公开(公告)号：CN105390413A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510520733.2

申请日：2015-08-21

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/304 ,  H01L21/301

Abstract: 提供磨削装置，当在晶片的中央部分形成凹部的情况下，高效地磨削晶片而提高凹部的厚度精度。磨削装置(1)具有保持晶片(W)的下表面(Wb)的保持构件(4)以及磨削晶片的上表面(Wa)的中央部分的磨削构件(10)，保持构件具有将保持面(6a)形成为平面的卡盘工作台(5)以及使卡盘工作台旋转的卡盘工作台旋转机构(7)，磨削构件具有在轮基台(111)上将磨石(112)配设成环状的磨轮(11)以及以能够旋转的方式安装磨轮的主轴单元(12)，磨轮的磨石的外侧面(113)与凹部(W3)的内侧面相接，磨石的外周的直径(D)为凹部的半径(r)以上直径(R)以下且磨石采用始终经过晶片的中心(O)的结构。

公开(公告)号：CN102693923A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210077907.9

申请日：2012-03-22

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L24/29 ,  H01L23/481 ,  H01L24/11 ,  H01L24/75 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/75315 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/11

Abstract: 半导体器件晶片的接合方法，不会在凸块之间形成导电路径，且使用了各向异性导电材料。将形成有多个具备多个凸起电极的半导体器件的第一半导体器件晶片接合于具备与该凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片，具有以下步骤：绝缘体覆盖步骤，用绝缘体覆盖第一半导体器件晶片的凸起电极侧，将绝缘体填充到凸起电极之间；凸起电极端面露出步骤，使覆盖有该绝缘体的第一半导体器件晶片的凸起电极侧平坦，使凸起电极的端面露出；接合步骤，在实施了凸起电极端面露出步骤后，使各向异性导电体介入到具有与凸起电极对应的电极的第二半导体器件晶片的电极与第一半导体器件晶片的凸起电极之间，将第一半导体器件晶片与第二半导体器件晶片接合，连接电极和凸起电极。

公开(公告)号：CN102479697A

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN201110048074.9

申请日：2011-02-28

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊

IPC: H01L21/304 ,  B23B1/00 ,  B23B5/00

Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的加工方法，能够将透光性模制树脂精加工至预期的厚度，而不会产生挤裂或者发生电极之间的短路。光器件晶片在发光层形成有多个光器件，并且在该发光层的表面覆盖有使光特性提高的透光性模制树脂，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，该光器件晶片的加工方法包括：保持工序，在该保持工序中，以使所述透光性模制树脂露出的方式将光器件晶片保持于卡盘工作台；以及车削工序，在该车削工序中，使车刀在旋转的同时作用于由所述卡盘工作台保持的光器件晶片的所述透光性模制树脂，对该透光性模制树脂均匀地进行车削，从而将该透光性模制树脂精加工至预期的厚度。

公开(公告)号：CN1412831A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02129869.6

申请日：2002-08-20

Applicant: 富士通株式会社 ,  株式会社迪思科

Inventor： 下别府祐三 ,  手代木和雄 ,  吉本和浩 ,  渡部光久 ,  新城嘉昭 ,  森俊 ,  矢嶋兴一 ,  木村祐辅

IPC: H01L21/68

CPC classification number: B24B37/30

Abstract: 一种板状物支撑部件及其使用方法，即使是通过研磨变薄的刚性降低的板状物，也可以不变更研磨装置的构造而顺畅地进行在研磨装置内的搬送及向盒内的收纳。使用至少由支撑板状物的板状物支撑区域11、固定机架15的机架固定区域13构成的板状物支撑部件10，通过保护胶带16支撑与机架15成为一体的板状物W，在将其吸引保持在研磨装置的卡盘台25上进行研磨的同时，在研磨装置内的半导体晶片的搬送以及向盒内的收纳也以通过板状物支撑部件10被支撑的状态进行。

公开(公告)号：CN110364471B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN201910260341.5

申请日：2019-04-02

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  右山芳国 ,  谷山优太 ,  生岛充 ,  波冈伸一 ,  齐藤诚 ,  河村慧美子 ,  柿沼良典 ,  椙浦一辉

IPC: H01L21/683

Abstract: 提供保护片配设方法。该方法包含：第一保护片准备工序，准备第一保护片；保护片粘贴工序，将晶片定位于框架的开口部，在外周剩余区域和框架上粘贴第一保护片；盒收纳工序，将配设于框架的晶片收纳在盒中；第一台载置工序，将晶片从盒中搬出而载置于第一台上；敷设工序，在第二台上敷设不具有粘接层的第二保护片；液态树脂滴加工序，将晶片从第一台搬出并使第一保护片与第二保护片面对，对第二保护片的与晶片的中央对应的区域滴加液态树脂；一体化工序，隔着第一保护片将晶片向液态树脂按压，利用第二、第一保护片将液态树脂推开至与晶片对应的整个面而将第一保护片粘贴于第二保护片并一体化；和切断工序，沿着晶片的外周将第一、第二保护片切断。

