双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置

    公开(公告)号:CN117133632A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202311393588.7

    申请日:2023-10-26

    Abstract: 本发明属于晶片加工的技术领域,具体为双频超声裂纹扩展及剥离单晶SiC装置,包括箱体,箱体内升降电机通过同步带与旋转支撑轴连接,旋转支撑轴上连接有连接板,箱体的顶板上密封固定有水槽,水槽内设置有超声振动台,超声振动台支撑在支撑板上,连接板与支撑板通过支撑轴相连;箱体内还设置有旋转电机、减速器,减速器的输出轴的端部和超声振动台连接;在箱体的顶板上还设置有超声振动杆。本发明装置通过双频超声振动可使单晶SiC晶锭应力强度因子下降、断裂韧性降低,超声振动使内部改质层裂纹进一步扩展以达到直接剥离的效果,解决了单晶SiC晶锭在激光照射后内部改质层仍有较大结合力而使得晶片剥离困难的问题。

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