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公开(公告)号：CN104576431A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310524364.5
申请日：2013-10-29
Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
IPC: H01L21/66
CPC classification number: B81B7/02 , B81C1/00341 , B81C99/0035
Abstract: 本发明提供了一种测试结构及其制造方法和牺牲层刻蚀工艺的监控方法，包括：衬底；形成于衬底上的第一氧化层，形成于第一氧化层上的第二氧化层，形成于第一氧化层和第二氧化层之间的牺牲层图形，第一氧化层和第二氧化层包围牺牲层图形；形成于第二氧化层中的刻蚀孔，刻蚀孔贯穿第二氧化层并暴露牺牲层图形的侧面；形成于第二氧化层表面的若干条刻度线，刻度线位于牺牲层图形的上方且刻度线的排列方向与牺牲层图形的刻蚀方向平行。在本发明提供的测试结构及其制造方法中，通过在氧化层的内部形成牺牲层图形用于模拟MEMS器件的牺牲层，并且在氧化层的表面形成刻度线以精确度量牺牲层图形的刻蚀速率，从而实现牺牲层刻蚀的直接监控。
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公开(公告)号：CN107986228A
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201711011247.3
申请日：2017-10-26
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C3/001 , B81B7/02 , B81C1/00269 , B81C99/0035 , B81C1/00015 , B81C1/00023 , B81C1/0023
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械构件的方法，其中，微机械构件包括衬底装置和罩装置，其中，在准备步骤中，使衬底装置和/或罩装置结构化，其中，在第一子步骤中，设定第一压力和/或第一化学组分，并且将衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境封闭的第一空穴，其中，在第一空穴中存在第一压力和/或包含第一化学组分，其中，在第二子步骤中，设定第二压力和/或第二化学组分，并且衬底装置和罩装置这样相互连接，使得形成相对于微机械构件的周围环境并且相对于第一空穴封闭的第二空穴，其中，在第二空穴中存在第二压力和/或包含第二化学组分。
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公开(公告)号：CN106477519A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610867055.1
申请日：2016-09-30
Applicant: 渤海大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0035
Abstract: 本发明公开了一种对MEMS微结构进行非接触式水中激励的激波激励装置，包括基板，在基板上对称设有二个电动滑台并在二个电动滑台之间设有水箱单元和支座，在电动滑台上分别通过手动双轴位移台对称安装有针电极单元，针电极单元分别悬垂到水箱单元的箱体内；在支座上安装有微结构单元，微结构单元悬垂到水箱单元的箱体内；二个针电极单元的针电极分别与高压电容的两极电联接，在高压电容与一个针电极之间设有第一空气开关；所述高压电容的两极分别电联接至高压电源的正负极，并通过第二空气开关控制通断。该装置不仅能够实现在水中对MEMS微结构进行激励，而且能够避免底座结构的振动响应对测试结果的干扰，实现了对MEMS微结构的非接触式激励，激励效果好。
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公开(公告)号：CN105293422A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510317079.5
申请日：2015-06-10
Applicant: ams国际有限公司
Inventor： 马特吉·戈森斯 , 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 , 皮特·杰勒德·斯蒂内肯 , 卡斯珀·范德阿奥斯特 , 雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格
CPC classification number: G01L27/005 , B81B2201/02 , B81B2201/0264 , B81B2207/11 , B81C99/0035 , G01L19/04 , G01L27/002
Abstract: 一个示例公开了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：具有内部环境的空腔；将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；以及，能够在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境的校准电路。
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公开(公告)号：CN102741979B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180005859.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 迈克尔·德勒
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件，设置有：半导体衬底(4，5)，半导体材料构成的、能够可逆变形的弯曲元件(8a)，以及对机械应力敏感的至少一个晶体管，其构建为弯曲元件(8a)中的集成部件。晶体管设置在引入弯曲元件(8a)中的、第一导电类型的半导体材料构成的、注入的有源区阱(78a)中。在有源区阱(78a)中构建有两个彼此间隔的、第二导电类型的半导体材料构成的、注入的漏极区和源极区(79，80)，沟道区在所述漏极区和源极区之间延伸。第二导电类型的半导体材料构成的、注入的馈电线朝向漏极区和源极区(79，80)引导。有源区阱(78a)的上侧被栅极氧化物(81a)覆盖。在沟道区的区域中在栅极氧化物(81a)上有多晶硅构成的栅电极(81)，同样由多晶硅构成的馈电线引导至该栅电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105293422B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201510317079.5
