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公开(公告)号：CN115793834A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211429749.9
申请日：2022-11-15
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G06F1/3206 , G06F9/4401
Abstract: 本发明提供一种电子设备及将电子设备从休眠模式唤醒的方法，当电子设备在休眠模式时，若收到间歇式低功耗阈值检测使能信号，则进入低功耗阈值检测模式；当电子设备在休眠模式时，若收到采样需求动作信号或加速度数据超过第一阈值范围，则进入持续工作模式，若在预定时长内未收到采样需求动作信号或在预定时长内加速度数据未超过第二阈值范围，则进入休眠模式；当电子设备在低功耗阈值检测模式时，低功耗阈值检测电路工作，对电子设备进行加速度检测，判定检测到的加速度是否超出第三预定阈值范围，若否，则继续低功耗阈值检测模式；若是，则进入持续工作模式。与现有技术相比，本发明可以准确及时的将电子设备从休眠模式唤醒，从而降低功耗。
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公开(公告)号：CN111785713A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010675553.2
申请日：2020-07-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成加速度传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法，所述集成加速度传感器和磁传感器的封装结构包括：第一晶圆，其正面侧设置有加速度传感器，磁传感器，金属焊盘，以及处理加速度传感器和磁传感器的传感信号的信号处理电路，第一晶圆上与所述加速度传感器相对位置处还设置有第一腔体；第二晶圆，其与所述第一晶圆的正面相键合，第二晶圆上与所述加速度传感器相对位置处设置有第二腔体。与现有技术相比，本发明中的集成加速度传感器和磁传感器的封装结构及其封装方法，只需要在一张晶圆上完成加速度传感器和磁传感器及其信号处理电路的加工从而大大的降低了封装成本，减少了封装尺寸。
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公开(公告)号：CN108574042A
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201810597724.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。
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公开(公告)号：CN103376810B
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201210118366.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明涉及一种热源模块，其包括有电路以及连接在电路中的热源器件，其中电路包括有第一支路以及第二支路，第一支路和第二支路共用热源器件。第一支路与第二支路通电时，两者通过热源器件的电流方向相反；且第一支路和第二支路之间不会同时处于导通状态。如此，使得热源器件的电流方向根据设定实现方向翻转，进而降低电迁移发生的几率，提高热源模块的有效性。
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公开(公告)号：CN108574042B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201810597724.7
申请日：2018-06-12
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种单芯片单轴或多轴磁阻传感器及其制造方法，磁阻传感器包括：形成有集成电路的晶圆；位于晶圆上的钝化层，钝化层上形成有与磁阻传感器连接的第一通孔；位于钝化层上的介质层，介质层上形成斜坡；贯穿第一通孔处的介质层的第二通孔，第二通孔中露出下层集成电路的金属连线；形成于介质层上的磁性感应薄膜图形，其包括感应磁阻图形和保留于第二通孔内的磁性感应薄膜，第二通孔内的磁性感应薄膜覆盖集成电路的金属连线接触；形成于磁性感应薄膜图形上的传感器互连金属层图形，传感器互连金属层图形连接感应磁阻图形和第二通孔内的磁性感应薄膜。与现有技术相比，本发明可降低连接集成电路和磁阻传感器的孔接触电阻的阻值。
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公开(公告)号：CN108594920A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810472512.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Inventor： 金羊华 , 孙宏智 , 阿基尔·加拉帕蒂 , 亚历克斯·德罗宾斯基
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其中的设置/重置电路，其包括运算放大器、第一开关至第四开关、第一MOS管至第四MOS管和设置/重置线圈。第一MOS管一端与电源端相连，另一端与第三MOS管一端相连，第三MOS管另一端接地，第一和第三MOS管之间的节点称为第一节点；第二MOS管一端与电源端相连，另一端与第四MOS管一端相连，第四MOS管另一端接地，第二和第四MOS管之间的节点称为第二节点；运算放大器的第一输入端与参考电压相连，第二输入端经第一开关与第二节点相连、经第二开关与第一节点相连，输出端经第三开关与第三MOS管的控制端相连、经第四开关与第四MOS管的控制端相连；设置/重置线圈连接于第一和第二节点之间。与现有技术相比，本发明可以为设置/重置线圈提供恒定的设置/重置电流。
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公开(公告)号：CN103376810A
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201210118366.X
申请日：2012-04-20
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
IPC: G05F1/46
Abstract: 本发明涉及一种热源模块，其包括有电路以及连接在电路中的热源器件，其中电路包括有第一支路以及第二支路，第一支路和第二支路共用热源器件。第一支路与第二支路通电时，两者通过热源器件的电流方向相反；且第一支路和第二支路之间不会同时处于导通状态。如此，使得热源器件的电流方向根据设定实现方向翻转，进而降低电迁移发生的几率，提高热源模块的有效性。
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公开(公告)号：CN111785825A
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN202010675549.6
申请日：2020-07-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本发明提供一种集成热电堆红外探测器的封装结构及其封装方法，集成热电堆红外探测器的封装结构包括：第一晶圆，其包括第一衬底、热电堆薄膜、金属焊盘和第一腔体，其中，所述热电堆薄膜和金属焊盘设置于所述第一衬底的正面，所述第一腔体与所述热电堆薄膜相对且自所述第一衬底的背面延伸至所述热电堆薄膜；第二晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的正面；第三晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的背面，所述第三晶圆包括第二衬底以及设置于第二衬底上且与所薄膜相对的第二腔体。与现有技术相比，本发明极大的降低了热电堆红外传感器的制造成本，提供了生产效率，缩小了器件尺寸。
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公开(公告)号：CN108594920B
公开(公告)日：2020-05-22
申请号：CN201810472512.6
申请日：2018-05-17
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Inventor： 金羊华 , 孙宏智 , 阿基尔·加拉帕蒂 , 亚历克斯·德罗宾斯基
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及其中的设置/重置电路，其包括运算放大器、第一开关至第四开关、第一MOS管至第四MOS管和设置/重置线圈。第一MOS管一端与电源端相连，另一端与第三MOS管一端相连，第三MOS管另一端接地，第一和第三MOS管之间的节点称为第一节点；第二MOS管一端与电源端相连，另一端与第四MOS管一端相连，第四MOS管另一端接地，第二和第四MOS管之间的节点称为第二节点；运算放大器的第一输入端与参考电压相连，第二输入端经第一开关与第二节点相连、经第二开关与第一节点相连，输出端经第三开关与第三MOS管的控制端相连、经第四开关与第四MOS管的控制端相连；设置/重置线圈连接于第一和第二节点之间。与现有技术相比，本发明可以为设置/重置线圈提供恒定的设置/重置电流。
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公开(公告)号：CN212934659U
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202021380419.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 美新半导体(无锡)有限公司
Abstract: 本实用新型提供一种集成热电堆红外探测器的封装结构，集成热电堆红外探测器的封装结构包括：第一晶圆，其包括第一衬底、热电堆薄膜、金属焊盘和第一腔体，其中，所述热电堆薄膜和金属焊盘设置于所述第一衬底的正面，所述第一腔体与所述热电堆薄膜相对且自所述第一衬底的背面延伸至所述热电堆薄膜；第二晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的正面；第三晶圆，其与所述第一晶圆键合且位于所述第一衬底的背面，所述第三晶圆包括第二衬底以及设置于第二衬底上且与所薄膜相对的第二腔体。与现有技术相比，本实用新型极大的降低了热电堆红外传感器的制造成本，提供了生产效率，缩小了器件尺寸。
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