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公开(公告)号：CN103154308A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048311.X
申请日：2011-10-05
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供使用了溅射钯时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射钯。本发明的Al基合金溅射钯含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号：CN103154308B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201180048311.X
申请日：2011-10-05
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供使用了溅射靶时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射靶。本发明的Al基合金溅射靶含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号：CN104245623B
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201380019399.1
申请日：2013-04-10
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/447 , C04B35/645 , C23C14/34 , H01M10/0562
CPC classification number: H01J37/3429 , C01D15/00 , C04B35/447 , C04B35/62605 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/5436 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/3414 , H01J2237/332 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供一种不会发生靶的裂纹和异常放电，能够稳定地并以高的成膜速度成膜为作为二次电池等的固体电解质有用的含Li磷酸化合物薄膜，兼备高相对密度和微细的晶粒直径，并且抑制了气孔等缺陷(空隙)的含Li磷酸化合物烧结体。本发明的含Li磷酸化合物烧结体具有以下要旨：在烧结体内部的截面1mm2的区域中不存在50μm以上的缺陷，平均晶粒直径在15μm以下，相对密度在85％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104245623A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201380019399.1
申请日：2013-04-10
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C04B35/447 , C04B35/645 , C23C14/34 , H01M10/0562
CPC classification number: H01J37/3429 , C01D15/00 , C04B35/447 , C04B35/62605 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/5436 , C04B2235/658 , C04B2235/72 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/81 , C23C14/3414 , H01J2237/332 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供一种不会发生靶的裂纹和异常放电，能够稳定地并以高的成膜速度成膜为作为二次电池等的固体电解质有用的含Li磷酸化合物薄膜，兼备高相对密度和微细的晶粒直径，并且抑制了气孔等缺陷(空隙)的含Li磷酸化合物烧结体。本发明的含Li磷酸化合物烧结体具有以下要旨：在烧结体内部的截面1mm2的区域中不存在50μm以上的缺陷，平均晶粒直径在15μm以下，相对密度在85％以上。
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公开(公告)号：CN104204283A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201380015355.1
申请日：2013-03-19
CPC classification number: H01J37/3426 , B28B3/025 , C04B35/01 , C04B35/016 , C04B35/26 , C04B35/62695 , C04B35/645 , C04B2235/3203 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/652 , C04B2235/6567 , C04B2235/663 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01J2237/332 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M6/40
Abstract: 本发明提供一种含Li过渡金属氧化物烧结体，其作为杂质元素的Al、Si、Zr、Ca以及Y被抑制为Al≤90ppm、Si≤100ppm、Zr≤100ppm、Ca≤80ppm、Y≤20ppm的范围内，并且满足相对密度为95％以上以及电阻率小于2×107Ωcm。根据本发明，能够不产生异常放电地、稳定地以高成膜速度成膜为作为二次电池等的正极薄膜来说有用的含Li过渡金属氧化物薄膜。
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公开(公告)号：CN101335203B
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200810108560.3
申请日：2008-05-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/84 , H01L23/532 , H01L29/43 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01B13/00 , H01B5/14
CPC classification number: G02F1/136286 , B32B2457/20 , C22C21/00 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明提供一种层叠构造及其制造方法，其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻且直接连接氧化物透明导电膜和Al合金、布线电阻小，在显影液等电解质液中不易发生电池作用腐蚀。其中制造层叠构造的方法具备有：在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上，对所述Al合金膜进行加热的第三工序。
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公开(公告)号：CN101335294A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810128672.5
申请日：2008-06-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/45 , H01L29/786 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/124 , H01L29/458
Abstract: 提供一种即使减少Al合金中的合金元素，仍能够降低与透明氧化物导电膜的接触阻抗的低接触阻抗型电极，和用于制造这种电极的有用的方法，以及具有这种电极的显示装置。本发明的低接触阻抗型电极，在与氧化物透明导电膜直接接触的由Al合金膜构成的低接触阻抗型电极中，所述Al合金膜以0.1～1.0原子％的比例含有比Al离子化倾向小的金属元素，且Al合金膜与氧化物透明电极直接接触的Al合金膜表面，形成有以最大的高粗糙度Rz计为5nm以上的凹凸。
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公开(公告)号：CN101335203A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810108560.3
申请日：2008-05-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/84 , H01L23/532 , H01L29/43 , H01L27/12 , G02F1/1362 , G02F1/1343 , H01B13/00 , H01B5/14
CPC classification number: G02F1/136286 , B32B2457/20 , C22C21/00 , G02F2001/136295
Abstract: 本发明提供一种层叠构造及其制造方法，其不增加氧化物透明导电膜和Al合金膜之间的接触电阻且直接连接氧化物透明导电膜和Al合金、布线电阻小，在显影液等电解质液中不易发生电池作用腐蚀。其中制造层叠构造的方法具备有：在基板上形成所述氧化物透明导电膜的第一工序、在该氧化物透明导电膜上形成含有离子化倾向比铝小的合金成分的Al合金膜的第二工序、在由铝和所述合金成分构成的金属间化合物的析出温度以上，对所述Al合金膜进行加热的第三工序。
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