申请日：2015-06-10
Applicant: ams国际有限公司
Inventor： 马特吉·戈森斯 , 威廉·弗雷德里克·亚德里亚内斯·贝什林 , 皮特·杰勒德·斯蒂内肯 , 卡斯珀·范德阿奥斯特 , 雷默克·亨里克斯·威廉默斯·皮内伯格
CPC classification number: G01L27/005 , B81B2201/02 , B81B2201/0264 , B81B2207/11 , B81C99/0035 , G01L19/04 , G01L27/002
Abstract: 一个示例公开了一种MEMS器件，所述MEMS器件包括：具有内部环境的空腔；将所述内部环境与所述MEMS器件外的外部环境相隔离的密封，其中所述密封易于响应于校准解封能量而被损坏，并且，在所述密封损坏时，形成耦合所述内部环境与所述外部环境的通路；以及，能够在所述密封损坏之前和在所述密封损坏之后测量所述内部环境的校准电路。
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公开(公告)号：CN106315507A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610867241.5
申请日：2016-09-30
Applicant: 渤海大学
IPC: B81C99/00
CPC classification number: B81C99/0035
Abstract: 本发明公开了一种对MEMS微结构进行非接触式激励的聚焦激波激励装置，包括基板，在基板上设有手动三轴位移台和支座，手动三轴位移台的Z轴溜板上设有微结构单元；在支座上端设有内腔为半个椭球面的椭球腔体，椭球面第一焦点位于椭球腔体内，微结构单元位于椭球面的第二焦点一侧；在椭球腔体上设有针电极单元；二个针电极分别与高压电容的两极电联接，在高压电容与一个针电极之间设有第一空气开关，二个针电极针尖之间距离小于高压电容充分充电后的最大空气击穿间隙；高压电容电联接至高压电源的正负极。有益效果是：该装置能够避免底座结构的振动响应对测试结果的干扰，实现了对MEMS微结构的非接触式激励，激励效果好，便于获取微结构的动态特性参数。
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公开(公告)号：CN105668501A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201610070994.3
申请日：2016-01-28
Applicant: 安徽北方芯动联科微系统技术有限公司
Inventor： 华亚平
CPC classification number: B81B7/02 , B81B7/0009 , B81B7/007 , B81B7/0096 , B81C1/00301 , B81C1/0069 , B81C3/001 , B81C99/0035
Abstract: 具有多功能盖板的芯片级封装的MEMS芯片，包括盖板、MEMS结构层和底板衬底，盖板包括盖板衬底、上盖板绝缘层、第一金属层图形、金属间绝缘层和第二金属层图形，金属间绝缘层有通孔，第二金属层填充到通孔中，盖板通过密封环与MEMS结构层和上底板绝缘层键合，第一压焊块位于MEMS信号导出部上表面。本MEMS芯片通过第一压焊块与第二压焊块之间键合的金属线将MEMS结构的电信号引导到盖板上，再在盖板上完成交叉布线；同时，可以利用盖板上的第一金属层图形和第二金属层图形制作恒温加热器和检漏用热对流加速度计，本发明的制造方法不需要MEMS结构层与底板间的电连接，不需要通过TSV电连接MEMS结构与盖板，不需要在MEMS结构层或底板上交叉布线，流程短、成本低、成品率高。
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公开(公告)号：CN102742012B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201180005860.9
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 恩德·腾海夫
IPC: H01L29/423 , H01L29/786
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种半导体部件，尤其是为了用作微机电半导体器件诸如压力传感器或加速度传感器中的对于机械应力敏感的部件，具有：半导体衬底(1,5)，在该半导体衬底的上侧上通过离子注入引入有源区(78a，200)，该有源区由第一导电类型的材料构成。在有源区(78a，200)内构建有限定的长度(L)和宽度(B)的半导体沟道区。在有源区(78a，200)中纵向伸展部中的沟道区的端部上分别连接有接触区(79,80)，接触区由第二导电类型的半导体材料构建。沟道区被离子注入掩膜材料(81)覆盖，其具有限定沟道区的长度(L)的横向边缘以及限定沟道区的宽度(B)的纵向边缘，并且在沟道区的对置的并且与沟道区的纵向延伸端部平齐的横向边缘上分别具有边缘凹部(201，202)，与沟道区邻接的接触区(79,80)延伸至边缘凹部中。
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公开(公告)号：CN102741674A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201180005861.3
申请日：2011-01-10
Applicant: 艾尔默斯半导体股份公司
Inventor： 贝恩德·伯查德
CPC classification number: B81C1/00158 , B81B3/0018 , B81B3/0021 , B81B3/007 , B81B3/0072 , B81B3/0081 , B81B2201/0235 , B81B2201/0264 , B81B2203/0127 , B81C1/00626 , B81C99/0035 , B81C2201/019 , G01L9/0047 , H01L29/4916 , H01L29/84
Abstract: 一种微机电半导体器件，具有：第一半导体衬底(1)，其具有上侧；以及第二半导体衬底(5)，其具有上侧。两个半导体衬底(1，5)在其上侧上靠置地接合。空腔(4)引入所述两个半导体衬底(1，5)的至少之一的上侧中。空腔(4)通过由两个半导体衬底(1，5)形成的对置的顶壁和底部壁以及侧壁(3)来限定。顶壁或者底部壁作为能够可逆地变形的膜来起作用，并且在空腔(4)的这两个壁的另外的壁中设置有通过有关的半导体衬底(1，5)延伸的开口(98)。
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