-
公开(公告)号：CN105788997B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201610216950.7
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
-
公开(公告)号：CN105684122A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201480058539.0
申请日：2014-08-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 透过型光电阴极(2)包括：光透过性基板(4)，其具有光入射的外侧面(4a)和出射从外侧面(4a)侧入射的光的内侧面(4b)；设置在光透过性基板(4)的内侧面(4b)侧、将从内侧面(4b)出射的光转换为光电子的光电转换层(5)；和设置在光透过性基板(4)和光电转换层(5)之间的由石墨烯构成的光透过性导电层(6)。
-
公开(公告)号：CN104603907A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201380046343.5
申请日：2013-07-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/86 , C23C16/45525 , H01J5/08 , H01J5/10 , H01J29/88 , H01J31/50 , H01J40/18
Abstract: 在本发明所涉及的电子管(1)中，具有电绝缘层以及导电层的层叠结构或者电绝缘材料以及导电材料的混合结构的电子膜(31)是以通过使用原子层沉积法从而覆盖第2外壳层12的内壁面以及外壁面的整体形式被形成的。通过使用原子层沉积法从而无须含有如粘合剂那样的材料就能够将具有所希望的电阻值的牢固而且致密的电阻膜(31)形成于绝缘面上。然后，通过使电阻膜(31)具有一点点导电性从而就能够抑制发生由于绝缘面的带电等引起的耐压不良，并且能够实现耐电压特性的稳定化。
-
公开(公告)号：CN113454750A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201980092544.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J37/244 , H01J9/22 , H01J1/70 , H01J29/28
Abstract: 荧光体面板的制造方法包括：在出射窗上形成具有多个荧光体颗粒的荧光体层的工序；在荧光体层上形成有机膜的工序；在有机膜上形成金属反射膜的工序；通过烧成除去有机膜的工序；以及通过原子层沉积法形成一体地覆盖金属反射膜的表面和荧光体颗粒的表面的氧化物膜的工序。
-
公开(公告)号：CN110998785A
公开(公告)日：2020-04-10
申请号：CN201880050505.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J40/06
Abstract: 透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105684122B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201480058539.0
申请日：2014-08-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 透过型光电阴极(2)包括：光透过性基板(4)，其具有光入射的外侧面(4a)和出射从外侧面(4a)侧入射的光的内侧面(4b)；设置在光透过性基板(4)的内侧面(4b)侧、将从内侧面(4b)出射的光转换为光电子的光电转换层(5)；和设置在光透过性基板(4)和光电转换层(5)之间的由石墨烯构成的光透过性导电层(6)。
-
公开(公告)号：CN103887126B
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201410085728.9
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol%以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
-
公开(公告)号：CN104603907B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201380046343.5
申请日：2013-07-31
Applicant: 浜松光子学株式会社
CPC classification number: H01J29/86 , C23C16/45525 , H01J5/08 , H01J5/10 , H01J29/88 , H01J31/50 , H01J40/18
Abstract: 在本发明所涉及的电子管(1)中，具有电绝缘层以及导电层的层叠结构或者电绝缘材料以及导电材料的混合结构的电子膜(31)是以通过使用原子层沉积法从而覆盖第2外壳层12的内壁面以及外壁面的整体形式被形成的。通过使用原子层沉积法从而无须含有如粘合剂那样的材料就能够将具有所希望的电阻值的牢固而且致密的电阻膜(31)形成于绝缘面上。然后，通过使电阻膜(31)具有一点点导电性从而就能够抑制发生由于绝缘面的带电等引起的耐压不良，并且能够实现耐电压特性的稳定化。
-
公开(公告)号：CN102067264B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN200880129779.X
申请日：2008-11-07
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够使各种特性提高的光电阴极。在光电阴极(10)中，在基板(12)上依次形成中间层(14)、基底层(16)以及光电子射出层(18)。光电子射出层(18)含有Sb和Bi，具备根据光的入射而向外部射出光电子的功能，光电子射出层(18)中含有相对于Sb以及Bi为32mol％以下的Bi。由此，能够使低温时的线性度飞跃性地提高。
-
公开(公告)号：CN110998785B
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN201880050505.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01J40/06
Abstract: 透过型光电阴极具备：光透过性基板，其具有入射光的第一表面以及出射从第一表面侧入射的光的第二表面；光电变换层，其被设置于光透过性基板的第二表面侧，并且将从第二表面被出射的光转换为光电子；光透过性导电层，其由设置于光透过性基板和光电变换层之间的单层的石墨烯构成；以及具有光透过性的热应力缓和层，其被设置于光电变换层和光透过性导电层之间。热应力缓和层的热膨胀系数比光电变换层的热膨胀系数小，并且比石墨烯的热膨胀系数大。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.034 seconds)
