碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法

    公开(公告)号:CN112695384A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202010531605.9

    申请日:2020-06-11

    Abstract: 本发明涉及碳化硅晶锭及其制备方法以及碳化硅晶片的制备方法。所述碳化硅晶锭包括:本体部,包括本体部一截面和与本体部一截面对置的本体部另一截面,以及突出部,位于本体部另一截面上,并且具有基于本体部另一截面弯曲的表面;本体部另一截面包括一端点和另一端点,一端点是位于所述本体部另一截面的一端的一点,另一端点是位于所述本体部另一截面的末端的一点,一端点、突出部的最高点和另一端点位于与本体部一截面垂直的同一平面上,作为同一平面与突出部表面的交线的弧的曲率半径由下面的数学式1表示。本发明的碳化硅晶锭及其制备方法可以精确地控制晶体生长的温度梯度,并且可以提供具有更好特性的碳化硅晶锭。数学式13D≤r≤37D。

    多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN108581822A

    公开(公告)日:2018-09-28

    申请号:CN201810493229.1

    申请日:2018-05-22

    Abstract: 本发明实施方式涉及一种多孔聚氨酯抛光垫及采用该抛光垫制备半导体器件的方法。所述多孔聚氨酯抛光垫包括聚氨酯类预聚物和固化剂,所述抛光垫的厚度为1.5-2.5mm,具有平均直径为10-60μm的多个孔,抛光垫的比重为0.7-0.9g/cm3,25℃下的表面硬度为45-65Shore D,抗拉强度为15-25N/mm2,延伸率为80-250%,从与待抛光的物体直接接触的抛光表面至预定深度测得的AFM(原子力电子显微镜)弹性模量为30-100MPa,其中,所述预定深度为距抛光表面1-10μm的深度。

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