-
公开(公告)号:CN106744650A
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201611218438.2
申请日:2016-12-26
Applicant: 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
Inventor: 赵成龙
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00023 , B81C1/00087 , B81C99/0035
Abstract: 本发明涉及一种MEMS释放长度检测结构及其制备方法,该MEMS释放长度检测结构通过在牺牲层上设置上结构层,且该上结构层中设有贯穿上结构层的释放孔和至少贯穿由不透明材料所形成的部分的释放长度观察孔,从而通过该释放观察孔即可观察释放长度,为非破坏式观测,另外,也无需使用背光或者红外显微镜。通过本发明的MEMS释放长度检测结构的制备方法所形成的MEMS释放长度检测结构可以在上结构层中形成贯穿上结构层的释放孔和至少贯穿由不透明材料所形成的部分的释放长度观察孔,从而通过该释放长度观察孔即可观察释放长度,为非破坏式观测,另外,也无需使用背光或者红外显微镜。
-
公开(公告)号:CN106629585A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610867624.2
申请日:2016-09-30
Applicant: 渤海大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0035
Abstract: 本发明公开了一种基于激波的MEMS微结构非接触式激励装置,包括基板、手动三轴位移台和支座,在手动三轴位移台上设有微结构单元;在支座上端设有内腔为半个椭球面的椭球腔体,在椭球腔体一侧设有第一针电极单元,其第一针电极针尖指向第一焦点;微结构单元位于所述椭球面的第二焦点处;在椭球腔体上另一侧设有第二针电极单元,其第二针电极针尖指向椭球面的第一焦点;第一、第二针电极分别与高压电容的两极电联接,在高压电容与第一针电极之间设有第一空气开关;高压电容的两极分别电联接至高压电源的正负极,并通过第二空气开关控制通断。该装置能够避免底座结构振动响应对测试结果的干扰,实现了对MEMS微结构的非接触式激励,激励效果好。
-
公开(公告)号:CN106586951A
公开(公告)日:2017-04-26
申请号:CN201610867460.3
申请日:2016-09-30
Applicant: 渤海大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0035
Abstract: 本发明公开了一种可在真空环境下对MEMS微结构进行激励的激波激励装置,包括基板,在基板上设有手动三轴位移台和支座,在手动三轴位移台的Z轴溜板上设有指向微结构单元的针电极单元;所述微结构单元包括安装套,在安装套的安装孔内一端压装有弹性底座,弹性底座为圆环形薄片状并在其中部设有环形凸台,在弹性底座内通过绝缘套镶装有板电极,弹性底座内侧安装有MEMS微结构;在安装孔内另一端压装有光学玻璃板;在安装套外壁沿径向设有真空接头;所述针电极和板电极分别与高压电容的两极电联接,所述高压电容的两极分别电联接至高压电源的正负极。该装置结构安装牢固,操作简便安全,便于在真空环境下测试微结构的动态特性参数。
-
公开(公告)号:CN102742012A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201180005860.9
申请日:2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor: 恩德·腾海夫
IPC: H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种半导体部件,尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件,具有:半导体衬底(1,5),在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a,200),该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a,200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a,200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79,80),接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖,其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘,并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘留空部(201,202),与沟道区邻接的接触区(79,80)延伸至边缘留空部中。
-
公开(公告)号:CN102741979A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201180005859.6
申请日:2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor: 迈克尔·德勒
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件,设置有:半导体衬底(4,5),半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a),以及对机械应力敏感的至少一个晶体管,其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79,80),沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79,80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81),同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。
