公开(公告)号：CN1206708C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN02118478.X

申请日：2002-04-27

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  大日本屏幕制造株式会社

Inventor： 井上阳一 ,  坂下由彦 ,  渡邉克充 ,  川上信之 ,  石井孝彦 ,  村冈祐介 ,  齐藤公続 ,  岩田智巳 ,  沟端一国雄 ,  三宅孝志 ,  北门龙治

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/00 ,  B08B3/04

CPC classification number: H01L21/02052 ,  H01L21/67028

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法，其特征为，它包括以下工序：在湿式处理装置中向基板供应处理液，进行湿式处理的湿式处理工序，把前述湿式处理后的基板在保持未干燥的状态下运送到与前述基板处理装置分开设置的干燥处理装置中的运送工序，以及在前述干燥处理装置中对前述基板进行采用超临界流体进行超临界干燥处理的干燥处理工序。本发明还提供一种基板处理设备，其特征为，它配备有：向基板供应处理液进行湿式处理的湿式处理装置，与该湿式处理装置分别设置、对基板进行采用超临界流体的超临界干燥处理的干燥处理装置，以及将前述湿式处理后的基板从前述湿式处理装置中取出、在保持其未干燥的状态下运送到前述干燥处理装置中的运送机构。

公开(公告)号：CN1204603C

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN02118458.5

申请日：2002-04-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 川上信之 ,  铃木康平 ,  饭岛胜之 ,  田中丈晴 ,  长濑佳之 ,  增田薰

IPC: H01L21/304 ,  F26B5/06 ,  G03F7/40

CPC classification number: G03F7/32 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明是一种在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触进行干燥的方法。采用本发明的干燥方法，在用液态/超临界二氧化碳处理前，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下使之与二氧化碳接触，从而能够尽可能地抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。另外，包括使用含水溶剂的洗涤工序的情况下，由于其构成为用排水液置换水，再用碳氟化合物系溶剂置换该排水液，因此能够迅速进行采用液态/超临界二氧化碳的干燥之前的工序，也可以抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。

公开(公告)号：CN108146047A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201711002028.9

申请日：2017-10-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 慈幸范洋 ,  川上信之 ,  矶村良幸 ,  冲本忠雄

IPC: B32B27/36 ,  B32B27/06 ,  B32B33/00 ,  B32B37/00 ,  B32B38/00 ,  B32B38/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/513 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明其课题在于，提供一种既具有充分的阻气性，翘曲又小的氮化硅层叠膜。本发明的氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中至少1层的特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。

公开(公告)号：CN105659372A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057464.4

申请日：2014-12-01

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 林和志 ,  川上信之 ,  三木绫 ,  钉宫敏洋

IPC: H01L21/66 ,  G01N22/00 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G01N22/00 ,  G01N21/63 ,  G01N21/8422 ,  G01N27/04 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种对氧化物半导体薄膜的电阻率进行正确且简便的测定，进行评价、预测、推定的方法以及氧化物半导体的品质管理方法。涉及本发明的氧化物半导体薄膜的评价方法包括：第一工序，在对形成了氧化物半导体薄膜的样品照射激励光以及微波，且测定了因所述激励光的照射而变化的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的最大值之后，停止照射所述激励光，测定所述激励光的照射停止后的所述微波的来自所述氧化物半导体薄膜的反射波的反射率的变化；以及第二工序，根据所述反射率的变化，计算出与激励光的照射停止后呈现的慢衰减对应的参数，对所述氧化物半导体薄膜的电阻率进行评价。

公开(公告)号：CN101335203B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200810108560.3

申请日：2008-05-27

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 后藤裕史 ,  越智元隆 ,  武富雄一 ,  川上信之

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/84 ,  H01L23/532 ,  H01L29/43 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1343 ,  H01B13/00 ,  H01B5/14

CPC classification number: G02F1/136286 ,  B32B2457/20 ,  C22C21/00 ,  G02F2001/136295

Abstract: 本发明提供一种层叠构造及其制造方法，其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻且直接连接氧化物透明导电膜和Al合金、布线电阻小，在显影液等电解质液中不易发生电池作用腐蚀。其中制造层叠构造的方法具备有：在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上，对所述Al合金膜进行加热的第三工序。

公开(公告)号：CN100521077C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610171976.0

