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公开(公告)号：CN102664348B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210152025.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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公开(公告)号：CN101346858B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200780000885.3
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN102474073B
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201180002926.9
申请日：2011-05-18
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: G03G15/04 , B41J2/442 , B41J2/471 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 一种表面发射激光器器件，包括设置在发射区域内并被构造成导致在发生区域内在周边部分的反射率不同于在中心部分的反射率的透明介电层。在表面发射激光器器件中，在发射区域中，接触层的厚度在具有相对高反射率的区域和具有相对低反射率的区域之间不同。接触层设置在上部多层膜反射镜的高折射率层上，并且在具有相对低反射率的区域内，高折射率层和接触层的总光学厚度偏离从发射区域发射的激光的四分之一振荡波长的奇数倍。
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公开(公告)号：CN101776224B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201010116997.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN101765951B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200880101129.4
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18358 , B41J2/45 , H01S5/0021 , H01S5/18313 , H01S5/423
Abstract: 公开一种表面发射激光器，其能够容易地制造，具有更高的产率和更长的使用寿命。在表面发射激光器中，选择性氧化层被包括作为上半导体分布式布拉格反射器的低折射率层的一部分；包括选择性氧化层的低折射率层包括邻接选择性氧化层的两个中间层和邻接中间层的两个低折射率层。中间层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的，低折射率层中的铝含量比率低于选择性氧化层中的。该构型使得能够提供对氧化层的厚度和氧化速率更多的控制，从而使得能够降低氧化层的厚度的变化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102136677A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110037067.9
申请日：2007-08-20
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H01S5/18 , B82Y20/00 , H01S5/0203 , H01S5/18313 , H01S5/18358 , H01S5/2213 , H01S5/3434 , H01S5/423 , H01S2302/00
Abstract: 一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括：第一反射层(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成为接触第一反射层并包含有源层(104)；以及第二反射层(106，107)，形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021)，该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。
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公开(公告)号：CN101776224A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201010116997.9
申请日：2007-04-27
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/45 , B41J2/473 , B82Y20/00 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/3432 , H01S5/423
Abstract: 一种面发光激光阵列，包括设置成二维阵列形式的多个面发光激光二极管元件，其中，从沿第二方向排列的多个面发光激光二极管元件的各自中心起垂直于沿同该第二方向垂直的第一方向延伸的直线绘制的多条直线被形成为沿该第一方向具有大致相等的间隔，多个面发光激光二极管元件沿第一方向以被设定为基准值的间隔排列，以及沿第一方向排列的面发光激光二极管元件的数量少于沿第二方向排列的面发光激光二极管元件的数量。
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公开(公告)号：CN105934887A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580005894.6
申请日：2015-01-26
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: H03L7/26 , G04F5/14 , H01L23/345 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/02453 , H01S5/183 , H05K1/028 , H05K1/0296 , H05K1/11 , H05K1/189 , H05K3/0052 , H05K2201/052 , H05K2201/055 , H05K2201/056 , H05K2201/09063 , H05K2201/10075 , H05K2201/10174 , H05K2201/2018 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种原子振荡器，包括气体隔室和多个部件。多个部件包括用于气体隔室的温度控制装置；发射激励光以激励封装在气体隔室中的原子的激励光源；用于激励光源的温度控制装置；以及检测穿过气体隔室的激励光的光接收元件。多个部件被安装在具有引线的绝缘膜上。
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公开(公告)号：CN102439806B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201080022491.X
申请日：2010-03-15
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S5/183
CPC classification number: B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
Abstract: 本发明公开了一种制造表面发射激光器的方法，包括层叠透明介电层在层叠体的上表面上；形成第一抗蚀剂图案在介电层的上表面上，第一抗蚀剂图案包括限定台地结构的外周的图案和保护与发射区域中包括的相对高反射率部分和相对低反射率部分中的一个相对应的区域的图案；通过利用第一抗蚀剂图案作为掩膜蚀刻介电层；以及形成包括与整个发射区域相对应的区域的第二抗蚀剂图案。这些步骤在形成台地结构之前执行。
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公开(公告)号：CN101356702B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200780001407.4
申请日：2007-08-20
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01S3/00
Abstract: 一种表面发射激光器阵列包括多个表面发射激光器元件(1)。每个表面发射激光器元件包括：第一反射层(102)，形成于基板(101)上；共振器腔(103，104，105)，形成为接触第一反射层并包含有源层(104)；以及第二反射层(106，107)，形成于第一反射层上方并接触共振器腔。第二反射层包含选择性氧化层(107)。第一反射层在有源层侧至少包含低折射率层(1021)，该低折射率层由例如AlAs制成且氧化速率相当于或高于包含在第二反射层内的选择性氧化层(107)的氧化速率。共振器腔是由至少包含In的AlGaInPAs基材料制成。台结构的底部位于选择性氧化层下方和第一反射层上方。
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