公开(公告)号：CN1309087C

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN1905131A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200610110019.7

申请日：2006-07-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/105

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造工艺，包括：把具有凸纹图案的印模压到衬底表面上以在所述衬底表面上形成凹陷图案的第一压印步骤；通过印刷，把包括半导体材料或导电材料的施加材料提供到所述凹陷图案中的第二步骤；和固化通过印刷供应的所述施加材料的第三步骤。

公开(公告)号：CN1225029C

公开(公告)日：2005-10-26

申请号：CN01807883.4

申请日：2001-03-13

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 町田暁夫 ,  碓井节夫 ,  野本和正

IPC: H01L31/075

CPC classification number: H01L31/03682 ,  Y02E10/546

Abstract: 一种光能转换装置10，包含：形成在通用塑料衬底上的第一杂质掺杂的半导体层5，它是混有第一杂质的半导体材料层；形成在第一杂质掺杂的半导体层5上的光活性层6，它是含氢的非晶半导体材料层；和混有第二杂质并且形成在光活性半导体层6上的第二杂质掺杂的半导体层7。第二杂质掺杂的半导体层是氢浓度比光活性半导体层6的材料低的多晶半导体材料层。在光活性半导体层6和第二杂质掺杂的半导体层7之间的界面结构中，深度方向的平均晶粒粒径在从第二杂质掺杂的半导体层向衬底1前进的方向上逐步降低。通过控制第二杂质掺杂的半导体层7的氢浓度，显著降低了第二杂质掺杂的半导体层7中的悬挂键的数目，显示出较高的结晶度，提高了装置10的转换效率。

公开(公告)号：CN1327262A

公开(公告)日：2001-12-19

申请号：CN01124308.2

申请日：2001-05-31

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： G·达拉姆 ,  帕尔 ,  野本和正 ,  町田晓夫 ,  中越美弥子 ,  碓井节夫

IPC: H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/12

Abstract: 在衬底上形成一个多晶硅层。在多晶硅层上形成绝缘层和栅电极。然后,通过用栅电极作掩膜将杂质掺入多晶硅层中以自对准方式形成沟道区,源区和漏区。然后,形成能量吸收层以覆盖整个衬底。从能量吸收层一侧辐射脉冲激光束。脉冲激光束的能量几乎全部吸收进能量吸收层,通过热辐射对下面的层面进行间接热处理。换句话说,对杂质进行激活并消除绝缘层中的缺陷,同时不会对衬底造成热损坏。

公开(公告)号：CN102891254A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN201210347746.0

申请日：2009-08-07

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正 ,  米屋伸英 ,  大江贵裕

IPC: H01L51/05 ,  H01L51/10 ,  H01L51/40

CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L51/052 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 本发明公开了顶栅型有机薄膜晶体管、其制造方法和电子装置，所述顶栅型有机薄膜晶体管包括：基板；通过使用镀膜技术在所述基板上沉积的第一层，所述第一层用于形成源极电极和漏极电极；由所述有机半导体材料构成的有机半导体层，所述有机半导体层被形成在各自都用所述第一层形成的所述源极电极与所述漏极电极之间的区域上方；以及栅极电极，所述栅极电极隔着栅极绝缘膜沉积在所述有机半导体层上。本发明公开的电子装置中设置有上述顶栅型有机薄膜晶体管。因此，本发明能够实现优良的器件特性和低的生产成本。

公开(公告)号：CN101577312B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200910149633.8

申请日：2006-07-28

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野本和正

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/40 ,  H01L51/56

CPC classification number: B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L2251/105

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件的制造工艺，包括：把具有凸纹图案的印模压到衬底表面上以在所述衬底表面上形成矩形凹陷图案的第一压印步骤；通过印刷，把包括半导体材料或导电材料的施加材料提供到所述矩形凹陷图案中的第二步骤；和固化通过印刷供应的所述施加材料的第三步骤。

公开(公告)号：CN101290870B

公开(公告)日：2010-10-13

申请号：CN200810092623.0

申请日：2008-04-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 野元章裕 ,  野本和正 ,  福田敏生

