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公开(公告)号：CN113624991A
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN202110944584.8
申请日：2021-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种Z轴加速度计，其包括：衬底；质量块，其悬置于所述衬底上方，且所述质量块被分界线划分为第一区域和第二区域，其中，所述质量块的第一区域和第二区域关于所述分界线对称分布，所述质量块的第一区域和第二区域的厚度不一致，以使所述质量块的第一区域和第二区域的质量不同，从而使所述质量块以所述分界线为轴发生类似跷跷板式运动。与现有技术相比，本发明不仅有效的节省了芯片面积，降低了成本，而且还大大提升了抗外界干扰能力，进而提高Z轴检测精度。
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公开(公告)号：CN216303265U
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202122436419.X
申请日：2021-10-09
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种带腔体器件的气密封装结构，其包括：半导体部件；盖板；键合层，其位于所述半导体部件和盖板之间，以将所述半导体部件和盖板键合在一起；第一腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且被所述键合层围绕并被完全密封；第二腔体，其位于所述半导体部件和盖板之间，且所述第二腔体位于所述第一腔体的一侧，所述第二腔体被所述键合层围绕并被部分密封；若干通孔，其贯穿所述盖板至第二腔体；密封薄膜，其贴附在所述盖板远离所述半导体部件的一侧表面上，以密封所述若干通孔，使所述第二腔体完全密封。与现有技术相比，本实用新型不仅可以实现双腔体不同气压的封装，而且还可以大大降低封装成本。
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公开(公告)号：CN216595182U
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202121928408.7
申请日：2021-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种Z轴加速度计，其包括：衬底；质量块，其悬置于所述衬底上方，且所述质量块被分界线划分为第一区域和第二区域，其中，所述质量块的第一区域和第二区域关于所述分界线对称分布，所述质量块的第一区域和第二区域的厚度不一致，以使所述质量块的第一区域和第二区域的质量不同，从而使所述质量块以所述分界线为轴发生类似跷跷板式运动。与现有技术相比，本实用新型不仅有效的节省了芯片面积，降低了成本，而且还大大提升了抗外界干扰能力，进而提高Z轴检测精度。
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公开(公告)号：CN219608956U
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202320169870.6
申请日：2023-02-09
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种单芯片六轴传感器及其加速度计，Z轴加速度计包括：第一锚点；与第一锚点弹性相连的纵长型的旋转梁；位于旋转梁的第一侧的第一Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于旋转梁的与第一侧相对的第二侧的第二Z轴质量块，其与旋转梁相连；位于第二Z轴质量块的远离所述旋转梁的一侧的第三Z轴质量块，其与第二Z轴质量块弹性相连；第二Z轴质量块和第一Z轴质量块沿旋转梁做跷跷板式运动，而第三Z轴质量块由第二Z轴质量块带动随第二Z轴质量块一同运动，在第三Z轴质量块的运动被阻挡时，第三Z轴质量块能够相对所述第二Z轴质量块发生扭转。与现有技术相比，本实用新型可以增强加速度计在低压腔体中的可靠性，降低生产成本和提高集成度。
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公开(公告)号：CN212432357U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021447315.8
申请日：2020-07-21
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种红外热电堆传感装置，其包括基于基底层形成的热电堆传感器，所述热电堆传感器包括吸收区，所述基底层上形成有空腔，所述吸收区悬置于所述基底层的空腔之上，所述吸收区包括层叠的第一金属层、介质层和第二金属层，所述第一金属层相较于第二金属层更靠近所述基底层的空腔，所述吸收区的介质层位于第一金属层和第二金属层之间，所述吸收区的第二金属层被图形化以形成预定图形。这样，通过将金属层制作成预定图形来增强红外吸收率，调整特定波长吸收率，从而提高红外热电堆传感装置的性能。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN219758288U
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202320169910.7
申请日：2023-02-09
