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公开(公告)号：CN101916858B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010234823.2
申请日：2007-08-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/1391 , H01M10/0525
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/582 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y10T29/49115 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供了一种具有足够的循环特性的活性物质及其制造方法。在本发明的活性物质制造方法中，通过将含有金属氟络合物的水溶液与金属氧化物相接触，而在金属氧化物的表面形成表面改性层(2)。并且，本发明的活性物质(5)包括金属氧化物制的核心部(1)和覆盖核心部(1)的表面改性层(2)。表面改性层(2)，由含有核心部(1)含有的金属以及核心部不含有的金属的氧化物制成。
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公开(公告)号：CN101127399B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200710146511.4
申请日：2007-08-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/582 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y10T29/49115 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供了一种具有足够的循环特性的活性物质及其制造方法。在本发明的活性物质制造方法中，通过将含有金属氟络合物的水溶液与金属氧化物相接触，而在金属氧化物的表面形成表面改性层(2)。并且，本发明的活性物质(5)包括金属氧化物制的核心部(1)和覆盖核心部(1)的表面改性层(2)。表面改性层(2)，由含有核心部(1)含有的金属以及核心部不含有的金属的氧化物制成。
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公开(公告)号：CN101127399A
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN200710146511.4
申请日：2007-08-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01M4/485 , H01M4/366 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/582 , H01M10/0525 , H01M2004/021 , Y10T29/49115 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供了一种具有足够的循环特性的活性物质及其制造方法。在本发明的活性物质制造方法中，通过将含有金属氟络合物的水溶液与金属氧化物相接触，而在金属氧化物的表面形成表面改性层(2)。并且，本发明的活性物质(5)包括金属氧化物制的核心部(1)和覆盖核心部(1)的表面改性层(2)。表面改性层(2)，由含有核心部(1)含有的金属以及核心部不含有的金属的氧化物制成。
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公开(公告)号：CN104641481B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380048271.8
申请日：2013-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/08 , H01L41/187 , H01L41/316
CPC classification number: H01L41/04 , H01L41/0805 , H01L41/1873 , H01L41/316
Abstract: 本发明所涉及的薄膜压电元件包括具有60nm以上且90nm以下的平均晶粒直径的铌酸钾钠基压电薄膜、以及配置成将该压电薄膜保持于其间的一对电极膜。
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公开(公告)号：CN101083166B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN200610064455.5
申请日：2006-09-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C23C28/021 , C23C28/023 , C23C28/42 , H01F1/0577 , H01F41/026 , Y10T428/32 , Y10T428/325
Abstract: 本发明提供一种能够提高耐腐蚀性的稀土类磁铁。保护膜(20)是从邻近磁铁基体(10)的一侧开始依次含有具有结晶组织α(例如多晶组织)的保护层(20A)、具有结晶组织β(例如柱状结晶组织)的保护层(20B)、具有结晶组织α的保护层(20C)的三层膜。由于相邻的保护层(20A)、(20B)之间具有不同的结晶组织，同时同样相邻的保护层(20B)、(20C)之间具有不同的结晶组织，所以提高了保护膜(20)中的各层之间的致密性。由此抑制了针孔的产生，所以能够抑制保护膜(20)的腐蚀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1938798B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200580009850.7
申请日：2005-03-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , B32B15/01 , H01F7/0221 , H01F41/026 , Y10T428/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有十分优异的耐腐蚀性的稀土类磁体。解决上述课题的本发明的稀土类磁体(1)，包括：含有稀土类元素的磁体坯体(10)、在该磁体坯体(10)的表面上形成的实质的非晶层(20)和在该非晶层(20)的表面上形成的保护层(30)，非晶层(20)含有与磁体坯体(10)中含有的磁体材料主要成分元素相同材料。
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公开(公告)号：CN1938798A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200580009850.7
申请日：2005-03-28
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C22C38/005 , B32B15/01 , H01F7/0221 , H01F41/026 , Y10T428/32
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有十分优异的耐腐蚀性的稀土类磁体。解决上述课题的本发明的稀土类磁体(1)，包括：含有稀土类元素的磁体坯体(10)、在该磁体坯体(10)的表面上形成的实质的非晶层(20)和在该非晶层(20)的表面上形成的保护层(30)，非晶层(20)含有与磁体坯体(10)中含有的磁体材料主要成分元素相同材料。
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公开(公告)号：CN1348172A
公开(公告)日：2002-05-08
申请号：CN01108883.4
申请日：2001-10-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B7/00 , G11B7/0045 , G11B7/24
CPC classification number: G11B7/24085 , G11B7/00454 , G11B7/006
Abstract: 一种在盘状光记录媒体的记录层上形成非晶态记录标记的方法,其中:当最短信号长度为SL,与上述最短信号对应的最短记录标记中,最大宽度为Mw,Ew=0.1Mw,前端侧的宽度为Ew的位置为有效前端,后端侧的宽度为Ew的位置为有效后端,有效前端与有效后端的距离为有效长度ML,有效前端到后端侧的宽度开始减少的位置的距离为WL时,以从上述光记录媒体的内周侧到外周侧,WL/ML呈分段地或连续地减小的方式形成最短记录标记。
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公开(公告)号：CN113450984B
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202011387605.2
申请日：2020-12-02
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种永久磁铁，其含有稀土元素R(Nd等)、过渡金属元素T(Fe等)、B、Zr和Cu，永久磁铁具有含有Nd、T和B的主相颗粒和晶界多重点，一个晶界多重点为由三个以上的主相颗粒包围的晶界，一个晶界多重点包含ZrB2的结晶和含有R及Cu的富R－Cu相，Fe包含于ZrB2的结晶中，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Nd和Pr的浓度的合计高于主相颗粒中的Nd和Pr的浓度的合计，包含ZrB2的结晶和富R－Cu相这两者的一个晶界多重点中的Cu的浓度高于主相颗粒中的Cu的浓度，Nd、Pr和Cu各自的浓度的单位为原子％。
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公开(公告)号：CN117998967A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311440168.X
申请日：2023-11-01
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供了一种磁致伸缩常数dλ/dH大，并且能够进一步降低阈值磁场HTH的磁致伸缩膜和具有该磁致伸缩膜的电子器件。该磁致伸缩膜是在与膜厚的方向垂直的横截面，网眼状地观察到有助于铁磁性的特定元素比周围更富集的富集区域的磁致伸缩膜。
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