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L51/0022 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/102 ,  H05K3/046 ,  H05K3/207 ,  H05K2203/0108 ,  H05K2203/0528 ,  H05K2203/122

Abstract: 本发明提供了一种形成图案、半导体装置及其制备方法。该形成图案的方法包括通过涂敷液体组合物在第一板上形成导电膜的步骤。该液体组合物包括有机溶剂和用脂肪酸或者脂肪胺表面改性的导电粒子。然后，通过将表面上具有凹凸图案的第二板压在表面上具有导电膜的第一板的表面上，在第一板上形成作为第一图案的反转图案的第二图案。然后，导电膜的第一图案转移到第二板的凸起顶表面上。然后，通过将表面上具有第二图案的第一板的表面压在转移基板的表面上，将第二图案转移到转移基板的表面上。

公开(公告)号：CN101595568A

公开(公告)日：2009-12-02

申请号：CN200880003389.8

申请日：2008-01-28

Applicant: 索尼株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所

Inventor： 野本和正 ,  平井畅一 ,  安田亮一 ,  八木岩 ,  三成刚生 ,  塚越一仁 ,  青柳克信

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L51/001 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0529 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供了一种底栅/底接触型薄膜半导体装置(1)的制造方法，其中该薄膜半导体装置(1)可以将栅极绝缘膜和薄膜半导体层之间的边界保持在优选的状态而不受源极/漏极电极的影响并因此可以不论精细的结构而具有优选的特性。第一栅极绝缘膜(7－1)形成为覆盖形成的基板(3)上的栅极电极(5)的状态。成对的源极/漏极电极(9)形成在第一栅极绝缘膜(7－1)上。此后，第二栅极绝缘膜(7－2)仅选择性地形成在从源极/漏极电极(9)露出的第一栅极绝缘膜(7－1)上。接着，形成与源极/漏极电极(9)接触的薄膜半导体层(11)以连续覆盖源极/漏极电极(9)、第二栅极绝缘膜(7－2)和第一栅极绝缘膜(7－1)。

公开(公告)号：CN1542976A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410032829.6

申请日：1999-01-26

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 达拉姆·派尔·古赛恩 ,  野本和正 ,  乔纳森·维斯特沃特 ,  中越美弥子 ,  堆井节夫 ,  野口隆 ,  森芳文

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: B82Y10/00 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/8221 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/792

Abstract: 用分散的多个微粒子(点)(15a)构成存储区15的同时，使微粒子(15a)的面密度比在隧道绝缘膜(14a)上产生的构造性的孔(针孔)的面密度大。或者使存储区中的微粒子(15a)的个数为5个以上。或者用表面粗糙度大于等于0.1nm小于等于100nm的多晶硅层(13)形成传导区(13c)的同时，使存储区(15)的微粒子(15a)的个数变得比传导区中的晶粒个数多。即便是在隧道绝缘膜(14a)中发生了针孔等的缺陷，存储在一部分的微粒子上的电荷漏泄，存储在不存在缺陷的区域内形成的微粒子上的电荷也不会漏泄。因此，可以长时间地保持信息。

公开(公告)号：CN101075659B

公开(公告)日：2010-12-22

申请号：CN200710102579.2

申请日：2007-05-16

Applicant: 索尼株式会社

Inventor： 川岛纪之 ,  野本和正 ,  野元章裕

IPC: H01L51/40 ,  H01L51/05 ,  H01L21/28 ,  H01L27/28

CPC classification number: H01L51/055 ,  H01L51/0022 ,  H01L51/0541

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管和薄膜晶体管的制造方法以及采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管由有机半导体层、栅极绝缘膜和栅极电极依次位于基板上的叠层制成，且该薄膜晶体管的制造方法包括：通过印刷在栅极绝缘膜上图案化涂布栅极电极材料的步骤，以及进行热处理以由于图案化涂布的栅极电极材料的干燥固化来形成栅极电极的步骤。