公开(公告)号：CN103986450B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410197743.2

申请日：2014-05-12

Applicant: 华为技术有限公司

Inventor： 余永长 ,  刘涛 ,  李伟男

IPC: H03K17/687 ,  H03J5/24

CPC classification number: H03J5/14 ,  H03J2200/06 ,  H03K17/10 ,  H03K17/102 ,  H03K17/60 ,  H03K17/687 ,  H03K17/693 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054 ,  H04B1/04 ,  H04W88/00

Abstract: 本发明实施例公开了一种开关、天线的调谐器和射频装置，以综合调节包括多个串联晶体管的开关的传输效率和抑制漏电流。该开关包括：2N个依次串联的晶体管。在所述2N个依次串联的晶体管中，任两个有最接近奇数序号的晶体管的控制端通过第一电阻相耦，任两个有最接近偶数序号的晶体管的控制端通过第二电阻相耦合；第n晶体管的控制端被耦合至开关控制信号中的第一控制信号，且第n+1晶体管的控制端被耦合至所述第一控制信号，其中，n为大于等于1、且小于等于2N‑1的一个整数，N为大于等于2的整数，所述第一控制信号用于对所述开关的导通或关闭做控制。

公开(公告)号：CN105958984A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610133496.9

申请日：2016-03-09

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： V·古普塔 ,  G·尚卡尔

IPC: H03K17/041 ,  H03K17/687

CPC classification number: H02M3/07 ,  H02M2001/0029 ,  H02M2001/0048 ,  H03K17/04123 ,  H03K17/0822 ,  H03K2017/0806 ,  H03K2217/0009 ,  H03K2217/0054 ,  Y02B70/1491 ,  H03K17/04106 ,  H03K17/687

Abstract: 快速阻断开关(200)包括，例如，能量储存装置(212)，第一电力开关(216)以及第二电力开关(218)。能量储存装置为开关的快激活存储电荷。第一开关(216)可操作用于：响应于由所储存的电荷供应的电势耦合于第一开关(216)的控制终端，将输入电流耦合到输出终端OUT。第二开关(220)可操作用于：响应于由所储存的电荷供应的电势耦合于第二开关(220)的控制终端，将受限输入电流量与输出终端OUT耦合。

公开(公告)号：CN105871180A

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201610216257.X

申请日：2016-04-08

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘岩 ,  冯勇建 ,  高飞 ,  夏荣菲 ,  黄嵩儒 ,  陈炜 ,  李军

IPC: H02M1/08 ,  H03K17/687

CPC classification number: H02M1/08 ,  H02M2001/0006 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0054 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明提供了本发明公开了一种能在5?10V电源电压下工作的大电流CMOS推挽驱动电路及其控制方法，主要应用于大功率MOS的栅极驱动。该电路包括一直流电源、一个线性稳压电路(LDO)、一控制电路、一个NMOS、一个PMOS和输出负载。线性稳压电路和控制电路都直接由直流电源供电，LDO输出与控制电路相连，PWM输入信号接控制电路，控制电路输出两路信号，分别与NMOS和PMOS的栅极相连。该方法通过自适应控制，根据输入PWM信号，在不同的直流电源电压下，控制NMOS/PMOS的打开与关闭，实现对负载驱动。本发明的积极效果是：电路结构简单，扩展了Vgs耐压只有5V的CMOS工艺的应用，拓宽了输入电压范围，提高了输出电压，增强了电路的驱动能力。

公开(公告)号：CN105846665A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610274776.1

申请日：2016-04-28

Applicant: 南京航空航天大学

Inventor： 徐克峰 ,  秦海鸿 ,  徐华娟 ,  付大丰 ,  聂新

IPC: H02M1/38 ,  H03K17/041 ,  H03K17/16

CPC classification number: Y02B70/1483 ,  H02M1/38 ,  H03K17/04106 ,  H03K17/162 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明所解决的技术问题在于提供一种具有自保护功能的常通型SiC JFET驱动电路。当驱动电源故障导致桥臂直通时，自保护电路中辅助电容放电，在SiC JFET栅源极施加一个负向关断电压，迫使其快速关断，使控制器能够在安全时间范围内切断电源，达到保护的目的。另外，驱动输出采用RCD结构，既可以实现SiC JFET高速开关，又可以抑制密勒电流引起的栅极电压振荡，是一种适用于高速桥臂结构的常通型SiC JFET驱动电路。

公开(公告)号：CN103026625B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201180036653.X

申请日：2011-07-26

Applicant: 高通股份有限公司

Inventor： H·严 ,  J·G·杉卡拉那拉亚南 ,  B·S·阿苏里 ,  H·卡特里 ,  V·V·帕尼卡什

IPC: H03K17/06 ,  H03K17/16 ,  H03K17/687 ,  H03H11/32 ,  H03H7/42 ,  H04B1/04 ,  H03H11/24 ,  H04B1/48 ,  H01P1/22

CPC classification number: H03K17/063 ,  H03K17/161 ,  H03K17/687 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0018 ,  H03K2217/0054