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 平野贵之 ,  川上信之 ,  田中丈晴 ,  铃木哲雄 ,  福本吉人 ,  中西和树 ,  金森主祥

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H01P3/08 ,  H01P11/00

CPC classification number: H05K3/0011 ,  B32B21/04 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969

Abstract: 一种多孔基板，包括：在基板内部的三维网状骨架、以及与在基板至少一个表面上形成的骨架固相质量相同的表层，并且其制造方法包括：通过溶胶-凝胶反应在一对平板之间的空间中形成湿凝胶，该湿凝胶具有三维网状骨架固相和富含溶剂的液相，所述固相和液相相互分离，通过干燥去除湿凝胶中的溶剂，和除去该对平板中的至少一个平板。

公开(公告)号：CN100378974C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200310114841.7

申请日：2003-11-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 橘武史 ,  林和志 ,  井上宪一 ,  横田嘉宏 ,  小桥宏司 ,  川上信之 ,  古保里隆

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。

公开(公告)号：CN101009205A

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200610171976.0

申请日：2006-09-29

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  国立大学法人京都大学

Inventor： 平野贵之 ,  川上信之 ,  田中丈晴 ,  铃木哲雄 ,  福本吉人 ,  中西和树 ,  金森主祥

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/48 ,  H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  H01L23/498 ,  H01L23/12 ,  H05K1/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  H01P3/08 ,  H01P11/00

CPC classification number: H05K3/0011 ,  B32B21/04 ,  H05K1/024 ,  H05K1/0306 ,  H05K2201/0116 ,  Y10T428/249953 ,  Y10T428/249969

Abstract: 一种多孔基板，包括：在基板内部的三维网状骨架、以及与在基板至少一个表面上形成的骨架固相质量相同的表层，并且其制造方法包括：通过溶胶－凝胶反应在一对平板之间的空间中形成湿凝胶，该湿凝胶具有三维网状骨架固相和富含溶剂的液相，所述固相和液相相互分离，通过干燥去除湿凝胶中的溶剂，和除去该对平板中的至少一个平板。

公开(公告)号：CN1627535A

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN200410100654.8

申请日：2004-12-10

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 横田嘉宏 ,  川上信之 ,  橘武史 ,  林和志

IPC: H01L29/78 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L29/1602 ,  H01L29/78

Abstract: 一种金刚石半导体器件，包括：大致由单晶金刚石制成的基片；第一金刚石层，其局部放置在基片上，含有杂质；第二金刚石层，其含有杂质，所述第二金刚石层局部放置在基片上，且与第一金刚石层隔开；以及第三金刚石层，其杂质含量小于第一和第二金刚石层，充当沟道区，且电荷通过其从第一金刚石层传递到第二金刚石层。第一和第二金刚石层分别具有彼此面对的第一和第二端部，第二端部和第一端部之间形成一空间。第一和第二端部分别具有根据基片取向外延形成的相应倾斜面。第三金刚石层在所述倾斜面和位于空间下面的基片的部分上。

公开(公告)号：CN1499620A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310114841.7

申请日：2003-11-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 橘武史 ,  林和志 ,  井上宪一 ,  横田嘉宏 ,  小桥宏司 ,  川上信之 ,  古保里隆

IPC: H01L23/373

CPC classification number: H01L23/3732 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种散热器和使用了该散热器的半导体元件和半导体封装体。在本发明的带有散热器的半导体元件和半导体封装体中，在半导体元件的背面上直接接合了由金刚石层或碳化硅和氮化铝等的陶瓷层构成的具有高热传导特性的散热器。在半导体元件的制作工序前、工序中或工序后的任一过程中，将该散热器直接覆盖并形成在作为基体材料的硅晶片或芯片上。利用这样的结构使半导体元件的散热特性良好，同时可一同提高半导体元件的安装可靠性和散热片的接合可靠性。此外，在本发明的散热器中，经高分子粘接层将金属或陶瓷构件覆盖在金刚石层上。金刚石层的结晶在金刚石层的厚度方向上具有纤维状结构或微结晶。金刚石层的与该由金属或陶瓷构成的构件的接合面具有纤毛状结构。该结构作为半导体封装体的冷却散热器，其散热特性极为良好，其本身具有足够的强度、平面性和气密性，而且与半导体元件和陶瓷等的构成封装体本体的密封材料的粘接性是良好的。