-
公开(公告)号:CN107381495A
公开(公告)日:2017-11-24
申请号:CN201710718750.6
申请日:2017-08-21
Applicant: 南方科技大学
CPC classification number: B81B7/0096 , B81C99/0035 , H05B3/03 , H05B3/283
Abstract: 本发明实施例公开了一种MEMS微热板及其制造方法,该MEMS微热板包括:硅基衬底,硅基衬底包括测量区域和加热区域;第一介电层,位于硅基衬底的上表面;加热电极和测量电极,加热电极和测量电极同层绝缘设置且均位于第一介电层上,加热电极对应设置在加热区域,以及测量电极对应设置在测量区域;隔热凹槽,位于硅基衬底的下表面且贯穿硅基衬底,以及隔热凹槽的槽底在垂直于硅基衬底的方向上覆盖加热区域。本发明实施例中,MEMS微热板的加热电极和测量电极采用共平面设计,只需要沉积一层金属电极层并采用一次金属图案化工艺即可完成;与现有技术相比,降低了加工工艺复杂度、减少了制造工序、并降低了制造成本,还提高MEMS微热板的制造良率。
-
公开(公告)号:CN107170958A
公开(公告)日:2017-09-15
申请号:CN201610128735.1
申请日:2016-03-07
Applicant: 东南大学
IPC: H01M4/134 , H01M10/0525 , H01M4/1395 , H01M10/058 , B81B3/00 , B81C1/00 , B81C99/00
CPC classification number: H01M10/0525 , B81B3/0072 , B81C1/0015 , B81C99/0035 , H01M4/134 , H01M4/1395 , H01M10/058
Abstract: 本发明公开了一种MEMS微型固态锂离子电池及其制备方法。通过将锂电池整理设置为MEMS悬臂梁结构,硅负极层在电池充放电时的体积变化引起MEMS悬臂梁结构发生弯曲变形,有效释放和减小了由于硅体积变化在硅负极层内所引起的应力,降低了应力对硅负极层的损伤和破坏。本发明提供的MEMS微型固态锂离子电池具有尺寸小、结构简单、制作成本低、可靠性高、寿命长、能量密度高且具备在线检测功能等优点。
-
公开(公告)号:CN106629586A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610899628.9
申请日:2016-10-15
Applicant: 渤海大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0035
Abstract: 本发明公开了一种可对MEMS微结构表面指定区域进行激励的装置及其激励方法,其装置包括基板,在基板上设有四个手动三轴位移台,超声探头单元、激光器单元、遮挡板和微结构单元依次安装在四个手动三轴位移台上;超声探头单元包括探头安装板,在探头安装板上设有点聚焦空气耦合超声探头;激光器单元包括固定板和转动板,转动板上设有第一、第二手动角位移台,第二手动角位移台上设有激光器;遮挡板上设有圆锥孔,圆锥孔底面中心设有小直径微孔;微结构单元的MEMS微结构靠近遮挡板的微孔一侧;点聚焦空气耦合超声探头、激光器、遮挡板和MEMS微结构依次排列。优点是能够对尺寸较小的微结构表面指定区域进行激励,可提高检测到的微结构振动响应信号的信噪比。
-
公开(公告)号:CN106629584A
公开(公告)日:2017-05-10
申请号:CN201610866920.0
申请日:2016-09-30
Applicant: 渤海大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0035
Abstract: 本发明公开了一种用于MEMS金属微结构动态特性测试的非接触式激波激励装置,包括设在基板上的手动三轴位移台和支座,在手动三轴位移台的Z轴溜板上设有针电极单元,其针电极指向设在支座上端的微结构单元;微结构单元包括固定套,在固定套孔内的环形阶梯处绝缘安装有安装板,在安装板下部设有半圆形通孔,在安装板上通过微结构压板压装MEMS金属微结构;所述针电极和安装板分别与高压电容的两极电联接,在针电极和高压电容之间设有第一空气开关控制通断;高压电容的两极分别电联接至高压电源的正负极,并通过第二空气开关控制通断。该装置能够避免底座结构的振动响应对测试结果的干扰,实现了对金属微结构的非接触式激励,操作简便安全,激励效果好。
-
公开(公告)号:CN106430086A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201610867459.0
申请日:2016-09-30
Applicant: 渤海大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0035
Abstract: 本发明公开了一种可在水中对MEMS微结构进行激励的聚焦激波激励装置,包括设在基板上的支座和椭球腔体,椭球腔体由下腔体和上腔体连接而成且内腔形成多半个椭球面;在下腔体内设有安装座,在安装座上端设有二个针电极;二个针电极针尖位于椭球面第一焦点处的横截面上;在支座上通过手动三轴位移台安装微结构单元,微结构单元位于椭球面的第二焦点处;针电极分别与高压电容的两极电联接,针电极针尖之间距离小于高压电容充分充电后在水中的最大空气击穿间隙;高压电容两极分别电联接至高压电源正负极。该装置不仅能够实现在水中对MEMS微结构进行激励,而且能够避免底座结构的振动响应对测试结果的干扰,实现了对微结构的非接触式激励,激励效果好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-