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公开(公告)号：CN119835955A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411916526.4
申请日：2024-12-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种基于兼容型温度传感器的晶闸管及其制备方法，包括：衬底、缓冲层、漂移层、基区、兼容型传感器、多个电极阵列和阴极。本发明采用了半导体器件作为兼容型温度传感器，半导体器件制成的兼容型温度传感器具有高线性度和灵敏度的优点；将兼容型温度传感器集成在晶闸管内部，提高了功率器件的集成度，使得晶闸管测温系统更加紧凑、高效。该技术能够实时监测晶闸管内部温度，确保测量结果的准确性和实时性，为晶闸管电力电子系统的稳定运行提供了有力保障。在集成了兼容型温度传感器后，晶闸管的基本工作特性并未受到影响，依然保持着优异的性能和可靠性。并且采用晶闸管终端作为隔离区域实现了工艺兼容，节约了工艺步骤。
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公开(公告)号：CN119767690A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411838206.1
申请日：2024-12-13
Applicant: 成都芯火集成电路产业化基地有限公司 , 成都晶辉卓创半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种低漏电、低击穿电压PN结的版图结构，包括P+型接触区和N+型区，其中N+型区在朝向P+型接触区的一面，具有变化的曲率。通过改变PN结交接处的曲率，使得具有该结构的PN结具有更低的击穿触发条件。该结构免去通过增大P型阱区杂质浓度来降低击穿电压的必要，降低了PN结内发生隧穿效应的可能性，使得器件的击穿机理在低击穿电压的条件下仍保持以雪崩击穿为主，器件的漏电流减小。本发明还进一步提供了前述PN结版图结构的制造方法以及使用该PN结版图结构的NPN型晶体管版图结构和SCR版图结构。
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公开(公告)号：CN112310192B
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202010749269.5
申请日：2020-07-30
Applicant: 英飞凌科技两极有限两合公司
Abstract: 短路半导体器件具有半导体本体，其中设置第一导电类型的背面基极区和正面基极区、与第一导电类型互补的第二导电类型的内部区域。背面和正面基极区与背面和正面电极导电连接。至少一个正面和/或背面导通结构嵌入到正面和/或基极区中并且至少部分地由正面和/或背面电极覆盖。导通结构是第二导电类型的发射极结构，其分别与相应的电极导电接触，可以借助于至少一个触发结构导通，该触发结构又借助于电导通信号激活。在激活状态下，触发结构将浪涌电流注入到半导体本体中，该浪涌电流不可逆地破坏在导通结构与其嵌入的基极区之间形成的第一半导体结和/或在该基极区与内部区域之间形成的第二半导体结。还涉及用于操作这种短路半导体器件的方法。
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公开(公告)号：CN119364862A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411918819.6
申请日：2024-12-25
Applicant: 深圳市晶扬电子有限公司
Abstract: 本发明提供一种快开启型双向对称的静电保护器件，包括第一导电类型衬底，设置在第一导电类型衬底上方的1个以上的双向SCR结构单元，所述双向SCR结构单元包括依次并列非接触设置的三个静电泄放模块，静电泄放模块分别设有第一导电类型重掺杂区和第二导电类型重掺杂区，第二静电泄放模块的第一导电类型重掺杂区与第一静电泄放模块的第二导电类型重掺杂区能够构建静电泄放的第一方向导通路径，第三静电泄放模块的第一导电类型重掺杂区与所述第二静电泄放模块的第二导电类型重掺杂区能够构建与第一方向相反的第二方向导通路径，所述第一方向导通路径与所述第二方向导通路径的长度和导通路径均一致。本发明能够实现更快的导通开启速度。
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公开(公告)号：CN119342856A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411402810.X
申请日：2024-10-09
Applicant: 阜新市天琪电子有限责任公司
Abstract: 本发明提供一种具有隐埋FS层的非对称脉冲晶闸管结构及其制造方法，涉及脉冲功率半导体器件技术领域。本发明的脉冲晶闸管不仅解决正、反向均要求有阻断能力且阻断电压不对称，以及难以形成小方片的问题，并提升了脉冲放电特性，确保器件dv/dt耐量及ESD可靠性。采用本发明具有隐埋FS层脉冲晶闸管，有利于提升器件的阻断能力，尤其适合反向需要一定阻断能力的应用场合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119947146A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510416717.2
