公开(公告)号：CN103189305B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201180052447.8

申请日：2011-08-16

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·S·瓦格纳 ,  S·哈雷尔 ,  S·罗斯纳格尔

IPC: B81C1/00

CPC classification number: C25D11/022 ,  B81C1/00071 ,  B81C2201/0114 ,  C25D7/04 ,  C25D11/26 ,  C25D11/34

Abstract: 通过使用反馈系统，以受控方式闭合或打开诸如纳米沟道和纳米孔的纳米流体通路。在存在电解质的通路内生长或去除氧化物层，直到通路达到选定尺寸或者通路被闭合。在制造期间测量纳米流体通路的尺寸变化。流过通路的离子电流水平可被用来确定通路尺寸。可通过对元件之间的流体通路的选择性氧化而控制流过流体元件的阵列的流体流。

公开(公告)号：CN102050421B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201010545583.8

申请日：2010-11-09

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： D·肖尔滕 ,  M·斯图姆贝尔 ,  F·拉尔默 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61M37/00

CPC classification number: A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/054 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/12

Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。

公开(公告)号：CN102050421A

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN201010545583.8

申请日：2010-11-09

Applicant: 罗伯特.博世有限公司

Inventor： D·肖尔滕 ,  M·斯图姆贝尔 ,  F·拉尔默 ,  A·法伊

IPC: B81C1/00 ,  B81B1/00 ,  A61M37/00

CPC classification number: A61M37/0015 ,  A61M2037/0053 ,  B81B2201/055 ,  B81B2203/0361 ,  B81C1/00111 ,  B81C2201/0114 ,  B81C2201/0115 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/054 ,  Y10T225/10 ,  Y10T225/12

Abstract: 本发明涉及微型针装置的制造方法、微型针装置以及基片复合体。本发明提供了用于多孔的微型针装置的制造方法以及相应的多孔的微型针装置和相应的基片复合体。所述方法具有以下步骤：在半导体基片(1)的正面(VS)形成多个分别具有至少一根微型针(4a；4b；4c；4d)和处于其下面的多孔的载体区域(6)的多孔的微型针装置(4)；在半导体基片(1)的处于该半导体基片(1)的背面(RS)上的非多孔的剩余层(1a)与载体区域(6)之间形成分离层(3)，该分离层(3)具有比载体区域(6)高的孔隙率；通过分离层(3)的拆开将剩余层(1a)从载体区域(6)上分开；并且将微型针装置(4)分割为相应的芯片(C)。

公开(公告)号：CN102015127A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980115089.3

申请日：2009-04-28

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 张建六

IPC: B06B1/02 ,  B81B3/00 ,  H01L21/306

CPC classification number: B06B1/0292 ,  B81B2201/038 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2203/04 ,  B81C1/00476 ,  B81C2201/0114

Abstract: 在电容型机电变换器的制造方法中，在基板(4)上形成第一电极(8)，在第一电极(8)上形成具有引向第一电极的开口(6)的绝缘层(9)，并且，在绝缘层上形成牺牲层。在牺牲层上形成具有第二电极(1)的膜片(3)，并且，在膜片中设置作为蚀刻剂入口的孔径。蚀刻牺牲层以形成空腔(10)，并且然后密封用作蚀刻剂入口的孔径。通过经由开口(6)和膜片的孔径使电流在第一电极(8)和外部设置的对电极之间流动的电解蚀刻，来执行蚀刻。