公开(公告)号：CN110534471A

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201910434221.2

申请日：2019-05-23

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  波冈伸一

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/304

Abstract: 提供卡盘工作台。在销卡盘工作台中，在不容易发生热变形的材质上形成不会在车削加工中剥离的镀层。在对板状工件(W)的下表面(Wb)进行吸引保持而利用刀具工具(64)对上表面(Wa)进行车削加工的加工装置(1)中使用的卡盘工作台(30)具有：外周环状壁(300)，其利用环状的上表面(300a)对板状工件下表面的外周部分进行支承；吸引凹部(301)，其形成于外周环状壁(300)的内侧，具有比外周环状壁的上表面低的底面(301b)；吸引口(301c)，其形成于吸引凹部(301)的底面，与吸引源(36)连通；以及支承销(304)，其在底面(301b)上避开吸引口而等间隔地竖立设置有多个，支承销的上表面(304a)与外周环状壁(300)的上表面(300a)为同一高度，在外周环状壁的侧面(300c、300d)和上表面(300a)上以及支承销(304)的侧面(304c)和上表面(304a)上形成有镀层(M)。

公开(公告)号：CN109216159A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201810658962.4

申请日：2018-06-25

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 饭塚健太吕 ,  大宫直树 ,  森俊 ,  北野元己 ,  平田和也 ,  北村宏

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/677

Abstract: 提供晶片生成装置，能够从单晶SiC锭自动地生成SiC晶片。该晶片生成装置从单晶SiC锭生成SiC晶片，其中，该晶片生成装置包含：锭磨削组件；激光照射组件，其将对于单晶SiC锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位在距离单晶SiC锭的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度而对单晶SiC锭照射激光光线，形成剥离层；晶片剥离组件，其将SiC晶片从单晶SiC锭的剥离层剥离；以及搬送组件，其在锭磨削组件、激光照射组件以及晶片剥离组件之间对单晶SiC锭进行搬送。

公开(公告)号：CN109037027A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810507100.1

申请日：2018-05-24

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 饭塚健太吕 ,  大宫直树 ,  森俊 ,  山中聪 ,  平田和也

IPC: H01L21/02

CPC classification number: B23K26/53 ,  B23K26/0006 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02002 ,  H01L29/1608 ,  H01L21/02008 ,  H01L21/02041

Abstract: 本发明提供一种晶片生成装置，其能够由单晶SiC晶锭自动地生成SiC晶片。晶片生成装置(2)包含：保持单元(4)，其对单晶SiC晶锭(150)进行保持；平坦化单元(6)，其对保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面进行磨削以将其平坦化；激光照射单元(8)，其将具有对于单晶SiC晶锭(150)来说为透过性的波长的激光光线(LB)的聚光点(FP)定位在距离保持单元(4)所保持的单晶SiC晶锭(150)的上表面相当于要生成的SiC晶片的厚度的深度，对单晶SiC晶锭(150)照射激光光线LB，形成剥离层(170)；晶片剥离单元(10)，其对单晶SiC晶锭(150)的上表面进行保持，将SiC晶片(172)从剥离层(170)剥离；以及晶片收纳单元(12)，其收纳剥离得到的SiC晶片(172)。

公开(公告)号：CN107442943A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710327584.7

申请日：2017-05-10

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊 ,  高泽徹

IPC: B23K26/36 ,  B23K26/70 ,  H01L21/78

Abstract: 提供扩展片，将成本抑制得较低。一种扩展片(1)，其在粘贴有板状的被加工物(11)的状态下被扩展，该扩展片(1)具有：基材(3)；第1糊层(5a)，其在基材上形成在供被加工物粘贴的位置；以及第2糊层(5b)，其在基材上形成在供环状的框架(21)粘贴的位置，基材在除第1糊层和第2糊层以外的区域露出。

公开(公告)号：CN102479697B

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201110048074.9

申请日：2011-02-28

Applicant: 株式会社迪思科

Inventor： 森俊

IPC: H01L21/304 ,  B23B1/00 ,  B23B5/00

Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的加工方法，能够将透光性模制树脂精加工至预期的厚度，而不会产生挤裂或者发生电极之间的短路。光器件晶片在发光层形成有多个光器件，并且在该发光层的表面覆盖有使光特性提高的透光性模制树脂，所述光器件晶片的加工方法的特征在于，该光器件晶片的加工方法包括：保持工序，在该保持工序中，以使所述透光性模制树脂露出的方式将光器件晶片保持于卡盘工作台；以及车削工序，在该车削工序中，使车刀在旋转的同时作用于由所述卡盘工作台保持的光器件晶片的所述透光性模制树脂，对该透光性模制树脂均匀地进行车削，从而将该透光性模制树脂精加工至预期的厚度。