优化的光强度和分布(BP)的激光束、形成所需的结晶结构同时抑制产生任何其它不需要的结构区域并满足低温处理的需要。当通过将激光束辐照至其来结晶非单晶半导体薄膜时，到达非单晶半导体薄膜上的辐照光束具有一种光强度分布(BP)的光强度和熔化非单晶半导体的光强度，该光强度分布(BP)周期性地重复单调增加和单调减少。此外，在非单晶半导体薄膜的激光束入射表面上设置至少一氧化硅膜。

公开(公告)号：CN100403142C

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200410083465.4

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  秋田典孝

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  G02F1/00

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/073 ,  C30B13/24 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0961 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 本发明包括：具有第一元件(1)和第二元件(2)的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统(4)，该图像形成光学系统设置在光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有多晶半导体膜或非晶半导体膜，其中形成光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过图像形成光学系统施加在多晶半导体膜或非晶半导体膜上，由此使未结晶的半导体膜结晶。所述第一元件的图形与第二元件的图形相对。

公开(公告)号：CN1763910A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510097881.4

申请日：2005-09-02

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 松村正清 ,  谷口幸夫

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/20 ,  H01L21/477 ,  B23K26/00 ,  G02F1/01

Abstract: 一种光照设备，包括具有相位调制区的光调制元件(1)，其中相位调制区具有至少一个用于调制光束的基本图案；照射系统(2)，其用光束照射光调制元件的相位调制区；以及图像形成光学系统(3)，使在照射目标表面上具有光强分布的光束落到照射目标物体(4)上，其中所述光强分布具有基于由所述相位调制元件相位调制的光束而形成的倒峰形图案。所述基本图案的尺寸不大于对光调制元件转换的图像形成光学系统的点扩展函数范围。设计所述相位调制区，使得照射目标表面上光复振幅分布中的相位分布在沿横向某一线段上为锯齿状分布。

公开(公告)号：CN1603921A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410083465.4

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  秋田典孝

IPC: G02F1/136 ,  H01L21/00 ,  G02F1/00

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/073 ,  C30B13/24 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0961 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2026 ,  Y10S117/90 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1004 ,  Y10T117/1008

Abstract: 本发明包括：具有第一元件(1)和第二元件(2)的光调制光学系统，所述第一元件对入射光束形成所希望的光强梯度分布，所述第二元件对其形成所希望的具有反向峰值形状的光强最小分布；以及一个图像形成光学系统(4)，该图像形成光学系统设置在光调制光学系统和衬底(5)之间，所述衬底具有多晶半导体膜或非晶半导体膜，其中形成光强梯度分布和光强最小分布的入射光束通过图像形成光学系统施加在多晶半导体膜或非晶半导体膜上，由此使未结晶的半导体膜结晶。所述第一元件的图形与第二元件的图形相反。

公开(公告)号：CN1495847A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03124916.7

申请日：2003-09-19

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/073 ,  H01L21/2026

Abstract: 一种结晶装置，包括一个图象形成光学系统(3)，该系统具有一个图像侧数值孔径，该孔径被设定为一个生成一个具有一反峰值图形的光强分布所需的值，并将一个非晶形半导体薄膜与一个相移掩模设置成一种光学上的共轭关系。相移掩模具有一个沿第一轴线延伸的边界区域(11)以及一个第一区域(12)和一个第二区域(13)，第一和第二区域被沿一根与第一轴线相交的第二轴线设置在边界区域的两侧并且两者之间具有一个预定的相差。边界区域的相位分布是从第一区域的一个相位变化到第二区域的一个相位。

公开(公告)号：CN1477677A

公开(公告)日：2004-02-25

申请号：CN03133128.9

申请日：2003-07-24

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫 ,  松村正清 ,  山口弘高 ,  西谷干彦 ,  辻川晋 ,  木村嘉伸 ,  十文字正之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L21/0268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0608 ,  B23K26/066 ,  B23K26/067 ,  B23K26/073 ,  G03F1/26 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  Y10T117/1004

Abstract: 本发明针对包括照射一相移掩模(4)的一照明系统(2)的结晶装置，其中相移掩模(4)将来自照明系统(2)的光束转换成具有在与该相移掩模(4)的相移部分(4e)相应的区域中具有最小光强度的反峰值图形的光强度分布的光束。该结晶装置进一步包括一光学部件(1，11，12，13，14，15)，以便基于来自该照明系统(2)的光，在一预定平面上形成具有在与该相移部分对应的区域中光强度最小，并且朝该区域的周边增加的凹面图形的光强度分布；以及一成像光学系统(3)，将该多晶半导体膜或非晶半导体膜的表面或其共轭平面以及该预定平面设置成一光学上的共轭关系。

公开(公告)号：CN101404251A

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200810167902.9

申请日：2005-04-28

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 加藤智也 ,  松村正清 ,  谷口幸夫

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20 ,  H01L21/786

Abstract: 本发明的结晶设备用具有预定光强分布的光通量照射非单晶半导体膜(5)，从而使该膜结晶，并且本发明的结晶设备包括含有多个以一定周期排列并且互相具有基本相同图案的单位区域的调相装置(1)，以及布置在所述调相装置和所述非单晶半导体膜之间的光学成像系统(4)。所述调相装置的每个单位区域包括具有特定相位的基准面；布置在每个单位区域中央附近并且相对于所述基准面具有第一相位差的第一区域；以及布置在所述第一区域附近并且相对于所述基准面具有与所述第一相位差基本相同的相位差的第二区域。

公开(公告)号：CN101359101A

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200810145201.5

申请日：2005-02-17

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 谷口幸夫

IPC: G02B27/42 ,  C30B28/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/066 ,  B23K26/073 ,  B23K26/08 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296

Abstract: 本发明公开了一种光照射装置及方法、结晶装置及方法、设备和光调制元件。光照射装置包括光调制元件(1)，调制入射光束的相位以便获得具有最小光强的底部的V形光强分布，以及成像光学系统(3)，以在照射目标表面上提供V形光强分布的方式，将所调制的光束从光调制元件施加到照射目标表面(4)上。光调制元件具有一复振幅透射率分布，使在成像光学系统的图像空间中，在V形光强分布的底部处，复振幅分布的相位值的二次导数基本上变为零。

公开(公告)号：CN101071758A

公开(公告)日：2007-11-14

申请号：CN200710097036.6

申请日：2003-09-25

Applicant: 株式会社液晶先端技术开发中心

Inventor： 十文字正之 ,  松村正清 ,  木村嘉伸 ,  西谷干彦 ,  平松雅人 ,  谷口幸夫 ,  中野文树 ,  小川裕之

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L29/04 ,  H01L29/786 ,  B23K26/04 ,  B23K26/06 ,  B23K26/067 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明提供一种半导体装置、退火方法、退火装置和显示装置。本发明的半导体装置具有在同一基片上的半导体装置电路内有2种以上平均晶粒直径的半导体层。