申请日：2025-04-03
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶闸管缺陷单元的修复方法，包括：提供表面形成有晶闸管的晶圆，在晶闸管背离晶圆的第一表面覆盖功能层，功能层的材料包括低熔点金属材料，第一表面为晶闸管的具有阴极电极的一侧表面；对晶闸管进行目标条件下的测试，使晶闸管中的晶闸管缺陷单元发热，晶闸管缺陷单元为晶闸管中的至少一个晶闸管单元的阴极电极，功能层中接触晶闸管缺陷单元的部分与晶闸管缺陷单元合金化并产生凹陷，目标条件包括：晶闸管的阳极和阴极处于反偏状态下产生的漏电流达到预设值；去除晶闸管缺陷单元和剩余的功能层。本申请的部分功能层与晶闸管缺陷单元发生合金化，以物理剔除的方式即可完全去除其电极，避免了金属残留，提升了晶闸管的修复效果。
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公开(公告)号：CN114899218B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210466661.8
申请日：2022-04-29
Applicant: 深圳市国微电子有限公司
Abstract: 本申请适用于半导体器件技术领域，提供了耐高压防护器件，包括衬底、掩埋层以及外延层，衬底、掩埋层以及外延层依次层叠设置；基于外延层，由外延层边缘任一点指向中心点方向依次设置有第一阱以及高压阱；并在第一阱上设置有第一有源区；高压阱具有三个封闭的环形空置区域，在三个环形空置区域分别设置有第二阱、第三阱以及第四阱；并在第二阱、第三阱以及第四阱上均设置第二有源区、第三有源区以及第四有源区；在高压阱上设置有第五阱，在第五阱设置有第五有源区定，从而解决了现有技术中SCR器件无法应用于超高耐压场合的技术问题。
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公开(公告)号：CN119922929A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374488.2
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请公开了一种功率半导体器件及其制备方法，该功率半导体器件包括中心区域和位于中心区域外周的外围区域，中心区域和外围区域均包括多个元胞结构，元胞结构和伪元胞结构均包括沿第一方向顺序设置的缓冲区和基区，中心区域还包括具有导电通道的伪元胞结构，伪元胞结构中缓冲区具有与基区的接触面以及沿第一方向与接触面相对的第一表面；至少部分导电通道嵌于缓冲区中的预定区域中，预定区域与接触面间隔，导电通道中嵌于预定区域中的部分由第二表面延伸至预定区域内部，预定区域用于在功率半导体器件承受设计的击穿电压的情况下形成击穿区域。本申请解决了相关技术中应用于功率半导体器件中的过压保护技术导致其击穿电压一致性较差的问题。
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公开(公告)号：CN119922927A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510372595.1
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明涉及报半导体技术领域，公开一种高关断能力的功率半导体器件以及制备方法，所述器件包括：单元胞结构，包括：形成依次层叠的阳极结构、基区结构、阴极结构、门极结构，基区结构包括浮结区，该浮结区与基区结构的掺杂类型相反，浮结区包括上平台区、下平台区以及连接两平台区的波状区，浮结区采用局部辐照并通过金属挡板在基区结构中形成且用于将阳极结构与阴极结构之间路径上的电流分流至阴极结构与门极结构之间的区域及在该区域以动态雪崩方式促进载流子的重新分布。本发明可减小阴极结构外侧边缘处的基区横向压降，以达到阴极结构与门极结构快速换流的效果，有效防止因局部电流的汇聚出现重触发而导致器件击穿，有效提高器件的关断能力。
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公开(公告)号：CN112071906B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202010675829.7
申请日：2020-07-14
Applicant: 株洲中车时代半导体有限公司
IPC: H10D18/00 , H10D18/01 , H01L23/373
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管芯片及制作方法，其中所述芯片包括，位于阳极P型层之上的N型基区及P型基区；位于所述P型基区上表面内的阴极N型区；位于所述阴极发射N型区之上的阴极金属；位于所述P型基区表面之上放大门极金属及中心门极金属；位于门极阴极金属之间指定厚度的介质薄膜层；及所述阳极P型层之下的阳极金属。本发明无需对成熟的晶闸管设计、工艺更改，不影响晶闸管各参数，能提高耐受di/dt的能力，有利于提升晶闸管性能，延长使用寿命。
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