公开(公告)号：CN101303969B

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN200810097038.X

申请日：2008-05-12

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 月原浩一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/324 ,  B23K26/00 ,  B23K26/06 ,  G02B26/10

CPC classification number: B23K26/067 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0665 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/0853 ,  B23K2101/40 ,  G02F1/1303 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02675 ,  H01S5/005 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4025

Abstract: 本发明涉及一种照射设备，半导体装置制造设备与方法以及显示装置制造方法。该照射设备用于使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标，其中令w为用于照射照射目标的光束半径，Δ为半导体激光器发散角度的个体差异率，而λ为半导体激光器的光束波长，夹置在半导体激光器与照射目标之间的照射光学系统的焦点位置被散焦，使得焦点位置和照射目标之间的距离z为[公式1]

公开(公告)号：CN101681815A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880016596.7

申请日：2008-04-30

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 梅津畅彦 ,  月原浩一 ,  松延刚 ,  稻垣敬夫 ,  田附幸一 ,  堀田慎 ,  白井克弥

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02683 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/1285

Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。

公开(公告)号：CN101042450A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710086327.5

申请日：2007-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 占部哲夫 ,  岩瀬佑一 ,  月原浩一 ,  塘洋一 ,  福田俊广

IPC: G02B6/00 ,  G02F1/13357 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H04M1/02

CPC classification number: G02B6/0018 ,  G02B17/006 ,  G02F1/133504 ,  H04M1/22 ,  H04W52/027 ,  Y02D70/122

Abstract: 本发明提供了一种可以限制可视角度和提高前亮度的显示单元。该显示单元包括显示装置，和面对该显示装置的导光部，该导光部分具位于与该显示装置相对的侧上的入射面、位于该显示装置的对立侧上的发射面、以及位于该侧面上的反射面，并具有从入射面扩展到发射面的剖面。