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公开(公告)号：CN103154308B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180048311.X
申请日：2011-10-05
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供使用了溅射靶时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射靶。本发明的Al基合金溅射靶含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号：CN103348036B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201180066834.7
申请日：2011-12-20
IPC: C23C14/34 , C22C9/00 , C22C21/00 , H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/3407 , C22C1/02 , C22C9/00 , C22C21/00 , C23C14/3414
Abstract: 在将距Al基合金或Cu基合金溅射靶的最表面1mm以内的深度的溅射面法线方向的结晶方位 ±15°、 ±15°、 ±15°、 ±15°及 ±15°的合计面积率设为P值时，满足下述（1）及/或（2）的要件，由此可提高预溅射时以及接着进行的向基板等的溅射时的成膜速度，且能够抑制飞溅等溅射不良。其中，（1）相对于所述P值的 ±15°的面积率PA：40%以下，（2）相对于所述P值的 ±15°和 ±15°的合计面积率PB：20%以上。
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公开(公告)号：CN102102183B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010597854.4
申请日：2010-12-16
Abstract: 提供一种Al基合金溅射靶，其能够消除在溅射的初期阶段发生的问题(例如飞溅的个数的增加和所形成的薄膜的电阻的上升)，可以缩短预溅射时间。本发明涉及一种Al基合金溅射靶，其中，以JIS B0601(2001)所规定的方法测量溅射面的表面粗糙度时，算术平均粗糙度Ra为1.50μm以下，以及最大高度Rz为10μm以下，并且，将从粗糙度曲线的中心线至波峰或波谷的高度超过0.25×Rz的峰值高度分别设为P或Q，跨越基准长度100mm，依次计数P和Q时，P到紧邻其后出现的Q再到紧邻该Q后出现的P之间的间隔L的平均值为0.4mm以上。
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公开(公告)号：CN102197335A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142715.8
申请日：2009-11-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G02F1/1343 , C23C14/34 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L23/52 , H01L29/786
CPC classification number: C23C14/18 , C23C14/3414 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明开发在显示设备所用的薄膜晶体管基板的布线构造中能够使Al合金膜与透明像素电极直接接触、同时能够改善相对于在薄膜晶体管的制造工艺中所用胺系剥离液的腐蚀性的Al合金膜，提供具备该Al合金膜的显示设备。本发明涉及一种显示装置用Al合金膜，其为在显示装置的基板上与透明导电膜直接连接的Al合金膜，该Al合金膜含有0.05～2.0原子％的Ge和选自元素组X(Ni、Ag、Co、Zn、Cu)的至少1种元素，同时含有0.02～2原子％的选自由稀土类元素所构成的元素组Q的至少1种元素，且上述Al合金膜中存在含Ge的析出物和/或Ge浓化部的显示装置用Al合金膜及具备该Al合金膜的显示装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1966749A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610144791.0
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 提供一种具有优异延伸率的Zn－Al合金及其制备方法。Zn－Al合金包含68到88质量％范围内的Zn并且余量包括Al和不可避免杂质，且具有β相被细微分散于平均晶粒大小不超过5μm的各个α相或各个α’相内的组织，且在所述组织中的Al的宏观偏析值小于3％，其中片状组织在所述组织的中心部分内不高于30体积％，而且在所述组织的中心部分和表层区域之间的平均硬度之差不大于15％，因而所述Zn－Al合金在延伸率和均匀性上获得改善。
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公开(公告)号：CN101469961B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200810189875.5
申请日：2008-10-21
Applicant: 株式会社科倍可菱材料 , 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种断裂强度优异的热交换器用铜合金管，即使在二氧化碳及HFC系氟利昂等新制冷剂的高运转压力下被薄壁化，也可耐用，断裂强度优异。具有含有特定量的Sn、P的组成，平均晶粒直径为30μm以下，管的长度方向的抗拉强度为250MPa以上的高强度，其中，该铜合金管具有Goss方位的方位分布密度为4％以下的集合组织，从而使断裂强度提高。
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公开(公告)号：CN101960032B
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN200980108047.7
申请日：2009-03-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明的目的在于提供高温下的强度和延伸率优异，同时高温下的蠕变特性也优异的镁合金及其制造方法。本发明的镁合金通过在对分别含有特定量Y和Sm的镁合金铸造后实施固溶处理后进行热加工，进一步实施时效处理，从而减小组织的平均结晶粒径。而且，本发明通过获得Y和Sm在镁基体中固溶量与结晶粒内的特定大小的析出物个数的平衡，可获得高温下的强度和延伸率优异、同时高温下的蠕变特性优异的镁合金。
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公开(公告)号：CN102051504A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010529527.5
申请日：2010-10-28
Abstract: 本发明提供一种Al基合金溅射靶，其对于形成低布线电阻和抗小丘性优异的金属薄膜有用，优选还能够抑制溅射时的飞溅发生。本发明涉及Al基合金溅射靶，其含有Fe为0.0010～0.4质量％和Si为0.0010～0.50质量％。
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公开(公告)号：CN101194035A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200580049707.0
申请日：2005-06-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C22C18/04 , B22D21/007 , B22D21/027 , C22C21/10 , C22C30/06 , C22F1/053 , C22F1/165
Abstract: 提供一种不仅静态变形能优异而且动态变形能也优异，还能够在大型结构物上应用的Zn－Al合金及其有效的制造方法。是含有Zn：30～99％(质量％的意思，下同)，余量由Al和不可避免的杂质构成的Zn－Al合金，是在平均晶粒径为5μm以下的α相或α’相中细密地分散有β相的组织，Al系夹杂物的最大径为50μm以下，并且不存在以圆当量直径计为0.5mm以上的孔隙，并且，Al的宏观偏析低于3.0％，Al的微观偏析低于2.0％。
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