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公开(公告)号：CN107861333A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201710794878.0
申请日：2017-09-06
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
Abstract: 本发明提供能够使掩模图案截面形状的垂直化的光掩模坯料及其制造方法。本发明还提供使用其的光掩模的制造方法及显示装置的制造方法。本发明的光掩模坯料具有透明基板(1)、遮光层(2)和减反射层(3)，遮光层(2)由含有铬和氮的铬化合物形成，减反射层(3)由含有铬、氮和氧的铬化合物形成，减反射层(3)中含有的铬的含量少于遮光层(2)中含有的铬的含量，减反射层(3)是叠层了多层的叠层膜，减反射层(3)的表面侧的上层部(32)所含有的氧含量多于减反射层(3)的遮光层侧的下层部(31)所含有的氧含量，在上层部(32)的表面侧具有实质上不含碳的区域，在该区域，氧朝向最表面连续地增加，且氧相对于氮的比例(O/N)的最大值为5以上。
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公开(公告)号：CN110320739B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910216524.7
申请日：2019-03-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。
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公开(公告)号：CN108241251B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201711295074.2
申请日：2017-12-08
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供一种相移掩模坯料，其具有优异的图案截面形状及优异的CD均匀性，且形成有微细图案，用于显示装置用相移掩模的形成。设置于透明基板上的相移膜具有：第一功能层及第二功能层、配置于两者间的中间层，第一功能层及第二功能层由含有铬、氧、氮的铬系材料构成，铬为30～70原子％，氧为20～60原子％，氮为0.4～30原子％，第一功能层所含的氮的含有率与第二功能层所含的氮的含有率相同或更多，第二功能层所含的氧的含有率比第一功能层所含的氧的含有率多，中间层含有铬和碳，铬的含有率为55～90原子％，碳的含有率为10～45原子％，中间层所含的铬的含有率比第一功能层及第二功能层所含的铬的含有率多。
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公开(公告)号：CN115145110A
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN202210312054.6
申请日：2022-03-28
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供能够缩短对图案形成用薄膜进行微细图案(图案形成用薄膜图案)的湿法蚀刻时的蚀刻时间、具有高耐光性及耐化学药品性、并且能够形成具有接近垂直的边缘的截面形状及良好的LER的微细图案的显示装置制造用光掩模坯料。所述显示装置制造用光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，所述图案形成用薄膜由含有钛(Ti)、硅(Si)及氮(N)的材料形成，所述图案形成用薄膜具有柱状结构，所述图案形成用薄膜中所含的氧的含有率为7原子％以下。
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公开(公告)号：CN114545726A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202111362078.4
申请日：2021-11-17
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 提供一种相移掩模底板，即使在相移膜产生膜厚波动的情况下，也能够抑制相对于曝光光的代表波长的透射率的波动而具有所期望的高的透射率并且能够进行良好的图案转印。相移掩模底板在透明基板上具有相移膜，相移膜在曝光波长的代表波长下，透射率为30％以上且80％以下，衰减系数k为0.10以上且0.25以下，折射率n为2.20以上且2.57以下，曝光波长的代表波长处于313～436nm的范围内，代表波长在相移膜的表面反射率与波长的关系中，位于相邻的短波长侧的表面反射率的谷与相邻的长波长侧的表面反射率的峰之间，相移膜含有过渡金属和硅。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110320739A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910216524.7
申请日：2019-03-21
Applicant: HOYA株式会社
IPC: G03F1/26
Abstract: 本发明提供一种高透过率的相移掩模坯料，其可以将相移膜构图成能够充分发挥相移效果的截面形状。该相移掩模坯料在透明基板上具有相移膜，且在该相移膜上具有蚀刻掩模膜，是用于形成相移掩模的原版，以蚀刻掩模膜形成规定图案的蚀刻掩模膜图案作为掩模，通过对所述相移膜进行湿式蚀刻而在所述透明基板上形成具有相移膜图案的相移掩模，所述相移膜含有过渡金属、硅、氧、氮，所述相移膜包含的氧的含有率为5原子％以上70原子％以下，所述相移膜包含的过渡金属和硅的比例为1:1.5以上1:6以下，所述相移膜的膜应力为0.35GPa以下。
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公开(公告)号：CN106019817A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610173066.X
申请日：2016-03-24
Applicant: HOYA株式会社 , HOYA电子马来西亚有限公司
IPC: G03F1/50
Abstract: 本发明提供一种光掩模空白片、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法，上述光掩模空白片成为图案截面的形状近似垂直而适合转印特性和微细化、且即使以高曝光量(高剂量)进行转印也可使转印缺陷少的光掩模，上述光掩模的制造方法具有上述特性，上述显示装置的制造方法以高成品率制造高精细显示装置。上述光掩模空白片在透明基板上层叠有遮光层和反射降低层，遮光层由多层层叠膜以蚀刻速度从遮光层表面向透明基板阶段性或连续性地加快的方式构成，该遮光层中的形成于基板侧的下层部在436nm波长下的光学浓度为1.0以上。此外，上述光掩模的制造方法使用该光掩模空白片制造光掩模。并且，上述显示装置的制造方法使用该光掩模制造显示装置。
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公开(公告)号：CN119126477A
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202411346726.0
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN111258175B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN201911179769.3
申请日：2019-11-27
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供在通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而形成转印图案时能够缩短过蚀刻时间、可以形成具有良好的截面形状的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料在透明基板上具有图案形成用薄膜，其中，光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，所述光掩模通过对图案形成用薄膜进行湿法蚀刻而在透明基板上具有转印图案，图案形成用薄膜含有过渡金属和硅，图案形成用薄膜具有柱状结构。
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公开(公告)号：CN116699938A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202210319651.1
申请日：2022-03-29
Applicant: HOYA株式会社
Abstract: 本发明提供能够抑制蚀刻掩模膜因用于清洗等的药液而发生剥离的掩模坯料。上述掩模坯料在透光性基板的主表面上依次层叠有图案形成用的薄膜和蚀刻掩模膜，薄膜含有金属、硅及氮，蚀刻掩模膜含有铬，蚀刻掩模膜的外周部的膜厚小于上述蚀刻掩模膜的除上述外周部以外的部分的膜厚，薄膜的外周部的氮含量相对于硅含量的比率大于上述薄膜的除上述外周部以外的部分的氮含量相对于硅含量的比率。
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