Abstract: 一方面，RF开关包括主晶体管和栅-源短路电路。当关断RF开关时，开通栅-源短路电路以使主晶体管的源极和栅极短路在一起，由此防止Vgs发展成将导致主晶体管泄漏。当开通RF开关时，关断栅-源短路电路以将源极和栅极去耦合。向栅极提供数字逻辑高电压以开通主晶体管。第二方面，RF开关包括具有块体端子的主晶体管。当关断RF开关时，该块体通过高电阻接地。当开通RF开关时，源极和块体短路在一起，由此降低主晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN105429615A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201610013025.4

申请日：2016-01-08

Applicant: 南京国电南自电网自动化有限公司

Inventor： 徐丽青 ,  陈庆旭 ,  陈新之 ,  史志伟 ,  余华武

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567

CPC classification number: H03K17/16 ,  H03K17/567 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT快速出口的抗干扰回路，所述IGBT的内部设置有逆向二极管V，其特征在于，所述IGBT的C端连接出口端OUT1+，所述IGBT的E端连接出口端OUT1-；所述IGBT的C端与E端并联设置有整流二极管V1，所述IGBT的C端与E端并联设置有安规电容CX，所述IGBT的C端与E端并联设置有压敏电阻RV1，所述IGBT的C端与E端并联设置有继电器K1，所述出口端OUT1+串联有跳线S1，所述出口端OUT1-串联有跳线S2，每路所述IGBT采用隔离电压高的电源模块供电。本发明采用IGBT与继电器并联的方式，实现IGBT的快速出口，采用整流二极管、安规电容、压敏电阻等抗干扰元器件抑制干扰，防止C、E两端过压、过流击穿IGBT。

公开(公告)号：CN102611397B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201110463033.6

申请日：2011-12-23

Applicant: 快捷半导体(苏州)有限公司 ,  快捷半导体公司

Inventor： 科奈斯·P·斯诺登

IPC: H03F3/217

CPC classification number: H03K17/063 ,  H02M1/08 ,  H02M5/22 ,  H03K17/162 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明提供一种晶体管控制电路，选择性地提供从源到汇点的信号。该电路包括：具有导通状态和非导通状态的场效应晶体管，该场效应晶体管具有栅极、源极和漏极；第一比较器，被配置成比较场效应晶体管的源极处的源电压与第一参考电压并基于源电压和第一参考电压之间的差值提供第一输出；以及，开关放大器，被配置成向场效应晶体管的栅极施加同第一比较器的第一输出成函数关系的栅极电压。

公开(公告)号：CN105024677A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201510208606.9

申请日：2015-04-28

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 吉安·霍赫扎德 ,  约瑟夫·雷内鲁斯·玛丽亚·伯格威特

IPC: H03K17/687

CPC classification number: H03K17/687 ,  H03K17/063 ,  H03K17/6874 ,  H03K17/693 ,  H03K2017/066 ,  H03K2217/0054

Abstract: 描述了一种RF开关装置(400)，包括偏置交换电路(30)。偏置交换电路根据RF开关的状态来切换偏置电压。这改善了RF开关的性能而不需要电荷泵电路。

公开(公告)号：CN104467067A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410461180.3

申请日：2014-09-11

Applicant: 精工电子有限公司

Inventor： 阿部谕 ,  樱井敦司

IPC: H02J7/00

CPC classification number: H02J7/0063 ,  H02J7/0031 ,  H02J7/007 ,  H02J2007/0037 ,  H02J2007/004 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本发明提供充放电控制电路以及电池装置，在双向导通型场效应晶体管截止时漏电流较低，能够稳定地进行工作，而不会使控制电路的控制复杂化。充放电控制电路具有：开关电路，其控制双向导通型场效应晶体管的栅极；第一晶体管，其漏极与双向导通型场效应晶体管的漏极连接，栅极与双向导通型场效应晶体管的源极连接，源极以及背栅与开关电路的第一端子连接；以及第二晶体管，其漏极与双向导通型场效应晶体管的源极连接，栅极与双向导通型场效应晶体管的漏极连接，源极以及背栅与开关电路的第一端子连接，双向导通型场效应晶体管的背栅与开关电路的第一端子连接。

公开(公告)号：CN104426529A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410433205.9

申请日：2014-08-28

Applicant: 索尼公司

Inventor： 日野康史

IPC: H03K19/0185

CPC classification number: H03K17/6871 ,  H03K2217/0054

Abstract: 本公开涉及信号输出电路及信号输出方法。一种信号输出电路，包括：输出缓冲器，该输出缓冲器包括被配置为输出第一输出信号的第一端子；第一输出端子；第一开关，被插入在从第一端子至第一输出端子的信号路径上；以及第二开关，被配置为当被接通时将预定电压传输至第一输出端子。