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公开(公告)号：CN101829948A
公开(公告)日：2010-09-15
申请号：CN200910204416.4
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
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公开(公告)号：CN101412201A
公开(公告)日：2009-04-22
申请号：CN200810211134.2
申请日：2008-08-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B37/28 , B24B37/042 , B24B37/08 , B24B37/32 , Y10T29/49
Abstract: 本发明涉及一种载体，其适于容纳一个或多个半导体晶圆以在精研、研磨或者抛光机中对该半导体晶圆进行加工，所述载体包括由具有高硬度的第一材料组成的核心，该核心完全或者部分由第二材料涂敷，该载体还包括至少一切口以用于容纳所述半导体晶圆，其中所述第二材料为具有20°－90°邵氏A硬度的热固性聚亚安酯弹性体。本发明另外还涉及一种用于涂敷载体的方法以及使用所述载体对多个半导体晶圆进行同时双面材料移除加工的方法。
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公开(公告)号：CN101106082A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710128724.4
申请日：2007-07-12
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B37/04 , C30B29/60
CPC classification number: B24B37/08
Abstract: 本发明的主题是一种用于多个半导体晶片的同时双面磨削的方法，其中每一半导体晶片都保持在这样的状态，其在通过旋转装置旋转的多个载具中的一个载具的镂空部分内可自由移动，并因此在摆线轨迹上移动，其中以材料去除方式在两个旋转加工圆盘之间加工半导体晶片，其中每一所述加工圆盘包括含有粘结磨料的加工层。根据本发明的方法能够通过特定运动学制造极平坦的半导体晶片，该半导体晶片同样也是本发明的主题。
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公开(公告)号：CN103737480B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410030842.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。
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公开(公告)号：CN101870085B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN200910204417.9
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
IPC: H01L21/304 , B24B37/10 , H01L21/02 , C09K3/14
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102189471B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201110060042.0
申请日：2011-03-10
Applicant: 硅电子股份公司
IPC: B24B29/02
CPC classification number: H01L21/02024
Abstract: 本发明涉及用于抛光半导体晶片的方法，其包括在使用抛光垫及在第一步骤中送入包含磨料的抛光剂悬浮液、随后结束送入抛光剂悬浮液及在第二步骤中送入pH值大于或等于12的不含固体的抛光剂溶液的情况下抛光半导体晶片的表面，其中所用的抛光垫在与半导体晶片待抛光的表面接触的面上具有包含凸起的表面结构，且抛光垫不含发挥磨料作用的物质。
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公开(公告)号：CN103737480A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410030842.1
申请日：2011-07-22
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B53/017 , B24B37/08 , B24B37/28
Abstract: 本发明涉及借助于至少一个修整设备修整两个工作层的方法和修整设备，其中所述两个工作层包含粘结磨料并且在用于同时双面加工平坦工件的磨削设备的上工作盘和下工作盘的相向的侧部上施加，其中，所述至少一个修整设备包括修整盘、多个修整体以及外齿，所述至少一个修整设备借助于滚动设备和所述外齿在压力的作用下并添加冷却润滑剂地在旋转的工作盘之间在相对于所述工作层的摆线路径上移动，其中所述冷却润滑剂未包含具有研磨作用的物质，所述修整体在与所述工作层接触时释放磨料物质并且因而借助于松散的磨粒实现自所述工作层的材料去除。多个用于该方法的措施被执行。
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公开(公告)号：CN101269476B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200810086098.1
申请日：2008-03-19
Applicant: 硅电子股份公司 , 彼特沃尔特斯有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种同时双侧研磨多个半导体晶片的方法，其中每个半导体晶片以自由运动的方式位于通过转动设备带动旋转的多个转盘之一的挖去部分中，并由此在摆线轨迹上运动，其中，所述半导体晶片在两个旋转的环形工作盘之间以去除材料的方式加工，其中每个工作盘包括含有粘合磨料的工作层，其中在研磨期间确定工作层之间形成的工作间隙的形状，并且根据测得的工作间隙的几何特征对至少一个工作盘的工作面进行机械改变或热改变，以使工作间隙具有预定的形状。本发明还涉及一种方法，其中在加工期间，半导体晶片以其面的一部分临时离开工作间隙。本发明此外还涉及一种方法，其中转盘完全由第一材料构成，或者转盘的第二材料完全的或部分由第一材料覆盖，使得在研磨期间只有第一材料与工作层进行机械接触，且第一材料与工作层之间不存在任何会降低磨料锋利度的相互作用。
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公开(公告)号：CN117917975A
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202280059031.7
申请日：2022-07-27
Applicant: 硅电子股份公司
Abstract: 一种磨削半导体晶圆的方法，其中，在向旋转的半导体晶圆和磨削工具之间的接触区域提供冷却介质时借助包含具有高度h的磨削齿的磨削工具以移除材料的方式加工半导体晶圆，其中，在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴向半导体晶圆的一侧的第一区域施加第一冷却剂流量，且在磨削的每个瞬间，借助一个或多个喷嘴向该半导体晶圆的该一侧的第二区域施加第二冷却剂流量，其特征在于，第一区域以半导体晶圆的右下四分之一圆为界而第二区域以左下四分之一圆为界，并且第一冷却剂流量与第一冷却剂流量和第二冷却剂流量的总和的比值不大于35％且不小于25％。
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公开(公告)号：CN102069448B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010530377.X
申请日：2010-10-28
Applicant: 硅电子股份公司
CPC classification number: B24B37/042 , B24B37/08 , H01L21/02013 , H01L21/02019 , H01L21/02021 , H01L21/02024
Abstract: 一种用于制造半导体晶片的方法，其包括：(a)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆；(b)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层；(c)在2个加工圆盘之间对半导体晶片同时进行双面去除材料式加工，每个加工圆盘具有包含磨料的加工层，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(d)利用包含磨料的研磨圆盘对半导体晶片进行边缘导圆，磨料的粒径小于步骤(a)中采用的粒径；(e)用蚀刻介质处理半导体晶片的两面；(f)利用包含磨料的抛光垫对半导体晶片的至少一面进行抛光；(g)对半导体晶片的边缘进行抛光；(h)至少对正面进行化学机械抛光。
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