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种单芯片六轴传感器及其加速度计，所述加速度计包括Z轴加速度计。所述Z轴加速度计包括：Z轴质量块，其内定义有第一空间和第二空间；锚点结构，其位于第一空间内；转轴，其位于第一空间内且平行于X/Y轴放置，转轴连接锚点结构和Z轴质量块，Z轴质量块位于转轴一侧的质量与另一侧的质量不同；空气阻尼单元，其位于第二空间内，其包括第一锚点，连接在第一锚点上的若干固定阻尼梳齿，连接在Z轴质量块上的若干可动阻尼梳齿，固定阻尼梳齿和可动阻尼梳齿呈叉指排布。与现有技术相比，本实用新型通过设计空气阻尼结构，不同刚度的限位器来增强加速度计在低压腔体中的可靠性，降低生产成本和提高集成度。
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公开(公告)号：CN216900613U
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN202121928376.0
申请日：2021-08-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G01P15/18 , G01P15/125 , B81B5/00
Abstract: 本实用新型提供一种三轴加速度计，其包括：Z轴加速度计，其包括Z质量块、Z质量块锚点、扭转梁，Z质量块内定义有第一空间、第二空间和第三空间，Z质量块锚点位于第三空间内；扭转梁位于第三空间内且平行于Y轴放置，扭转梁连接所述Z质量块锚点和Z质量块；Z质量块位于所述扭转梁一侧的质量与Z质量块位于所述扭转梁另一侧的质量不同，以使Z质量块以所述扭转梁为轴发生类似跷跷板式运动；X轴加速度计，其位于所述第一空间内；Y轴加速度计，其位于所述第二空间内。与现有技术相比，本实用新型的三轴加速度计将X轴加速度计和Y轴加速度计设置在Z轴加速度计的质量块内，其整体架构合理紧凑，可节省芯片面积，降低成本。
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公开(公告)号：CN215338609U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202121412523.9
申请日：2021-06-24
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种红外热电堆传感装置，其包括基于衬底形成的热电堆传感器，所述热电堆传感器包括：悬空薄膜，其悬置于所述衬底的空腔之上；多个热电偶，其设置于所述悬空薄膜中，所述热电偶的热端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的热端位于所述悬空薄膜的内侧；所述热电偶的冷端悬置于所述衬底的空腔之上，且所述热电偶的冷端位于所述悬空薄膜的外边缘；高热导率填充区，其设置于所述悬空薄膜的外侧，其紧邻所述热电偶的冷端，且跨过所述衬底的空腔的边界，并且延伸至所述衬底上。与现有技术相比，本实用新型不仅可以与标准CMOS工艺兼容，而且还可以使红外热电堆的热学参数不敏感工艺偏差，提高器件性能一致性。
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公开(公告)号：CN212934659U
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202021380419.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种集成热电堆红外探测器的封装结构，集成热电堆红外探测器的封装结构包括：第一晶圆，其包括第一衬底、热电堆薄膜、金属焊盘和第一腔体，其中，所述热电堆薄膜和金属焊盘设置于所述第一衬底的正面，所述第一腔体与所述热电堆薄膜相对且自所述第一衬底的背面延伸至所述热电堆薄膜；第二晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的正面；第三晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的背面，所述第三晶圆包括第二衬底以及设置于第二衬底上且与所薄膜相对的第二腔体。与现有技术相比，本实用新型极大的降低了热电堆红外传感器的制造成本，提供了生产效率，缩小了器件尺寸。
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公开(公告)号：CN212434621U
公开(公告)日：2021-01-29
申请号：CN202021386670.9
申请日：2020-07-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构，所述集成加速度传感器和磁传感器的封装结构包括：第一晶圆，其正面侧设置有加速度传感器，磁传感器，金属焊盘，以及处理加速度传感器和磁传感器的传感信号的信号处理电路，第一晶圆上与所述加速度传感器相对位置处还设置有第一腔体；第二晶圆，其与所述第一晶圆的正面相键合，第二晶圆上与所述加速度传感器相对位置处设置有第二腔体。与现有技术相比，本实用新型中的集成加速度传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法，只需要在一张晶圆上完成加速度传感器和磁传感器及其信号处理电路的加工从而大大的降低了封装成本，减少了封装尺寸。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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