公开(公告)号：CN101376962A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810145432.6

申请日：2008-08-05

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  森元荣一 ,  松崎均 ,  田内裕基

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  B22F3/02

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F3/15 ,  C22C5/06 ,  G11B7/259

Abstract: 本发明提供一种能够在膜面方向(膜面内)稳定地形成成分均匀性优异的薄膜的Ag－Ta－Cu合金溅射靶。该溅射靶由Ta含量为0.6～10.5原子％、Cu含量为2～13原子％的Ag基合金构成，对溅射靶的溅射面进行图像分析时，(1)相对于Ta粒子的整个面积，当量圆直径为10～50μm的Ta粒子的合计面积为60面积％以上，且，Ta粒子的平均重心间距离为10～50μm；(2)相对于Cu粒子的整个面积，当量圆直径为10μm～50μm的Cu粒子的合计面积为70面积％以上，且，Cu粒子的平均重心间距离为60μm～120μm。

公开(公告)号：CN104471102A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201380036833.7

申请日：2013-07-24

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 后藤裕史 ,  松崎均

IPC: C23C14/34 ,  H01L21/285

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C23C14/165 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种Cu合金薄膜形成用溅射靶及其制造方法，其是作为液晶显示器等显示设备用电极膜等有用的Cu—Mn合金薄膜的制膜所用的溅射靶，溅射时，可减少异常粗大化的团簇粒子，微粒或飞溅的发生少。本发明的Cu合金薄膜形成用溅射靶是至少含有Mn，Mn的含量为2原子％以上且20原子％以下的Cu合金溅射靶，溅射靶的厚度方向的t/2截面的维氏硬度控制在50HV以上且100HV以下。

公开(公告)号：CN101445913A

公开(公告)日：2009-06-03

申请号：CN200810161076.7

申请日：2008-09-26

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松崎均

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

Abstract: 本发明提供一种可用于形成面内均匀性非常优良的Ag系薄膜的Ag系溅射靶及Ag系薄膜。Ag系薄膜的Ag系溅射靶，在通过下述步骤(1)～(3)测定Ag系溅射靶的溅射面的平均晶粒直径dave时，平均晶粒直径dave在10μm以下，步骤(1)在溅射面的面内任意选择多个部位，以40～2000倍的倍率拍摄所选择的各部位的显微镜照片；步骤(2)对各显微镜照片，以井字状或放射线状画4条以上的直线，调查直线上的晶界数量n，对每条直线基于式d＝L/n/m算出晶粒直径d，式中，L表示直线的长度，n表示直线上的晶界数量，m表示显微镜照片的倍率；步骤(3)将所有选择部位的晶粒直径d的平均值作为溅射面的平均晶粒直径dave。

公开(公告)号：CN101376963A

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN200810212643.7

申请日：2008-08-27

Applicant: 株式会社钢臂功科研 ,  索尼碟片数位解决方案股份有限公司

Inventor： 田内裕基 ,  松崎均 ,  大川直树

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  B22F2003/244 ,  B22F2998/10 ,  C22C1/0466 ,  C22C5/06 ,  B22F3/24

Abstract: 本发明涉及一种Ag－基合金溅射靶，所述Ag－基合金溅射靶包含总量为1至15重量％的选自Ti、V、W、Nb、Zr、Ta、Cr、Mo、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Al和Si的至少一种元素，其中所述Ag－基合金溅射靶在其溅射表面上具有2μm以上的算术平均粗糙度(Ra)以及20μm以上的最大高度(Rz)。

公开(公告)号：CN1238554C

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN03800885.8

申请日：2003-06-23

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松崎均 ,  高木胜寿 ,  中井淳一 ,  中根靖夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08

Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20%以下的银合金溅射靶。

公开(公告)号：CN1545569A

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN03800885.8

申请日：2003-06-23

Applicant: 株式会社钢臂功科研

Inventor： 松崎均 ,  高木胜寿 ,  中井淳一 ,  中根靖夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06 ,  C22F1/14

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C5/06 ,  C22C5/08

Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20％以下的银合金溅射靶。