-
公开(公告)号：CN102601725A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210020581.6
申请日：2012-01-18
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/245
Abstract: 本发明涉及在双面加工设备的两个工作盘(13、26)的每一个工作盘上提供平整工作层(32、39)的方法，所述双面加工设备包括环形的上工作盘(13)、环形的下工作盘(26)和辊装置(20、21)，其中以相对于所述双面加工设备的对称轴(28)可旋转的方式安装所述两个工作盘(13、26)和辊装置(20、21)，并且其中所述方法按照如下顺序包括以下步骤：(a)将下中间层(29)施加于所述下工作盘表面(26)和将上中间层(16)施加于所述上工作盘表面(13)；(b)通过至少3个修整设备同时平整所述两个中间层(16、29)，所述修整设备均包括修整盘(34)、至少一个包含磨料物质的修整体(35、36)和外齿(37)，其中在压力以及加入不包含具有摩擦功能的物质的冷却剂下，所述修整设备通过辊装置(20、21)和外齿(37)以摆线轨迹在所述中间层(16、29)上运动，并由此从所述中间层(16、29)去除材料；和(c)将厚度均匀的下工作层(32)施加于下中间层(29)和将厚度均匀的上工作层(39)施加于上中间层(16)。
-
公开(公告)号：CN102543709A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110434336.5
申请日：2011-12-15
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
IPC: H01L21/304 , B24B7/22
CPC classification number: B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/02013 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及一种在双面处理设备的两个转动的环形工作盘之间对至少三个半导体晶片的两面同时进行材料去除处理的方法，其中，双面处理设备具有滚动装置，所述滚动装置使至少三个承载件转动，且每个承载件仅具有一个开口，半导体晶片分别以可自由移动的方式嵌入所述开口中，使得半导体晶片在工作盘之间以摆线轨迹移动，而且承载件在双面处理设备中的布置以及开口在承载件中的布置满足以下不等式：R/e·sin(π/N*)-r/e-1≤1.2其中，N*表示周角与相邻的承载件间以最大距离嵌入滚动装置中时的角度之比，r表示用于接收半导体晶片的开口的半径，e表示绕着设有开口的承载件的中点的节圆的半径，R表示承载件借助于滚动装置在工作盘之间移动所沿循的节圆的半径。
-
公开(公告)号：CN101829948A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910204416.4
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
-
公开(公告)号：CN101412201A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810211134.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B37/28 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/32 , Y10T29/49
Abstract: 本发明涉及一种载体，其适于容纳一个或多个半导体晶圆以在精研、研磨或者抛光机中对该半导体晶圆进行加工，所述载体包括由具有高硬度的第一材料组成的核心，该核心完全或者部分由第二材料涂敷，该载体还包括至少一切口以用于容纳所述半导体晶圆，其中所述第二材料为具有20°－90°邵氏A硬度的热固性聚亚安酯弹性体。本发明另外还涉及一种用于涂敷载体的方法以及使用所述载体对多个半导体晶圆进行同时双面材料移除加工的方法。
-
公开(公告)号：CN101355032A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810130056.3
申请日：2008-07-24
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B29/00 , C09G1/02
CPC classification number: C09G1/02 , B24B7/228 , B24B37/044 , H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及用于抛光由半导体材料构成的基材的方法，该方法包括至少一个A型抛光步骤，所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光，该抛光布包含粘结于抛光布中的磨料，其中在该抛光步骤中将抛光剂溶液施加至基材与抛光布之间；以及至少一个B型抛光步骤，所述基材借助该步骤在抛光布上被抛光，该抛光布包含粘结在抛光布中的磨料，其中在该抛光步骤中将包含非粘结的磨料的抛光剂浆料施加至基材与抛光布之间。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101106082A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710128724.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/04 , C30B29/60
CPC classification number: B24B37/08
Abstract: 本发明的主题是一种用于多个半导体晶片的同时双面磨削的方法，其中每一半导体晶片都保持在这样的状态，其在通过旋转装置旋转的多个载具中的一个载具的镂空部分内可自由移动，并因此在摆线轨迹上移动，其中以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工半导体晶片，其中每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层。根据本发明的方法能够通过特定运动学制造极平坦的半导体晶片，该半导体晶片同样也是本发明的主题。
-
公开(公告)号：CN117256040A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202280028959.9
申请日：2022-02-04
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种用于由半导体材料制成的圆柱形棒生产圆盘的方法，该圆柱形棒具有轴线和在该棒的侧表面中且平行于该轴线的识别沟槽。该方法按照给定顺序具有以下步骤：(a)在存在切割装置的情况下，借助于线锯切过程从圆柱形棒同时分离出多个圆盘；(b)在一停留时间段期间，在温度为20℃至50℃的蚀刻浴中利用碱性蚀刻剂蚀刻所述圆盘，其中，从所述圆盘中的每一个去除初始晶圆厚度的不到5/1000作为去除材料；以及(c)借助于使用环形磨削盘作为工具的同时双面磨削工艺磨削所述圆盘。
-
公开(公告)号：CN107052452B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201610898586.7
申请日：2015-04-23
Applicant: 硅电子股份公司
Inventor： G·皮奇
Abstract: 用于沿着严格的凸状切割面从圆柱形工件同时切割出许多切片的方法，包括借助于安装条带和线锯的供给器具以工件的轴线平行于线导辊的轴线地保持工件；借助于供给设备通过线锯的线栅垂直地从上方移动工件，其中线栅是通过围绕线导辊缠绕线并且垂直于线导辊的轴线地在线导辊的凹槽中引导其而由相互平行并且在一个平面内的许多线部分形成的；并且向线部分供给作为切割器具的载液中的坚硬物质的悬浮液，而具有纵向张力的线部分由于线导辊的转动在第一旋转方向和与第一旋转方向相反的第二旋转方向之间的连续交变的结果而相对于工件作相对运动，其中在沿第一方向转动期间，线被移动第一长度，并且在沿第二方向转动期间，线被移动第二长度，并且第二长度被选择成以致比第一长度短，其特征在于，在切割操作开始时，选择第一纵向线张力，并且在切割操作结束时，选择第二纵向线张力，其中第一纵向张力被选择成以便大于第二纵向张力。
-
公开(公告)号：CN103737480B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410030842.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。
-
公开(公告)号：CN101870085B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200910204417.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/10 , H01L21/02 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
53
records
(took 0.032 seconds)
