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公开(公告)号：CN1680456A
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN200510067640.5
申请日：2005-04-01
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08F214/18 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1483 , H01L51/004 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了包含下式的2－(7－苯并噻唑基－9，9－双取代芴)结构单元的聚合物，其中R1和R2各自独立地为烷基、芳烷基、芳基或－Si(R)3基，其中R为烷基；R3为选自供电子取代基和吸电子取代基的基团；x值为零至芳香环上可取代的氢的数目；Z和Q各自独立地为与芴基团和苯并噻唑基团共轭的基团；并且参数j和k各自独立地为0－2。本发明还公开了包含该聚合物的电活性器件、制备该聚合物的方法，以及用于制备该聚合物的单体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102892920A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180017239.4
申请日：2011-02-23
Applicant: 通用电气公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/04 , C23C26/00
CPC classification number: C23C16/403 , C23C16/045 , C23C16/402 , C23C16/45525 , C23C26/00
Abstract: 本发明提供了一种处理多层膜的方法。所述方法包括提供具有基底膜第一表面和基底膜第二表面的基底膜。所述方法还包括提供邻近基底膜第二表面的阻挡层。所述阻挡层具有至少一个能让基底膜和阻挡层外表面之间流体连接的开口。进一步，所述方法包括使基底膜第一表面与第一反应物接触，以及最终使阻挡层外表面与第二反应物接触，所述第二反应物与第一反应物可反应。使基底膜第一表面接触第一反应物和使阻挡层外表面接触第二反应物的方法在所述第一反应物和第二反应物之间的反应形成反应层的条件下进行。
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公开(公告)号：CN102576820A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080045746.4
申请日：2010-06-28
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/52
CPC classification number: H01L51/5246 , H01L27/3202 , H01L27/3204 , H01L51/0097 , H01L51/5203 , H01L51/524 , H01L51/5243
Abstract: 一种封装的光电子器件，包括：第一阻挡层；配置成耦合到第一阻挡层的电致发光器件，并且电致发光器件包括都定义侧面的衬底和电致发光元件，以及电致发光元件包括部署在衬底上的第一电极、第二电极、以及部署在第一电极与第二电极之间的光电子活性层；配置成耦合到电致发光器件的第二阻挡层；和配置成位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并连接它们的粘合剂，其至少耦合到电致发光器件的侧面以将电致发光器件密封在第一阻挡层与第二阻挡层之间；部署在第一阻挡层上的第一导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第一电极并与第二电极和第二导电区域电绝缘；部署在第一阻挡层上的第二导电区域，其位于第一阻挡层与第二阻挡层之间并且配置成电耦合到第二电极并与第一电极和第一导电区域电绝缘。还呈现了一种制作封装的光电子器件的方法。
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公开(公告)号：CN1680456B
公开(公告)日：2010-04-07
申请号：CN200510067640.5
申请日：2005-04-01
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: C08F214/18 , C09K11/06 , C09K2211/1416 , C09K2211/1483 , H01L51/004 , H01L51/0052 , H01L51/0062 , H01L51/5012 , H05B33/14 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了包含下式的2-(7-苯并噻唑基-9，9-双取代芴)结构单元的聚合物，其中R1和R2各自独立地为烷基、芳烷基、芳基或-Si(R)3基，其中R为烷基；R3为选自供电子取代基和吸电子取代基的基团；x值为零至芳香环上可取代的氢的数目；Z和Q各自独立地为与芴基团和苯并噻唑基团共轭的基团；并且参数j和k各自独立地为0-2。本发明还公开了包含该聚合物的电活性器件、制备该聚合物的方法，以及用于制备该聚合物的单体。
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公开(公告)号：CN101142696A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200580046401.X
申请日：2005-11-15
Applicant: 通用电气公司
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 具有至少一个高度完整性保护涂层的复合物品，所述高度完整性保护涂层具有至少一个平面化层和至少一个有机－无机组合物隔离涂层。一种沉积高度完整性保护涂层的方法。
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公开(公告)号：CN1883062A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200480033673.1
申请日：2004-09-14
Applicant: 通用电气公司
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L51/0021 , H01L51/5231 , H01L51/5237 , Y02E10/549
Abstract: 一种复合电极，其包括：第一层(32)，其包括至少一种金属的至少一种卤化合物，该金属选自碱金属和碱土金属；和第二层(34)，其包括导电材料。该第二层(34)置于第一层(32)与电子设备(10)的电活性材料(40)之间。该复合电极可用作有机发光设备或有机光伏设备的阴极。该复合电极可被生产为基本上透明。
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